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公開番号2025027484
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-28
出願番号2023132211
出願日2023-08-15
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸拡散制御剤
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250220BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】高感度化が図れ、かつ、LWRが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)と、下記一般式(d0-1)で表される化合物(D0)と、を含有する、レジスト組成物(式中、Cy1は、脂肪環を含む環式基であり;Cy2は、ベンゼン環又はナフタレン環であり;Xd⁰¹はヨウ素原子又は臭素原子であり;Rd⁰¹及びRd⁰²は、置換基であり;Ld⁰¹は、2価の連結基であり;Ld⁰²は、2価の連結基又は単結合であり;m01は、1以上の整数であり;n01及びn02は、0以上の整数であり;Mmd⁺は、有機カチオンであり;mdは、1以上の整数である)。
[化1]
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、
下記一般式（ｄ０－１）で表される化合物（Ｄ０）と、
を含有する、レジスト組成物。
TIFF
2025027484000089.tif
57
170
［式中、Ｃｙ１は、置換基を有してもよい、脂肪環を含む環式基であり、ただし、該脂肪環はＬｄ
０１
と結合しており、該環式基の炭素原子数は１０～２５であり；Ｃｙ２は、ベンゼン環又はナフタレン環であり；Ｘｄ
０１
はヨウ素原子又は臭素原子であり；Ｒｄ
０１
及びＲｄ
０２
は、それぞれ独立に、ヨウ素原子及び臭素原子以外の置換基であり；Ｌｄ
０１
は、２価の連結基であり；Ｌｄ
０２
は、２価の連結基又は単結合であり；ｍ０１は、原子価が許容する限り、１以上の整数であり；ｎ０１及びｎ０２は、それぞれ独立に、原子価が許容する限り、０以上の整数であり；Ｍｍｄ
＋
は、有機カチオンであり；ｍｄは、１以上の整数である。］
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記一般式（ｄ０－１）中、Ｃｙ１は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ｄ０－１）中、Ｃｙ１は置換基を有してもよい多環脂肪族炭化水素基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
支持体上に、請求項１に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項５】
下記一般式（ｄ０－１）で表される化合物（Ｄ０）。
TIFF
2025027484000090.tif
57
170
［式中、Ｃｙ１は、置換基を有してもよい、脂肪環を含む環式基であり、ただし、該脂肪環はＬｄ
０１
と結合しており、該環式基の炭素原子数は１０～２５であり；Ｃｙ２は、ベンゼン環又はナフタレン環であり；Ｘｄ
０１
はヨウ素原子又は臭素原子であり；Ｒｄ
０１
及びＲｄ
０２
は、それぞれ独立に、ヨウ素原子及び臭素原子以外の置換基であり；Ｌｄ
０１
は、２価の連結基であり；Ｌｄ
０２
は、２価の連結基又は単結合であり；ｍ０１は、原子価が許容する限り、１以上の整数であり；ｎ０１及びｎ０２は、それぞれ独立に、原子価が許容する限り、０以上の整数であり；Ｍｍｄ
＋
は、有機カチオンであり；ｍｄは、１以上の整数である。］
【請求項６】
前記一般式（ｄ０－１）中、Ｃｙ１は置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記一般式（ｄ０－１）中、Ｃｙ１は置換基を有してもよい多環脂肪族炭化水素基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項８】
請求項５～７のいずれか一項に記載の化合物を含有する酸拡散制御剤。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、及び酸拡散制御剤に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。これに対し、酸発生剤成分とともに、露光により酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する、酸拡散制御剤を併用する化学増幅型レジスト組成物が提案されている。
例えば、特許文献１には、アニオン部にヒドロキシ基が２個以上結合した芳香環を有するカルボン酸塩からなる光崩壊性塩基を酸拡散制御剤成分として含有するレジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－９１４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進み、急速にパターンの微細化が進んでいる。そして、これに伴い、半導体素子等を製造する際には、微細なパターンを良好な形状で形成できる技術が求められる。例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高感度化が図れ、かつ、ＬＷＲが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物の製造に利用可能な化合物、及び該化合物を含有する酸拡散制御剤を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）と、下記一般式（ｄ０－１）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有する、レジスト組成物である。
【０００９】
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2025027484000001.tif
57
170
［式中、Ｃｙ１は、置換基を有してもよい、脂肪環を含む環式基であり、ただし、該脂肪環はＬｄ
０１
と結合しており、該環式基の炭素原子数は１０～２５であり；Ｃｙ２は、ベンゼン環又はナフタレン環であり；Ｘｄ
０１
はヨウ素原子又は臭素原子であり；Ｒｄ
０１
及びＲｄ
０２
は、それぞれ独立に、ヨウ素原子及び臭素原子以外の置換基であり；Ｌｄ
０１
は、２価の連結基であり；Ｌｄ
０２
は、２価の連結基又は単結合であり；ｍ０１は、原子価が許容する限り、１以上の整数であり；ｎ０１及びｎ０２は、それぞれ独立に、原子価が許容する限り、０以上の整数であり；Ｍｍｄ
＋
は、有機カチオンであり；ｍｄは、１以上の整数である。］
【００１０】
本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有するレジストパターン形成方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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