TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024140584
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023051776
出願日2023-03-28
発明の名称原料チャージ補助具
出願人株式会社SUMCO
代理人個人,個人
主分類C30B 29/06 20060101AFI20241003BHJP(結晶成長)
要約【課題】適切な粒径を持つシリコン原料のチャージ管内へのチャージを容易にし、微粉のチャージを極力阻止することが可能な原料チャージ補助具を提供する。
【解決手段】本発明による原料チャージ補助具1は、単結晶引き上げ装置内に粒状のシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためのチャージ管に対して着脱自在であり、チャージ管内にシリコン原料をチャージするための道具であって、石英製の略板状の部材からなり、シリコン原料の流路を構成するスライダー10を備えている。スライダー10の先端部にはチャージ管の開口内に挿入される管状の差込部13が設けられ、スライダー10には表面から背面まで貫通する複数の貫通部が設けられている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項1】
単結晶引き上げ装置内に粒状のシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためのチャージ管に対して着脱自在であり、前記チャージ管内に前記シリコン原料をチャージする原料チャージ補助具であって、
石英製の略板状の部材からなり、前記シリコン原料の流路を構成するスライダーを備え、
前記スライダーの先端部には前記チャージ管の開口内に挿入される管状の差込部が設けられ、前記スライダーには表面から背面まで貫通する複数の貫通部が設けられていることを特徴とする原料チャージ補助具。
続きを表示(約 700 文字)【請求項2】
前記貫通部はスリットである、請求項1に記載の原料チャージ補助具。
【請求項3】
前記スリットの幅が3~10mmである、請求項2に記載の原料チャージ補助具。
【請求項4】
前記貫通部は丸穴である、請求項1に記載の原料チャージ補助具。
【請求項5】
前記丸穴の直径が3~10mmである、請求項4に記載の原料チャージ補助具。
【請求項6】
前記スライダーは、
湾曲面を有する細長い略板状の部材からなるメインガイド部と、
前記メインガイド部の幅方向の一方の端部に設けられ、前記メインガイド部に向かって下りの傾斜面を有する第1ウィング部と、
前記メインガイド部の幅方向の他方の端部に設けられ、前記メインガイド部に向かって下りの傾斜面を有する第2ウィング部とを備え、
前記貫通部は前記メインガイド部、前記第1ウィング部及び前記第2ウィング部にそれぞれ設けられている、請求項1に記載の原料チャージ補助具。
【請求項7】
前記スライダーの背面側に着脱自在に設けられ、前記貫通部から落下した原料粉の受け皿となるバックプレートをさらに備える、請求項1に記載の原料チャージ補助具。
【請求項8】
前記バックプレートには排気口が設けられている、請求項7に記載の原料チャージ補助具。
【請求項9】
前記スライダーの背面には取っ手が設けられており、
前記バックプレートには前記取っ手を貫通させる開口が設けられている、請求項7に記載の原料チャージ補助具。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、チョクラルスキー法(以下、「CZ法」という)によるシリコン単結晶の製造で用いられる、チャージ管内に多結晶シリコン原料をチャージする際に用いられる原料チャージ補助具に関するものである。
続きを表示(約 2,200 文字)【背景技術】
【0002】
CZ法によるシリコン単結晶の製造方法としてマルチプリング法が知られている。マルチプリング法では、シリコン単結晶を引き上げた後、同一の石英ルツボ内にシリコン原料を追加供給(リチャージ)して融解し、得られたシリコン融液からシリコン単結晶の引き上げを行い、このような原料供給工程と単結晶引き上げ工程を繰り返すことにより、一つの石英ルツボから複数本のシリコン単結晶を製造する。マルチプリング法によれば、シリコン単結晶一本当たりの石英ルツボの原価コストを低減することが可能である。またチャンバーを解体して石英ルツボを交換する頻度を低減できるため、操業効率を向上させることが可能である。
【0003】
シリコン原料の追加供給は、一つの石英ルツボから一本のシリコン単結晶だけを製造するいわゆるシングルプリング法においても行われる場合がある。石英ルツボ内に初期チャージされた固体のシリコン原料を融解すると体積が減少して空き容量が発生するが、この石英ルツボ内にシリコン原料を追加チャージし、多量のシリコン融液から単結晶を引き上げることにより、長尺なシリコン単結晶を育成することができ、これにより操業効率を向上させることができる。
【0004】
上述したマルチプリング法においてシリコン原料をマルチ投入するリチャージ工程や石英ルツボ内の原料充填率を上げるための追加チャージ工程では、チャージ管と呼ばれる特別な原料供給装置が用いられる(特許文献1、2参照)。チャージ管は石英製の円筒状の容器であり、チャージ管の下端に設けられた底蓋を開いてチャージ管内のシリコン原料を落下させることによりシリコン原料を単結晶引き上げ装置内の石英ルツボ内にチャージする。
【0005】
チャージ管を用いて単結晶引き上げ装置内にシリコン原料をリチャージ又は追加チャージするためには、まずチャージ管内にシリコン原料をチャージしなければならない。チャージ管内にシリコン原料をチャージする際に治具として、例えば特許文献3には、チャージ管の開口に取り付けられ、シリコン原料をチャージ管内に流し込むようにガイドする原料チャージ補助具が記載されている。この原料チャージ補助具は、少なくともシリコン原料と接触する部分が石英からなり、シリコン原料の流路を構成するメインガイド部を備えている。原料チャージ補助具を使用することにより、シリコン原料をチャージする際にチャージ管にシリコン原料がこぼれにくく、またチャージ管に付属の部品がシリコン原料のチャージに対する妨げとならず、シリコン原料をチャージしやすく、さらにはシリコン原料の汚染を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2006-089294号公報
