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公開番号2024147453
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-16
出願番号2023060486
出願日2023-04-03
発明の名称チップ抵抗器の製造方法
出願人太陽社電気株式会社
代理人個人
主分類H01C 17/12 20060101AFI20241008BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】スパッタリング法により側面電極を製造する際に、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供する。
【解決手段】保護膜形成工程において、保護膜G18を形成した後に、保護膜G18の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ突状保護膜G20を形成し(突状保護膜形成工程)、その後、一次分割することにより形成された短冊状基板1’を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成し(金属薄膜形成工程)、その後、二次分割工程とメッキ工程を行なってチップ抵抗器を製造する。製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されている。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、
基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、
抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するために抵抗体の上面にカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、
抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、
抵抗値調整工程の後に、少なくとも平面視における抵抗体の領域をカバーするように保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
保護膜の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ保護膜の上面よりも上方に突出した突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程で、電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に突状保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における突状保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、
短冊状基板を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、
側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、
を有し、
製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
続きを表示（約 240 文字）【請求項２】
抵抗値調整工程において、トリミング溝を、平面視において突状保護膜を形成する一対の領域の間の領域に形成し、平面視において突状保護膜を形成する領域にはトリミング溝を形成しないことを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
金属薄膜形成工程において、短冊状基板を積層させた状態では、突状保護膜と該突状保護膜の上側の短冊状基板における下面電極が密着した状態となることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、小型チップ抵抗器の側面電極を形成する方法として、一次分割後の短冊を積み重ねた後にスパッタリング法により側面電極を形成する際に、保護膜へのスパッタの回り込みを防止するため、フォトリソ法によりマスクを形成する方法が知られている（特許文献１）。
【０００３】
すなわち、特許文献１にあるように、ネガタイプのレジストの場合には、レジストを塗布・乾燥した後に、フォトマスクを使用して露光を行ない、露光に際して光が照射されずに未硬化の部分を薬品で溶解して除去して（つまり、現像する）、残ったレジストによりマスクを形成し、一次分割を行って、スパッタリング法により金属薄膜を形成する。その後、二次分割した後に、レジストを薬品により剥離する。
【０００４】
また、ポジタイプのレジストの場合には、レジストを塗布・乾燥した後に、フォトマスクを使用して露光を行ない、露光により光が照射された部分を薬品で溶解して除去して（つまり、現像する）、残ったレジストによりマスクを形成し、一次分割を行って、スパッタリング法により金属薄膜を形成する。その後、二次分割した後に、レジストを薬品により剥離する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－１０３８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記の方法では、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行ない、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行わなければならず、多くの製造工程を必要とする問題があった。
【０００７】
そこで、チップ抵抗器の製造に際して、スパッタリング法により側面電極を製造する際に、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができるチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の下面に下面電極を形成する下面電極形成工程と、基板素体の上面側に、抵抗体と上面電極の各形成部材を形成する形成部材形成工程と、抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するために抵抗体の上面にカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、抵抗値調整工程の後に、少なくとも平面視における抵抗体の領域をカバーするように保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角の方向である電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜の上面における電極間方向の両側の端部領域にそれぞれ保護膜の上面よりも上方に突出した突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程で、電極間直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に突状保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における突状保護膜の電極間直角方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように突状保護膜を形成する突状保護膜形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割して複数の短冊状基板を形成する一次分割工程と、短冊状基板を積層させた状態で、スパッタリング法により側面電極としての金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、を有し、製造されたチップ抵抗器においては、突状保護膜の電極間方向における外側の領域に側面電極及びメッキが形成されていることを特徴とする。
【０００９】
これにより、突状保護膜を設ける工程を追加するのみで、保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができ、一次分割前にレジストの塗布・乾燥、露光、現像の各工程を行なったり、さらに、二次分割後にレジストを剥離する工程を行なう必要もなく、少ない工程で保護膜へのスパッタの回り込みを防止することができる。
【００１０】
また、第２には、上記第１の構成において、抵抗値調整工程において、トリミング溝を、平面視において突状保護膜を形成する一対の領域の間の領域に形成し、平面視において突状保護膜を形成する領域にはトリミング溝を形成しないことを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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