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公開番号2025012722
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023115783
出願日2023-07-14
発明の名称支持基体分離方法、及び電子部品の製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250117BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用し、光の照射により支持基体を積層体から分離可能であり、かつ、支持基体と基板との密着性を高められる支持基体分離方法を提供する。
【解決手段】本発明は、光を透過する支持基体11、分離層12、接着層14及び基板16がこの順に積み重ねられた積層体10から、支持基体11を分離する支持基体分離方法であって、支持基体11側から層周縁部12Bに光を照射することで、層周縁部12Bを変質させることにより、積層体10から支持基体11を分離する工程を含む。分離層12の少なくとも一方の面は、平面視で、接着力が異なる層中央部12Aと層周縁部12Bとからなる。層周縁部12Bは、層中央部12Aに比べて接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域である。支持基体11と接着層14とは、層周縁部12Bを介して貼り合わされている。
【選択図】図1D
特許請求の範囲【請求項１】
光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する支持基体分離方法であって、
前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなり、
前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域であり、
前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされており、
前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む、支持基体分離方法。
続きを表示（約 2,100 文字）【請求項２】
前記分離層において、前記層周縁部が、前記層中央部の外周に面一に配置されている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項３】
下記［接着強度の測定方法（ｉ）］により測定される、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項２に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記層中央部を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
【請求項４】
前記分離層は、第１分離層と第２分離層とが積層し、かつ、前記第２分離層が前記第１分離層の側面を覆う層であり、
前記第１分離層が、前記層中央部を構成し、
前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第２分離層は、前記第１分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第１分離層は、前記第２分離層と前記支持基体との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、前記第１分離層の側面を覆う前記第２分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項５】
下記［接着強度の測定方法（ｉｉ）］により測定される、前記第１分離層と前記支持基体との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項４に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍの前記支持基体上に、前記第１分離層を形成する組成物を用いて製膜し、前記第１分離層を形成する。
（２）前記第１分離層上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）支持基体と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、前記支持基体から前記第１分離層が剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記支持基体と前記第１分離層との界面のピール強度とする。
【請求項６】
前記分離層は、第３分離層と第４分離層とが、平面視で前記第４分離層の外周に前記第３分離層が露出するように積層した層であり、
前記第４分離層が、前記層中央部を構成し、
平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分が、前記層周縁部を構成し、
前記第３分離層は、前記第４分離層に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する層であり、
前記第４分離層は、前記第３分離層と前記接着層との間に配置されており、
前記支持基体と前記接着層とは、平面視で前記第４分離層の外周に露出した前記第３分離層部分を介して貼り合わされている、請求項１に記載の支持基体分離方法。
【請求項７】
下記［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］により測定される、前記第４分離層と前記接着層との界面のピール強度が２．５Ｎ以下である、請求項６に記載の支持基体分離方法。
［接着強度の測定方法（ｉｉｉ）］
（１）サイズ１０ｃｍ×１０ｃｍのガラス基板上に、前記第４分離層を形成する組成物を用いて製膜する。
（２）製膜した膜上に、接着層形成用組成物を、膜厚５０μｍになるように塗布し、９０℃，１６０℃，２２０℃の温度で各４分間加熱することにより接着層を形成する。
（３）前記接着層を、１０ｍｍ幅の帯状にカットする。
（４）ガラス基板と帯状接着層との間に挟まれた角度（ピール角度）を、常に９０度に維持しつつ、ガラス基板に対して帯状接着層を、２００ｍｍ／秒の速度で垂直方向に引っ張ることにより、ガラス基板から帯状接着層を剥離する。このときの接着強度（Ｎ）を測定し、前記層中央部と前記接着層との界面のピール強度とする。
【請求項８】
請求項１～７のいずれか一項に記載の支持基体分離方法を使用することにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記基板に付着する前記接着層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基体分離方法、及び電子部品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）においては、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等が要求されている。
半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。
【０００３】
これに対し、基板に支持基体を貼り合わせた積層体が採用されている。最終的には、この積層体から支持基体を分離して、電子部品が製造される。
例えば、従来、基板と、光を透過する支持基体とを、光を照射することにより変質する分離層を少なくとも介して積層してなる積層体から、前記支持基体を分離する方法が提案されている。
【０００４】
図５Ａから図５Ｃは、積層体の製造方法の一例を示す図である。図５Ｄは、積層体から支持基体を分離する操作を説明する図である。
まず、光を透過する支持基体５１上に、光を照射することにより変質する性質を有する分離層５２を一様に形成する（図５Ａ）。
次いで、分離層５２上に、接着層５４及び基板５６をこの順に積層して、支持基体５１と基板５６とを、分離層５２及び接着層５４を介して貼り合わせる（図５Ｂ）。
次いで、基板５６を加工処理して積層体５０を得る。ここでは、基板５６全体を覆うように封止材層５８が設けられている（図５Ｃ）。
次いで、図５Ｃに示す状態の積層体５０を、上下反転させて、支持基体５１側から分離層５２の全面に放射光（矢印）を照射する（図５Ｄ）。これにより、分離層５２が変質して分解するため、加工処理後の基板５６と支持基体５１とが分離する。
【０００５】
例えば、特許文献１には、積層体から支持基体を分離するときに、基板及び支持基体を破損することなく短時間で首尾よく分離する方法等が開示されている。
この特許文献１に記載された方法等は、一様に形成された前記分離層における周縁部分の少なくとも一部の領域に、前記支持体を介して光を照射することで、光が照射された領域の分離層を変質させる光照射工程と、前記支持体における前記分離層が変質した領域に対向する面の裏面から、当該支持体を保持して持ち上げることで、変質した分離層を介して積層されている前記基板と前記支持体との間に隙間を形成し、当該隙間から前記積層体の内部に向かって流体を噴射することで、前記積層体から前記支持体を分離する分離工程と、を包含していることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特許第６４７０４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された方法等においては、基板と支持体との密着が悪く、加工の途中で基板から支持体が剥離しやすいという問題がある。
一方で、前記問題に対し、分離層を形成する材料を選択して、基板と支持体との密着性を高めようとすると、分離工程で、積層体から支持体が分離しにくくなってしまう。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板に支持基体を貼り合わせた積層体を使用し、光の照射により支持基体を積層体から分離可能であり、かつ、支持基体と基板との密着性を高められる支持基体分離方法、及びこの方法を使用した電子部品の製造方法を提供すること、を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
【００１０】
本発明の第１の態様は、光を透過する支持基体、分離層、接着層及び基板がこの順に積み重ねられた積層体から、前記支持基体を分離する支持基体分離方法であって、前記分離層の少なくとも一方の面は、平面視で、前記支持基体又は前記接着層に対する接着力が異なる、層中央部と層周縁部とからなり、前記層周縁部は、前記層中央部に比べて前記接着力が高く、かつ、光の照射により変質する領域であり、前記支持基体と前記接着層とは、前記層周縁部を介して貼り合わされており、前記支持基体側から前記層周縁部に光を照射することで、前記層周縁部を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する工程を含む、支持基体分離方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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