特開2008-088002号公報
特開2017-202947号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
リチャージ又は追加チャージに用いられるシリコン原料は、平均粒径が40~50mm程度のチャンクと呼ばれる不定形の塊粒状シリコンであり、多量のシリコン粒をチャージ管内に流し込むことにより、チャージ管内へのシリコン原料のチャージが行われる。
【0008】
塊粒状シリコンは所定サイズごとに袋詰めされた状態で納品されるが、塊粒状シリコンは多結晶シリコンロッドを破砕することにより製造されるため、鋭利な角部を有する形状を呈しており、袋詰めされた塊粒状シリコン原料を輸送中に塊粒状シリコン同士が衝突したり擦れたりして袋内に微粉が不可避的に発生する。また、特許文献3で示されるようなチャージ補助具上に塊粒状シリコンを落下投入させた際にも、落下衝撃により塊粒状シリコンが割れてしまい、原料微粉が発生する。そのため、シリコン原料をそのままチャージ管内にチャージすると、シリコンの微粉もチャージ管内にチャージされてしまうことになる。
本発明者の実験によれば、チャージ管内のシリコン原料が多量の微粉を含む場合、チャージ管内のシリコン原料を石英ルツボの上方から落下させて石英ルツボ内にリチャージ又は追加チャージする際、微粉が空中に舞い上がってしまい、石英ルツボよりも上方に位置する炉内構造物(特に熱遮蔽体の内面)に付着することが確認された。炉内構造物に付着したシリコン微粉は、その後、単結晶育成中にシリコン融液表面上に落下し、シリコン微粉がシリコン融液に溶け込む前に固液界面に取り込まれた場合、シリコン単結晶の有転位化、或いは双晶形成の原因となる。
【0009】
このため、チャージ管内に微粉が取り込まれないように、シリコン原料中から微粉を除去する必要があるが、人の手作業でシリコン微粉(~数mm)のみを除去することは困難である。
【0010】
本発明は、追加チャージやリチャージを行う際、シリコン微粉の供給が単結晶への有転位化の原因となるという知見に基づき完成された発明であり、本発明の目的は、適切な粒径を持つシリコン原料のチャージ管内へのチャージを容易にし、微粉のチャージを極力阻止することが可能な原料チャージ補助具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

住友化学株式会社
窒化ガリウム単結晶基板
2か月前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶製造装置
20日前
住友金属鉱山株式会社
FeGa合金単結晶の製造方法
3か月前
株式会社プロテリアル
単結晶製造装置
3か月前
株式会社信光社
光学部品および光学部品の製造方法
29日前
国立大学法人豊橋技術科学大学
ダイヤモンド構造体の集積方法
20日前
パナソニックホールディングス株式会社
III族窒化物半導体基板
1か月前
株式会社SUMCO
シリコンウェーハ及びその製造方法
1か月前
SECカーボン株式会社
SiC単結晶製造装置
7日前
SECカーボン株式会社
結晶成長装置の設計方法
1日前
株式会社クリスタルシステム
相平衡状態図の作成方法
28日前
株式会社プロテリアル
単結晶製造方法および単結晶製造装置
2か月前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶製造装置及びシリコン単結晶の製造方法
13日前
国立大学法人長岡技術科学大学
製造装置
2か月前
株式会社プロテリアル
炭化ケイ素単結晶の製造方法
28日前
信越半導体株式会社
GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
20日前
国立大学法人長岡技術科学大学
断熱材及び製造装置
2か月前
住友金属鉱山株式会社
ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法、及びARグラス
1か月前
株式会社SUMCO
シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置
3か月前
株式会社レゾナック
SiCエピタキシャルウェハ
3か月前
信越半導体株式会社
SiC基板の製造方法、半導体装置の製造方法、SiC基板、及び半導体装置。
1か月前
株式会社オキサイド
テルビウム・ガリウム・ガーネット単結晶およびその製造方法ならびにファラデー回転子
1か月前
株式会社SUMCO
加熱装置、シリコン単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法
1か月前
信越化学工業株式会社
積層構造体及び半導体装置
29日前
環球晶圓股ふん有限公司
ウェハ
14日前
株式会社SUMCO
熱遮蔽体位置決め治具、熱遮蔽体位置決め方法、および、シリコン単結晶の製造方法
2か月前
大陽日酸株式会社
結晶膜の製造方法、気相成長装置、及びβ-酸化ガリウム結晶膜
2か月前
住友金属鉱山株式会社
SiC半導体装置用基板、SiC接合基板、SiC多結晶基板およびSiC多結晶基板の製造方法
2か月前
株式会社デンソー
炭化珪素単結晶およびその製造方法
3か月前
株式会社C&A
結晶製造方法及び結晶製造装置
23日前
株式会社サイコックス
単結晶SiCエピタキシャル成長膜の成膜方法、半導体デバイスの製造方法、複合基板および半導体デバイス
28日前
エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ.ブイ.
多結晶シリコンカーバイド基板及びその製造方法
3か月前
ルミジエヌテック カンパニー リミテッド
分離可能半導体基板の製造方法、およびその方法で製造された分離可能半導体基板、薄膜素子および複合素子
1日前
ウルフスピード インコーポレイテッド
結晶学的応力が低減した大寸法炭化ケイ素単結晶材料
今日
三菱ケミカル株式会社
n型GaN結晶、GaNウエハ、ならびに、GaN結晶、GaNウエハおよび窒化物半導体デバイスの製造方法
2か月前
エスアイクリスタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
SiCバルク単結晶の製造方法及びその成長装置
3か月前
続きを見る