TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2024131665
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023042078
出願日2023-03-16
発明の名称合成ダイヤモンドの製造方法
出願人CARBONE ALCHEMY株式会社
代理人個人,個人
主分類C30B 29/04 20060101AFI20240920BHJP(結晶成長)
要約【課題】特定のドーパントを加えることなく複数の色彩を有し、見る角度によって異なる色調を楽しめる合成ダイヤモンドを提供する。
【解決手段】本発明は、貝殻を焼成して炭素酸化物ガスを得る工程と、炭素酸化物ガスと水素とを反応させてメタン含有ガスを得る工程と、メタン含有ガスと水素含有ガスとを含む反応ガスを化学気相蒸着により活性化し、活性化された反応ガスを用いてダイヤモンド種結晶を成長させることで合成ダイヤモンドを得る工程とを含む、合成ダイヤモンドの製造方法である。化学気相蒸着は、マイクロ波プラズマ法であることが好ましく、貝殻は、ホウ素成分及び/又はリン成分を含有することが好ましい。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
貝殻を焼成して炭素酸化物ガスを得る工程と、
前記炭素酸化物ガスと水素とを反応させてメタン含有ガスを得る工程と、
前記メタン含有ガスと水素含有ガスとを含む反応ガスを化学気相蒸着により活性化し、活性化された反応ガスを用いてダイヤモンド種結晶を成長させることで合成ダイヤモンドを得る工程と、
を含む、合成ダイヤモンドの製造方法。
続きを表示(約 100 文字)【請求項2】
前記化学気相蒸着がマイクロ波プラズマ法である、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記貝殻がホウ素成分及び/又はリン成分を含有する請求項1又は2に記載の方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、合成ダイヤモンドの製造方法に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
従来より、合成ダイヤモンドの製造技術が広く知られており、例えば、高温高圧法によりダイヤモンド基盤を形成するダイヤモンド基盤形成工程と、化学気相蒸着法により前記ダイヤモンド基盤上にダイヤモンド結晶を成長させる第1ダイヤモンド結晶成長工程と、前記工程において成長させた前記ダイヤモンド結晶の次に成長させたい表面を研磨するダイヤモンド結晶研磨工程と、前記工程において研磨された前記表面上に、化学気相蒸着法により次のダイヤモンド結晶を成長させる第2ダイヤモンド結晶成長工程とを備える多色ダイヤモンドの製造方法が提案されている(特許文献1参照)。この方法は、前記ダイヤモンド結晶研磨工程及び前記第2ダイヤモンド結晶成長工程は、所望の回数繰り返され、前記化学気相蒸着法における水素及びメタンの混合ガスは、周期表における第1周期から第3周期までの元素、チタン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、タングステン、及び、イリジウムからなる一群から選択された少なくとも1種類の元素からなるドーパントが含有されている。ドーパントとは、製品にドーピングされる不純物のことである。
【0003】
特許文献1に記載の方法によると、1つのダイヤモンドにおいて、複数の色彩を有し、見る角度によって異なる色調を楽しめる多色ダイヤモンドを提供することができる。
【0004】
また、合成ダイヤモンドは、宝飾品用途に用いられるのはもちろんのこと、硬さ、熱伝導性、化学的安定性及び透光性に優れることから、超精密加工用バイト、線引きダイス、ドレッサー、医療用ナイフ等の加工工具や耐摩工具のほか、ヒートシンク、ボンディングツール、各種窓材や超高圧アンビル等といった工業用途に広く用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2022-001536号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献1に記載の方法では、化学気相蒸着法によりダイヤモンド基盤上にダイヤモンド結晶を成長させる第1及び第2のダイヤモンド結晶成長工程において、水素及び炭素源物質の混合ガスを原料とする。一般に、炭素源物質としてメタンガスが用いられるが、当該メタンガスは、工場等から排出されるCO

を回収して得られる。そのため、特許文献1に記載の方法のように、混合ガスに、周期表における第1周期から第3周期までの元素、チタン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、タングステン、及び、イリジウムからなる一群から選択された少なくとも1種類の元素からなるドーパントを加えなければ、複数の色彩を有し、見る角度によって異なる色調を楽しめる多色ダイヤモンドを提供することができない。
【0007】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、上記ドーパントを加えることなく複数の色彩を有し、見る角度によって異なる色調を楽しめる合成ダイヤモンドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、貝殻を原料にすることで上述したドーパントを加えないで多様な色彩に富んだ合成ダイヤモンドを単に提供できるにとどまらず、本来であれば廃棄物として処理される貝殻を有価物として再利用でき、持続可能な開発目標(SDGs:Sustainable Development Goals)にも資することを見出し、本発明を完成するに至った。具体的に、本発明では、以下のようなものを提供する。
