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公開番号2024156031
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2024146861,2019201856
出願日2024-08-28,2019-11-06
発明の名称プリント基板およびプリント基板の製造方法
出願人古河電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/46 20060101AFI20241024BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】再設計を行うことなく、高周波特性が優れた接着層を利用すること。
【解決手段】少なくとも1の誘電体層と、少なくとも1の導体層とが積層されて構成されるプリント基板(多層プリント基板10)において、導体層14と誘電体層12との間に介在する接着層13を有し、接着層13の厚さt(μm)は、導体層に形成される線路のインピーダンスをt=0(μm)の場合と比較した際のインピーダンス変化率pが0%<p≦5%を満たすように構成されている、ことを特徴とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
少なくとも１の誘電体層と、少なくとも２の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、
最外層に位置する前記導体層が、前記誘電体層に対して接着層を介して積層されており、
前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、
（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ
（関係式２）Ａ＝（０．１９ｔ
２
－５．２５ｔ＋４３．５）ｐ／１００＋１
（関係式３）Ｂ＝（－０．８ｔ＋２２）ｐ／１００
ことを特徴とするプリント基板。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
少なくとも２の誘電体層と、少なくとも３の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、
２つの前記誘電体層の間に位置する前記導体層が、２つの前記誘電体層のいずれか一方に対して接着層を介して積層され、
前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、
（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ
（関係式２）Ａ＝（０．４４ｔ
２
－１２．８ｔ＋１０８）ｐ／１００＋１
（関係式３）Ｂ＝（－０．２ｔ＋２６）ｐ／１００
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項３】
少なくとも２の誘電体層と、少なくとも３の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、
最外層に位置する２つの前記導体層が、前記誘電体層に対して接着層を介してそれぞれ積層されるとともに、２つの前記誘電体層の間に位置する前記導体層が、２つの前記誘電体層のいずれか一方に対して接着層を介して積層され、
前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、
（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ
（関係式２）Ａ＝（０．３ｔ
２
－８．７ｔ＋７８）ｐ／１００＋１
（関係式３）Ｂ＝（－０．２ｔ＋１０）ｐ／１００
ことを特徴とするプリント基板。
【請求項４】
前記インピーダンス変化率ｐが３．５％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記インピーダンス変化率ｐが２．５％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記インピーダンス変化率ｐが２．０％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項７】
前記ｔ（μｍ）は、１５（μｍ）以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項８】
前記ｔ（μｍ）は、１０（μｍ）以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項９】
前記ｔ（μｍ）は、５（μｍ）以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプリント基板。
【請求項１０】
前記導体層の表面粗さを示すＲｚ値が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプリント基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板およびプリント基板の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、多層構造の接着層に、高周波特性が優れた材料を用いることで、高周波特性のよいプリント基板を提供する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開ＷＯ２０１７／１３０９４５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された技術を用いるとともに、接着層を高性能にすることで、高周波特性を改善することができる。しかしながら、接着層の材料を変更すると、プリント基板全体の誘電率が変化する。
【０００５】
例えば、接着層に高性能なものを使用しない従来のプリント基板用に設計した回路パターンを、接着層に高性能なものを使用したプリント基板に用いると、高周波の特性インピーダンスが変化し、インピーダンス不整合による反射損失が増大するため、再度回路パターンの設計を行う必要があるという問題点がある。
【０００６】
本発明は、再設計を行うことなく、高周波特性が優れた接着層を利用可能なプリント基板およびプリント基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、少なくとも１の誘電体層と、少なくとも２の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、最外層に位置する前記導体層が、前記誘電体層に対して接着層を介して積層されており、前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ（関係式２）Ａ＝（０．１９ｔ
２
－５．２５ｔ＋４３．５）ｐ／１００＋１（関係式３）Ｂ＝（－０．８ｔ＋２２）ｐ／１００ことを特徴とする。
このような構成によれば、再設計を行うことなく、高周波特性が優れた接着層を利用可能となる。
【０００８】
また、本発明は、少なくとも２の誘電体層と、少なくとも３の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、２つの前記誘電体層の間に位置する前記導体層が、２つの前記誘電体層のいずれか一方に対して接着層を介して積層され、前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ（関係式２）Ａ＝（０．４４ｔ
２
－１２．８ｔ＋１０８）ｐ／１００＋１（関係式３）Ｂ＝（－０．２ｔ＋２６）ｐ／１００ことを特徴とする。
このような構成によれば、再設計を行うことなく、高周波特性が優れた接着層を利用可能となる。
【０００９】
また、本発明は、少なくとも２の誘電体層と、少なくとも３の導体層とが積層されて構成され、最外層に前記導体層が位置するプリント基板において、最外層に位置する２つの前記導体層が、前記誘電体層に対して接着層を介してそれぞれ積層されるとともに、２つの前記誘電体層の間に位置する前記導体層が、２つの前記誘電体層のいずれか一方に対して接着層を介して積層され、前記誘電体層の比誘電率Ｙと、前記接着層の比誘電率Ｘと、前記接着層の厚さｔ（μｍ）と、前記導体層に形成される線路のインピーダンスをｔ＝０（μｍ）の場合と比較した際のインピーダンス変化率ｐと、が以下の関係式１～３を満たし、前記インピーダンス変化率ｐが０％＜ｐ≦５％を満たす、（関係式１）Ｘ＜Ｙ＜ＡＸ＋Ｂ（関係式２）Ａ＝（０．３ｔ
２
－８．７ｔ＋７８）ｐ／１００＋１（関係式３）Ｂ＝（－０．２ｔ＋１０）ｐ／１００ことを特徴とする。
このような構成によれば、再設計を行うことなく、高周波特性が優れた接着層を利用可能となる。
【００１０】
また、本発明は、前記インピーダンス変化率ｐが３．５％以下であることを特徴とする。
このような構成によれば、インピーダンス変化率を一層抑制することで、再設計の必要性を一層低減することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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