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公開番号2024147880
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-17
出願番号2023060585
出願日2023-04-04
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20241009BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感度及びラフネスがいずれも良好なレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を含む、レジスト組成物。L⁰¹は、2価の連結基を表し;L⁰²は、エーテル結合、アミド結合及びエステル結合からなる群より選択される少なくとも1種を含む2価の連結基を表し;R⁰¹は、置換基を有してもよい炭化水素基を表し;Rf⁰¹～Rf⁰³は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基を表し;n0は、0～5の整数を表し;mは、1以上の整数を表し;M^m+は、m価のカチオンを表す。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物。
TIFF
2024147880000121.tif
44
170
［式中、Ｌ
０１
は、２価の連結基を表し；Ｌ
０２
は、エーテル結合、アミド結合及びエステル結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む２価の連結基を表し；Ｒ
０１
は、置換基を有してもよい炭化水素基を表し；Ｒｆ
０１
～Ｒｆ
０３
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基を表し；ｎ０は、０～５の整数を表し；ｎ０が２以上の整数である場合、複数存在するＲｆ
０２
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく、複数存在するＲｆ
０３
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく；ｍは、１以上の整数を表し；Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンを表す。］
続きを表示（約 890 文字）【請求項２】
前記一般式（ａ０－１）中のＲ
０１
が、芳香環に結合する水素原子の１個以上がハロゲン原子で置換されたアリール基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ａ０－１）中のＬ
０１
が、芳香環に結合する水素原子の１個以上がハロゲン原子で置換されたアリーレン基を含む２価の連結基である、請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１又は２に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記のレジスト膜を露光する工程において、前記レジスト膜に、ＥＵＶ（極端紫外線）又はＥＢ（電子線）を露光する、請求項４に記載のレジストパターン形成方法。
【請求項６】
下記一般式（ｍ０－１）で表される、化合物。
TIFF
2024147880000122.tif
47
170
［式中、Ｌ
０１
は、２価の連結基を表し；Ｌ
０２
は、エーテル結合、アミド結合、又はエステル結合を含む２価の連結基を表し；Ｒ
０１
は、置換基を有してもよい炭化水素基を表し；Ｒｆ
０１
～Ｒｆ
０３
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基を表し；ｎ０は、０～５の整数を表し；ｎ０が２以上の整数である場合、複数存在するＲｆ
０２
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく、複数存在するＲｆ
０３
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく；ｍは、１以上の整数を表し；Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンを表す。］
【請求項７】
請求項６に記載の化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
また、酸発生剤成分として、露光により酸を発生する酸発生基を含む構成単位を導入した樹脂が提案されている（例えば、特許文献１）。このような樹脂は、酸発生剤としての機能と、基材成分としての機能とを併せ持つ。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１４－１９７１６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにレジストパターン寸法が小さくなるほど、感度及びラフネス等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。
しかしながら、これらのリソグラフィー特性はトレードオフの関係にあり、これらの特性をいずれも満足させることは困難である。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度及びラフネスのいずれも良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物の製造に利用可能な高分子化合物、並びに当該高分子化合物の合成に利用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物である。
【０００９】
TIFF
2024147880000001.tif
44
170
［式中、Ｌ
０１
は、２価の連結基を表し；Ｌ
０２
は、エーテル結合、アミド結合及びエステル結合からなる群より選択される少なくとも１種を含む２価の連結基を表し；Ｒ
０１
は、置換基を有してもよい炭化水素基を表し；Ｒｆ
０１
～Ｒｆ
０３
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基を表し；ｎ０は、０～５の整数を表し；ｎ０が２以上の整数である場合、複数存在するＲｆ
０２
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく、複数存在するＲｆ
０３
はそれぞれ同じでもよく、異なっていてもよく；ｍは、１以上の整数を表し；Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価のカチオンを表す。］
【００１０】
本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする、レジストパターン形成方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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