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公開番号2025056589
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023166161
出願日2023-09-27
発明の名称半導体基板およびその製造方法
出願人株式会社プロテリアル
代理人弁理士法人筒井国際特許事務所
主分類C30B 29/36 20060101AFI20250401BHJP(結晶成長)
要約【課題】半導体基板の信頼性を向上する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、(a)表面、表面の反対側に位置する裏面、表面と繋がる第1傾斜部および裏面と繋がる第2傾斜部とを有する基板を準備する工程、(b)表面上および第1傾斜部上にエピタキシャル層を形成する工程、(c)(b)工程の後、裏面を研磨する工程、(d)(c)工程の後、第1傾斜部を研削する工程、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面と、
前記第１主面の反対側に位置する第２主面と、
前記第１主面と繋がる第１傾斜部と、
前記第２主面と繋がる第２傾斜部と、
を備える、半導体基板であって、
前記第１傾斜部の表面粗さは、前記第２傾斜部の表面粗さよりも小さい、半導体基板。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体基板において、
前記第１傾斜部の表面粗さは、２００ｎｍ未満である。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体基板において、
前記第１傾斜部の表面粗さは、１ｎｍ未満である。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体基板において、
前記第１主面と前記第１傾斜部とのなす角度を第１傾斜角とし、
前記第２主面と前記第２傾斜部とのなす角度を第２傾斜角とする場合、
前記第１傾斜角は、前記第２傾斜角よりも小さい。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体基板において、
前記半導体基板の厚みをｔ（μｍ）とし、
前記第１傾斜角の値をθ（°）とする場合、
θ≧０．０４ｔ＋０．３
の関係が成立する。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体基板において、
前記半導体基板は、前記第１主面上に形成されたエピタキシャル層を有する。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体基板において、
前記半導体基板は、炭化珪素基板である。
【請求項８】
（ａ）第１主面、前記第１主面の反対側に位置する第２主面、前記第１主面と繋がる第１傾斜部および前記第２主面と繋がる第２傾斜部とを有する基板を準備する工程、
（ｂ）前記第１主面上および前記第１傾斜部上にエピタキシャル層を形成する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第２主面を研磨する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１傾斜部を研削する工程、
を備える、半導体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体基板の製造方法において、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１主面上に形成されている前記エピタキシャル層を除去する工程、を有する。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程の後において、前記第１傾斜部の表面粗さは、２００ｎｍ未満である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板およびその製造技術に関し、例えば、端部に傾斜部を有する半導体基板およびその製造技術に適用して有効な技術に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０２０－１１８５３号公報（特許文献１）には、炭化珪素エピタキシャル基板を再生する過程での割れ、または、欠けなどの発生を抑制できる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１１８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、基板の端部においては、基板の処理過程で、割れ、あるいは、欠けなどが発生しやすい。このため、基板の端部に「べべリング部」と呼ばれる傾斜部を形成することにより、基板の端部での割れ、あるいは、欠けの発生を抑制することが行われている。
【０００５】
この点に関し、本発明者は、「べべリング部」を形成するだけでは、基板上に形成される半導体デバイスの不良発生を低減する観点から充分ではないことを見出している。したがって、半導体デバイスの不良を低減するために、さらなる工夫が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態における基板は、第１主面と、第１主面の反対側に位置する第２主面と、第１主面と繋がる第１傾斜部と、第２主面と繋がる第２傾斜部と、を備える。ここで、第１傾斜部の表面粗さは、第２傾斜部の表面粗さよりも小さい。
【０００７】
一実施の形態における基板の製造方法は、（ａ）第１主面、第１主面の反対側に位置する第２主面、第１主面と繋がる第１傾斜部および第２主面と繋がる第２傾斜部とを有する基板を準備する工程、（ｂ）第１主面上および第１傾斜部上にエピタキシャル層を形成する工程、（ｃ）（ｂ）工程の後、第２主面を研磨する工程、（ｄ）（ｃ）工程の後、第１傾斜部を研磨する工程、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
一実施の形態によれば、半導体デバイスの不良を低減する基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態における再生基板の製造工程を示す図である。
図１に続く再生基板の製造工程を示す図である。
図２に続く再生基板の製造工程を示す図である。
図３に続く再生基板の製造工程を示す図である。
図４に続く再生基板の製造工程を示す図である。
再生基板の構造を示す図である。
傾斜部の傾斜角と再生基板の厚さの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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