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公開番号2024144186
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-11
出願番号2024032448
出願日2024-03-04
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20241003BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】メインMOSFETにおける電極の劣化の兆候を検知できることが好ましい。
【解決手段】上面電極を有する主素子と、前記上面電極に接続された第1近接配線と、前記上面電極における第1センス位置における電位を伝送する第1センス配線とを備え、前記第1近接配線は、前記上面電極の第1近接位置に接続され、前記上面電極において、前記第1センス位置から前記第1近接位置までの第1配線間距離は、前記第1近接位置から前記上面電極の端部までの最大距離の半分とは異なる半導体装置を提供する。
【選択図】図15
特許請求の範囲【請求項１】
上面電極を有する主素子と、
前記上面電極に接続された１つ以上の出力配線と、
前記上面電極における第１センス位置に接続され、前記第１センス位置における電位を伝送する第１センス配線と
を備え、
前記１つ以上の前記出力配線は、前記上面電極に対する接続位置と、前記第１センス位置との距離が最も小さい第１近接配線を含み、
前記第１近接配線は、前記上面電極の第１近接位置に接続され、
前記上面電極において、前記第１センス位置から前記第１近接位置までの第１配線間距離は、前記第１近接位置から前記上面電極の端部までの最大距離の半分とは異なる
半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記主素子に流れる電流に応じた電流が流れる電流センス用素子を更に備え、
前記第１センス配線は、前記第１センス位置における電位を前記電流センス用素子に印加する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線間距離は、前記最大距離の０倍以上、１／４倍以下である
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１配線間距離は、前記最大距離の３／４倍以上、１倍以下である
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記上面電極は、第１方向に短辺を有し、第２方向に長辺を有する矩形状であり、
前記第１センス位置および前記第１近接位置が、前記第１方向に並んでいる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記上面電極のいずれかの辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合の第１領域に前記第１センス位置が配置され、第２領域に前記第１近接位置が配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記上面電極のいずれかの辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合に、前記第１センス位置および前記第１近接位置が同一の領域に配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記上面電極の第１辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分し、且つ、第１辺と平行でない第２辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合の、第１領域に前記第１センス位置が配置され、前記第１領域と対角に設けられた第２領域に前記第１近接位置が配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記上面電極の第１辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分し、且つ、第１辺と平行でない第２辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合に、前記第１センス位置および前記第１近接位置が同一の領域に配置されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記１つ以上の前記出力配線は、前記上面電極に対する接続位置と前記第１センス位置との距離が２番目に小さい第２配線を含み、
前記第２配線の前記接続位置と前記第１センス位置との距離は、前記第１近接位置と前記第１センス位置との距離よりも大きい
請求項２に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、負荷を駆動するためのメインＭＯＳＦＥＴと、メインＭＯＳＦＥＴに流れる電流を検出するためのセンスＭＯＳＦＥＴとを備える半導体装置が知られている（例えば特許文献１および２参照）。
特許文献１特開２０１９－１４４００４号公報
特許文献２特開２００７－１２１０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
メインＭＯＳＦＥＴにおける電極の劣化の兆候を検知できることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。上記半導体装置は、上面電極を有する主素子を備えてよい。上記いずれかの半導体装置は、前記上面電極に接続された１つ以上の出力配線を備えてよい。上記いずれかの半導体装置は、前記上面電極における第１センス位置に接続され、前記第１センス位置における電位を伝送する第１センス配線を備えてよい。上記いずれかの半導体装置において、前記１つ以上の前記出力配線は、前記上面電極に対する接続位置と、前記第１センス位置との距離が最も小さい第１近接配線を含んでよい。上記いずれかの半導体装置において、前記第１近接配線は、前記上面電極の第１近接位置に接続されてよい。上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極において、前記第１センス位置から前記第１近接位置までの第１配線間距離は、前記第１近接位置から前記上面電極の端部までの最大距離の半分とは異なってよい。
【０００５】
上記いずれかの半導体装置は、前記主素子に流れる電流に応じた電流が流れる電流センス用素子を備えてよい。上記いずれかの半導体装置の前記第１センス配線は、前記第１センス位置における電位を前記電流センス用素子に印加してよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記第１配線間距離は、前記最大距離の０倍以上、１／４倍以下であってよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置において、前記第１配線間距離は、前記最大距離の３／４倍以上、１倍以下であってよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極は、第１方向に短辺を有し、第２方向に長辺を有する矩形状であってよい。上記いずれかの半導体装置において、前記第１センス位置および前記第１近接位置が、前記第１方向に並んでいてよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極のいずれかの辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合の第１領域に前記第１センス位置が配置され、第２領域に前記第１近接位置が配置されていてよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置において、前記上面電極のいずれかの辺と平行な直線で前記上面電極を複数の領域に等分した場合に、前記第１センス位置および前記第１近接位置が同一の領域に配置されていてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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