【0009】
第1の特徴に係る発明は、貝殻を焼成して炭素酸化物ガスを得る工程と、前記炭素酸化物ガスと水素とを反応させてメタン含有ガスを得る工程と、前記メタン含有ガスと水素含有ガスとを含む反応ガスを化学気相蒸着により活性化し、活性化された反応ガスを用いてダイヤモンド種結晶を成長させることで合成ダイヤモンドを得る工程と、を含む、合成ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【0010】
第2の特徴に係る発明は、第1の特徴に係る発明であって、前記化学気相蒸着がマイクロ波プラズマ法である方法を提供する。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

株式会社SUMCO
石英ガラスルツボ
2か月前
三菱ケミカル株式会社
窒化ガリウム基板
25日前
ユニオンマテリアル株式会社
単結晶ウエハー及びその製造方法
28日前
国立大学法人山口大学
半導体基板及びその製造方法
1か月前
イビデン株式会社
炭化ケイ素繊維状物質の製造方法
今日
イビデン株式会社
炭化ケイ素繊維状物質の製造方法
今日
CARBONE ALCHEMY株式会社
合成ダイヤモンドの製造方法
4日前
環球晶圓股分有限公司
エピタキシャル構成及びその製造方法
14日前
株式会社プロテリアル
炭化ケイ素エピタキシャル基板
2か月前
国立大学法人京都大学
合成ダイヤモンドの製造方法およびセンサ素子
1か月前
住友化学株式会社
窒化物結晶成長用種基板、窒化物結晶基板の製造方法、および剥離中間体
1か月前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法
1か月前
Patentix株式会社
結晶膜、積層構造体、半導体装置、電子機器、システム及び製造方法
4日前
Patentix株式会社
結晶膜、積層構造体、半導体装置、電子機器、システム及び製造方法
4日前
サイクリスタル ゲーエムベーハー
少なくとも1つの単結晶を成長させる昇華システムおよび方法
3日前
国立大学法人東北大学
AlN単結晶の製造方法およびAlN単結晶
1か月前
サイクリスタル ゲーエムベーハー
半導体材料の少なくとも1つの単結晶を成長させる昇華システム及び方法
3日前
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
半導体膜の製造方法、結晶積層構造体、及び半導体デバイス
25日前
株式会社SUMCO
シリコン単結晶の評価方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
1か月前
国立大学法人千葉大学
結晶材料のスライシング方法、ウェーハの製造方法、および結晶材料からなる部材
今日
住友金属鉱山株式会社
SiC半導体装置用基板、SiC接合基板、SiC多結晶基板およびSiC多結晶基板の製造方法
28日前
学校法人立命館
半導体結晶膜の製造方法
1か月前
サイクリスタル ゲーエムベーハー
高品質の半導体単結晶を製造するためのシステム、および高品質の半導体単結晶を製造する方法
24日前
サイクリスタル ゲーエムベーハー
高品質の半導体単結晶を製造するためのシステム、および高品質の半導体単結晶を製造する方法
1か月前
三菱ケミカル株式会社
GaN結晶および基板
29日前
株式会社超高温材料研究センター
共晶セラミックス繊維およびその集合体
1か月前
ウルフスピード インコーポレイテッド
大口径炭化ケイ素ウェハ
1か月前
信越半導体株式会社
3C-SiC単結晶エピタキシャル基板の製造方法、3C-SiC自立基板の製造方法、及び3C-SiC単結晶エピタキシャル基板
2か月前
パナソニックホールディングス株式会社
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法
1か月前
国立大学法人 東京大学
サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。
22日前
エスエルティー テクノロジーズ インコーポレイテッド
窒化物結晶成長のための超高純度鉱化剤及び改良された方法
1か月前
国立研究開発法人産業技術総合研究所
金属イオンでドープされた六方晶窒化ホウ素膜とその作製方法、および六方晶窒化ホウ素膜を有する半導体素子と電子デバイス
1か月前
フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
AIII-BV単結晶またはウエハ
1か月前
株式会社ディスコ
デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンド、デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子、およびデトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子の製造方法
14日前
公益財団法人東洋食品研究所
五環性トリテルペノイドの製造方法
22日前
株式会社村田製作所
フィルタ装置
1か月前
続きを見る