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公開番号2025040286
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-24
出願番号2023147110
出願日2023-09-11
発明の名称ウエーハ及びその製造方法
出願人株式会社東芝
代理人弁理士法人iX
主分類C30B 29/36 20060101AFI20250314BHJP(結晶成長)
要約【課題】安定した特性を得ることができるウエーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ウエーハは、SiCを含む基板と、SiCを含む第1層と、を含む。前記第1層は、前記基板と接する。前記第1層は、Crを含む。前記基板はCrを含まない。または、前記基板におけるCrの濃度は前記第1層におけるCrの濃度よりも低い。前記基板から前記第1層への第1方向と交差する第1直線に沿う前記基板の基板長は、前記第1直線に沿う前記第1層の第1層長よりも長い。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
ＳｉＣを含む基板と、
ＳｉＣを含む第１層と、
を備え、
前記第１層は、前記基板と接し、
前記第１層は、Ｃｒを含み、
前記基板はＣｒを含まない、または、前記基板におけるＣｒの濃度は前記第１層におけるＣｒの濃度よりも低く、
前記基板から前記第１層への第１方向と交差する第２方向における前記基板の基板長は、前記第２方向における前記第１層の第１層長よりも長い、ウエーハ。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記基板は、第１領域と、第２領域と、を含み、
前記第２領域は、前記第１方向と交差する平面において、前記第１領域の周り設けられ、
前記第１領域は、前記第１方向において前記第１層と重なり、
前記第２領域の少なくとも一部は、前記第１方向において前記第１層と重ならない、請求項１に記載のウエーハ。
【請求項３】
ＳｉＣを含む第２層をさらに備え、
前記第１層は、前記第１方向において、前記基板と、前記第２層の少なくとも一部と、の間に設けられ、
前記第２層はＣｒを含まない、または、前記第２層におけるＣｒの濃度は前記第１層におけるＣｒの濃度よりも低い、請求項１または２に記載のウエーハ。
【請求項４】
前記第２層の少なくとも一部は、ＳｉＣの単結晶を含む、請求項３に記載のウエーハ。
【請求項５】
前記第１領域における第１Ｓｉ原子濃度の、前記第１領域における第１Ｃ原子濃度に対する第１比は、前記第１層における第１層Ｓｉ原子濃度の、前記第１層における第１層Ｃ原子濃度に対する比よりも高い、請求項２に記載のウエーハ。
【請求項６】
前記第１領域における第１Ｓｉ原子濃度の、前記第１領域における第１Ｃ原子濃度に対する第１比は、前記第２領域における第２Ｓｉ原子濃度の、前記第２領域における第２Ｃ原子濃度に対する第２比よりも高い、請求項２に記載のウエーハ。
【請求項７】
ＳｉＣを含む基板と、
ＳｉＣを含む第１層と、
を備え、
前記第１層は、前記基板と接し、
前記第１層は、Ｃｒを含み、
前記基板は、第１領域と、第２領域と、を含み、
前記第２領域は、前記基板から前記第１層への第１方向と交差する平面において、前記第１領域の周り設けられ、
前記第１領域における第１Ｓｉ原子濃度の、前記第１領域における第１Ｃ原子濃度に対する第１比は、前記第１層における第１層Ｓｉ原子濃度の、前記第１層における第１層Ｃ原子濃度に対する比よりも高い、ウエーハ。
【請求項８】
ＳｉＣを含む基板に、ＳｉＣを含む構造体を接合し、前記構造体は、Ｃｒを含み、前記基板はＣｒを含まない、または、前記基板におけるＣｒの濃度は前記構造体におけるＣｒの濃度よりも低く、
前記構造体の外縁部の少なくとも一部を除去する処理を実施して前記構造体から第１層を形成し、前記基板の一部を露出させる、ウエーハの製造方法。
【請求項９】
前記接合の後で前記処理の前に、前記構造体の一部を除去して、前記構造体を薄くする、請求項８に記載のウエーハの製造方法。
【請求項１０】
ＳｉＣを含む第１領域部材の周りに、ＳｉＣを含む第２領域部材を形成して基板を形成し、前記第１領域部材における第１Ｓｉ原子濃度の、前記第１領域部材における第１Ｃ原子濃度に対する第１比は、前記第２領域部材における第２Ｓｉ原子濃度の、前記第２領域部材における第２Ｃ原子濃度に対する第２比よりも高く、
前記基板と、ＳｉＣを含む構造体と、を接合し、前記第２領域部材は、前記構造体と対向する対向領域を含み、
前記構造体の外縁部の少なくとも一部を除去する処理を実施して前記構造体から第１層を形成し、前記対向領域の少なくとも一部を露出させる、ウエーハの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ウエーハ及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、ＳｉＣウエーハにより半導体装置などが製造される。ウエーハ及び半導体装置において、安定した特性が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第５０１４７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、安定した特性を得ることができるウエーハ及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、ウエーハは、ＳｉＣを含む基板と、ＳｉＣを含む第１層と、を含む。前記第１層は、前記基板と接する。前記第１層は、Ｃｒを含む。前記基板はＣｒを含まない。または、前記基板におけるＣｒの濃度は前記第１層におけるＣｒの濃度よりも低い。前記基板から前記第１層への第１方向と交差する第１直線に沿う前記基板の基板長は、前記第１直線に沿う前記第１層の第１層長よりも長い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的断面図である。
図２は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的平面図である。
図３は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的断面図である。
図４は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的断面図である。
図５は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的断面図である。
図６は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示するフローチャートである。
図７は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的断面図である。
図８は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的断面図である。
図９は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的断面図である。
図１０は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的断面図である。
図１１は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示するフローチャートである。
図１２は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的斜視図である。
図１３は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的斜視図である。
図１４は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的斜視図である。
図１５は、第２実施形態に係るウエーハの製造方法を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的断面図である。
図２は、第１実施形態に係るウエーハを例示する模式的平面図である。
図１は、図２のＡ１－Ａ２線断面である。
図１に示すように、実施形態に係るウエーハ１１０は、ＳｉＣを含む基板５０と、ＳｉＣを含む第１層１０と、を含む。
【０００８】
第１層１０は、基板５０と接する。第１層１０は、Ｃｒを含む。基板５０はＣｒを含まない。または、基板５０におけるＣｒの濃度は、第１層１０におけるＣｒの濃度よりも低い。
【０００９】
基板５０から第１層１０への第１方向Ｄ１をＺ軸方向する。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。基板５０及び第１層１０は、Ｘ－Ｙ平面に実質的に沿って広がる。第１層１０の基板５０に対向する面は、Ｘ－Ｙ平面に実質的に平行である。
【００１０】
図２に示すように、第１方向Ｄ１と交差する第１直線Ｌｎ１に沿う基板５０の長さを基板長Ｌ５０とする。１つの例において、基板長Ｌ５０は、例えば、基板５０の径に対応する。第１直線Ｌｎ１に沿う第１層１０の長さを第１層長Ｌ１０とする。１つの例において、第１層長Ｌ１０は、第１層１０の径に対応する。実施形態において、基板長Ｌ５０は、第１層長Ｌ１０よりも長い。第１直線Ｌｎ１は、第２方向Ｄ２に沿う。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｘ軸方向で良い。
（【００１１】以降は省略されています）

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