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公開番号2024158674
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023074060
出願日2023-04-28
発明の名称高周波モジュール及び通信装置
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人北斗特許事務所
主分類H04B 1/38 20150101AFI20241031BHJP(電気通信技術)
要約【課題】小型化を図る。
【解決手段】高周波モジュール100は、実装基板9と、第1電子部品1及び第2電子部品2と、シールド部材5と、を備える。実装基板9は、主面91を有する。第1電子部品1及び第2電子部品2は、実装基板9の主面91に配置されている。シールド部材5は、実装基板9の主面91に配置されている。シールド部材5は、第1電子部品1と第2電子部品2との間に位置し、第1電子部品1及び第2電子部品2と隣接している。実装基板9の主面91からシールド部材5の頂部51までの第1高さH1は、実装基板9の主面91から第1電子部品1の天面11までの第2高さH2と、実装基板9の主面91から第2電子部品2の天面21までの第3高さH3と、の少なくとも一方よりも低い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
主面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記主面に配置されている第１電子部品及び第２電子部品と、
前記実装基板の前記主面に配置されているシールド部材と、を備え、
前記シールド部材は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置し、前記第１電子部品及び前記第２電子部品と隣接しており、
前記実装基板の前記主面から前記シールド部材の頂部までの第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記第１電子部品の天面までの第２高さと、前記実装基板の前記主面から前記第２電子部品の天面までの第３高さと、の少なくとも一方よりも低い、
高周波モジュール。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記第１高さは、前記第２高さ及び前記第３高さの両方よりも低い、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第１電子部品と前記第２電子部品とのうち少なくとも一方は、
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
前記基板の前記第１主面に形成されている回路部と、
前記回路部に接続されている複数のバンプ電極と、を有し、
前記複数のバンプ電極により前記実装基板に接続されており、
前記第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記基板の前記第１主面までの高さよりも高い、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１電子部品は、送信系電子部品であり、
前記第２電子部品は、受信系電子部品である、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記送信系電子部品は、パワーアンプを含む、
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記受信系電子部品は、ローノイズアンプを含む、
請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
前記実装基板は、前記主面である第３主面に対向する第４主面を有し、
前記実装基板は、
前記シールド部材が配置されているランド電極と、
前記実装基板の厚さ方向において前記ランド電極と前記第４主面との間で、前記ランド電極及び前記第４主面から離隔して配置されているグランド電極と、
前記ランド電極と前記グランド電極とを接続しているビア導体と、を含む、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
前記シールド部材を複数備え、
前記ランド電極を複数備える、
請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
前記実装基板は、前記複数のランド電極のうち少なくとも２つのランド電極を含む導体部と、
前記導体部上に設けられており、少なくとも２つの開口部を有するレジスト層と、を含み、
前記少なくとも２つのランド電極は、前記少なくとも２つの開口部に一対一に対応し、前記導体部のうち前記少なくとも２つの開口部により露出している部分であり、
前記ビア導体は、前記少なくとも２つのランド電極に共通であり、前記導体部と前記グランド電極とを接続している、
請求項８に記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
前記実装基板の前記主面に配置されており、前記第１電子部品の少なくとも一部及び前記第２電子部品の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
前記樹脂層を覆っている外部シールド電極と、を更に備える、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数の電子部品を備える高周波モジュール、及び、その高周波モジュールを備える通信装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板（実装基板）と、基板上に配置された第１電子部品及び第２電子部品と、内部シールド（シールド部材）と、を備えるモジュール（高周波モジュール）を開示している。第１電子部品は、例えば、音響フィルタである。第２電子部品は、例えば、フリップチップＩＣである。内部シールドは、第１電子部品と第２電子部品との間に配置されている。内部シールドは、一対の分離されたボンディングワイヤを有する。一対の分離されたボンディングワイヤは、ボンディングワイヤループの頂点を除去することによって形成されている。特許文献１に開示されたモジュールは、内部シールドによって、電磁干渉を低減又は排除し、第１電子部品と第２電子部品との間の分離を強化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１７／０１１８８７５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された高周波モジュールでは、実装基板の厚さ方向、及び、第１電子部品と第２電子部品との並んでいる方向、それぞれにおいてシールド部材に必要なスペースが大きくなり、高周波モジュールが大型化する場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、小型化を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１電子部品及び第２電子部品と、シールド部材と、を備える。前記実装基板は、主面を有する。前記第１電子部品及び前記第２電子部品は、前記実装基板の前記主面に配置されている。前記シールド部材は、前記実装基板の前記主面に配置されている。前記シールド部材は、前記第１電子部品と前記第２電子部品との間に位置し、前記第１電子部品及び前記第２電子部品と隣接している。前記実装基板の前記主面から前記シールド部材の頂部までの第１高さは、前記実装基板の前記主面から前記第１電子部品の天面までの第２高さと、前記実装基板の前記主面から前記第２電子部品の天面までの第３高さと、の少なくとも一方よりも低い。
【０００７】
本発明の一態様に係る通信装置は、上記一態様の高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、小型化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの断面図である。
図２は、同上の高周波モジュールの平面図である。
図３は、同上の高周波モジュールの要部断面図である。
図４は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路図である。
図５は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。
図６は、実施形態３に係る高周波モジュールの断面図である。
図７は、実施形態４に係る高周波モジュールの断面図である。
図８は、実施形態５に係る高周波モジュールの平面図である。
図９は、実施形態６に係る高周波モジュールの平面図である。
図１０は、同上の高周波モジュールに関し、図９のＸ１－Ｘ１線断面図である。
図１１は、実施形態７に係る高周波モジュールの平面図である。
図１２は、同上の高周波モジュールに関し、図１１のＸ１－Ｘ１線断面図である。
図１３は、実施形態８に係る高周波モジュール平面図である。
図１４は、同上の高周波モジュールに関し、図１３のＸ１－Ｘ１線断面図である。
図１５は、実施形態９に係る高周波モジュールの平面図である。
図１６は、実施形態１０に係る高周波モジュールの平面図である。
図１７は、同上の高周波モジュールに関し、図１６のＸ１－Ｘ１線断面図である。
図１８は、実施形態１１に係る高周波モジュールの断面図である。
図１９は、実施形態１２に係る高周波モジュールの断面図である。
図２０は、実施形態１３に係る高周波モジュールの平面図である。
図２１は、同上の高周波モジュールに関し、図２０のＸ１－Ｘ１線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態１～１３について、図面を参照して説明する。以下の実施形態等において参照する図は、模式的な図であり、図中の構成要素の大きさ及び厚さは必ずしも実際の寸法を反映しているとは限らず、構成要素間における大きさの比及び厚さの比も、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（【００１１】以降は省略されています）

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