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公開番号2024147298
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-16
出願番号2023060220
出願日2023-04-03
発明の名称半導体装置
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 29/78 20060101AFI20241008BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の応力集中を防ぐ。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板10に設けられた活性部と、半導体基板10の上方に設けられたPN接合を有する温度センス部178と、半導体基板10の上方に設けられた、第1絶縁層381、第2絶縁層382及び第3絶縁層383からなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上方に設けられたおもて面側電極52と、を備え、おもて面側電極52と層間絶縁膜との接触領域151は、上面視において、PN接合を覆う。層間絶縁膜の内部において、温度センス部178と電気的に接続された、第1配線180及び第2配線からなる導電配線部を備える。
【選択図】図3B
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板に設けられた活性部と、
前記半導体基板の上方に設けられたＰＮ接合を有する温度センス部と、
前記半導体基板の上方に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上方に設けられたおもて面側電極と、
を備え、
前記おもて面側電極と前記層間絶縁膜との接触領域は、上面視において、前記ＰＮ接合を覆う
半導体装置。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記層間絶縁膜の内部において、前記温度センス部と電気的に接続された導電配線部を備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜は、
前記導電配線部の下面に設けられた第１絶縁層と、
前記導電配線部の上面に設けられた第２絶縁層と、
を有する
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電配線部は、予め定められた方向に延伸し、前記導電配線部の断面の全周がノンドープの前記層間絶縁膜で覆われる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＰＮ接合の断面積は、前記導電配線部の断面積よりも小さい
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記活性部のゲートパッドと電気的に接続されたゲートランナを備え、
前記ゲートランナは、上面視において、前記導電配線部と少なくとも一部が重なるように設けられる
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記活性部のゲートパッドと電気的に接続されたゲートランナを備え、
前記ゲートランナは、上面視において、前記温度センス部と少なくとも一部が重なるように設けられる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記層間絶縁膜は、前記ゲートランナと前記半導体基板との間に設けられたゲート酸化膜を備える
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ゲートランナは、前記層間絶縁膜を挟んで前記導電配線部の下方に設けられる
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記導電配線部は、
前記温度センス部の一端に接続され、前記層間絶縁膜の内部において予め定められた方向に延伸する第１配線と、
前記温度センス部の他端に接続され、前記層間絶縁膜の内部において予め定められた方向に延伸する第２配線と、
を有する
請求項６に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「めっき層３６が保護膜１５０と離れていることにより、３重点が存在しなくなる。したがって、３重点に起因した応力集中を防ぐことができる。」と記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０２２－１７８７５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置の応力集中を防ぐことが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、半導体基板に設けられた活性部と、前記半導体基板の上方に設けられたＰＮ接合を有する温度センス部と、前記半導体基板の上方に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上方に設けられたおもて面側電極と、を備え、前記おもて面側電極と前記層間絶縁膜との接触領域は、上面視において、前記ＰＮ接合を覆う半導体装置を提供する。
【０００５】
上記半導体装置において、前記層間絶縁膜の内部において、前記温度センス部と電気的に接続された導電配線部を備えてよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置において、前記層間絶縁膜は、前記導電配線部の下面に設けられた第１絶縁層と、前記導電配線部の上面に設けられた第２絶縁層と、を有してよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置において、前記導電配線部は、予め定められた方向に延伸してよく、前記導電配線部の断面の全周がノンドープの前記層間絶縁膜で覆われてよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置において、前記ＰＮ接合の断面積は、前記導電配線部の断面積よりも小さくてよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置において、前記活性部のゲートパッドと電気的に接続されたゲートランナを備えてよく、前記ゲートランナは、上面視において、前記導電配線部と少なくとも一部が重なるように設けられてよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置において、前記活性部のゲートパッドと電気的に接続されたゲートランナを備えてよく、前記ゲートランナは、上面視において、前記温度センス部と少なくとも一部が重なるように設けられてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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