TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024157469
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-07
出願番号2023071867
出願日2023-04-25
発明の名称半導体装置、半導体モジュール、およびリードフレーム
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/739 20060101AFI20241030BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】はんだ飛散の防止効果を得る半導体装置、半導体モジュール、およびリードフレームを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ40の上方に設けられた温度センス部と、温度センス部とアノードパッド174及びカソードパッド176とにそれぞれ電気的に接続された温度センス配線部(アノード配線およびカソード配線)と、温度センス部の上方に設けられた温度センス保護膜150-4および温度センス配線部の上方に設けられた第1配線保護膜150-7を有する保護膜と、を備える。第1配線保護膜150-7は、温度センス保護膜150-4に隣接する第1領域R1と、第1領域R1よりも温度センス保護膜150-4から離間して設けられ、第1領域R1よりも幅が狭い第2領域R2と、を有する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
半導体基板の上方に設けられた温度センス部と、
前記温度センス部と電気的に接続された温度センス配線部と、
前記温度センス部の上方に設けられた温度センス保護膜および前記温度センス配線部の上方に設けられた第1配線保護膜を有する保護膜と、
を備え、
前記第1配線保護膜は、
前記温度センス保護膜に隣接する第1領域と、
前記第1領域よりも前記温度センス保護膜から離間して設けられ、前記第1領域よりも幅が狭い第2領域と
を有する、半導体装置。
続きを表示(約 660 文字)【請求項2】
前記第1配線保護膜の幅は、前記温度センス保護膜から離れるに従い漸減する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1配線保護膜は、上面視で台形である
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1配線保護膜は、上面視で階段状である
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第2領域の幅は、5μm以上、500μm以下である
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記温度センス配線部の延伸方向における前記第2領域の長さは、500μm以上、5000μm以下である
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記保護膜は、前記温度センス保護膜から、前記第1配線保護膜の延伸方向と異なる方向に延伸する第2配線保護膜を有する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体基板の上方に設けられたゲート配線部を備え、
前記第2配線保護膜は、前記ゲート配線部の上方に設けられている
請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第2配線保護膜は、前記第1領域および前記第2領域を有する
請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記温度センス部は、上面視で、前記半導体基板の中央に設けられている
請求項1に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置、半導体モジュール、およびリードフレームに関する。
続きを表示(約 880 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1には、半導体素子の上に形成された電極と板状のリードフレームとがはんだで接続された半導体モジュールが記載されている。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 国際公開第2020/067059号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
半導体素子の上に形成された電極と板状のリードフレームとをはんだ付けする際に、はんだの一部が飛散し、半導体素子の上に形成されたワイヤ配線用電極に付着するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の第1の態様においては、半導体基板の上方に設けられた温度センス部と、前記温度センス部と電気的に接続された温度センス配線部と、前記温度センス部の上方に設けられた温度センス保護膜および前記温度センス配線部の上方に設けられた第1配線保護膜を有する保護膜と、を備え、前記第1配線保護膜は、前記温度センス保護膜に隣接する第1領域と、前記第1領域よりも前記温度センス保護膜から離間して設けられ、前記第1領域よりも幅が狭い第2領域とを有する半導体装置を提供する。
【0005】
前記第1配線保護膜の幅は、前記温度センス保護膜から離れるに従い漸減してよい。
【0006】
前記第1配線保護膜は、上面視で台形であってよい。
【0007】
前記第1配線保護膜は、上面視で階段状であってよい。
【0008】
前記第2領域の幅は、5μm以上、500μm以下であってよい。
【0009】
前記温度センス配線部の延伸方向における前記第2領域の長さは、500μm以上、5000μm以下であってよい。
【0010】
前記保護膜は、前記温度センス保護膜から、前記第1配線保護膜の延伸方向と異なる方向に延伸する第2配線保護膜を有してよい。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

富士電機株式会社
鉄道車両
9日前
富士電機株式会社
ガス遮断器
9日前
富士電機株式会社
半導体装置
1か月前
富士電機株式会社
半導体装置
8日前
富士電機株式会社
金銭処理機
18日前
富士電機株式会社
半導体装置
17日前
富士電機株式会社
半導体装置
1か月前
富士電機株式会社
液体供給装置
18日前
富士電機株式会社
ショーケース
1か月前
富士電機株式会社
認証システム
22日前
富士電機株式会社
飲料製造装置
22日前
富士電機株式会社
飲料提供装置
22日前
富士電機株式会社
商品収納装置
22日前
富士電機株式会社
電力変換装置
9日前
富士電機株式会社
テープ貼付装置
1か月前
富士電機株式会社
ワーク搬送装置
17日前
富士電機株式会社
化合物半導体装置
16日前
富士電機株式会社
ガス絶縁開閉装置
8日前
富士電機株式会社
燃料電池システム
17日前
富士電機株式会社
半導体モジュール
9日前
富士電機株式会社
自動販売機システム
22日前
富士電機株式会社
検査装置、検査方法
22日前
富士電機株式会社
プロセッサシステム
22日前
富士電機株式会社
半導体装置の製造方法
29日前
富士電機株式会社
マルチデバイスシステム
8日前
富士電機株式会社
駆動装置及び電力変換装置
16日前
富士電機株式会社
蓄電装置及び電力変換システム
1か月前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
29日前
富士電機株式会社
ゲート駆動回路及び電力変換装置
17日前
富士電機株式会社
分析装置、分析方法及びプログラム
23日前
富士電機株式会社
飲料製造装置および飲料の製造方法
22日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
29日前
富士電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
1日前
富士電機株式会社
電力システム、給電装置、電力変換装置
8日前
富士電機株式会社
判定装置、判定方法、及び判定プログラム
1か月前
富士電機株式会社
管理システム、サーバ装置、および管理方法
16日前
続きを見る