特許ウォッチ

公開番号2025082550
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-29
出願番号2023195964
出願日2023-11-17
発明の名称処理装置および方法
出願人株式会社C&A,国立大学法人東北大学
代理人個人
主分類C30B 15/08 20060101AFI20250522BHJP(結晶成長)
要約【課題】原料が供給されている液体における均一性が得られるようにする。
【解決手段】高周波照射手段101は、容器121に収容された液体122に高周波を照射する。供給手段102は、液体122に原料を供給する。周波数測定手段103は、高周波照射手段101が照射した高周波の周波数を測定する。制御手段104は、周波数測定手段103が測定した周波数における一周期毎の振幅最大値および振幅最小値に基づく基準値の変化率に応じて、供給手段102による原料の供給を制御する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
容器に収容された液体に高周波を照射する高周波照射手段と、
前記液体に原料を供給する供給手段と、
前記高周波照射手段が照射した高周波の周波数を測定する周波数測定手段と、
前記周波数測定手段が測定した周波数における一周期毎の振幅最大値および振幅最小値に基づく基準値の変化率に応じて、前記供給手段による原料の供給を制御する制御手段と
を備える処理装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
請求項１記載の処理装置において、
前記供給手段は、前記原料を滴下する、前記原料を吐出する、前記原料を散布する、および前記原料を間欠的に供給することの何れかにより前記原料を供給する処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の処理装置において、
前記制御手段は、前記原料の滴下量、前記原料の吐出量、および前記原料の散布量の何れかを制御する処理装置。
【請求項４】
請求項２記載の処理装置において、
前記制御手段は、前記原料の滴下、前記原料の吐出、および前記原料の間欠的な供給の何れかの間隔を制御する処理装置。
【請求項５】
請求項１記載の処理装置において、
前記高周波照射手段は、前記液体を高周波誘導加熱する処理装置。
【請求項６】
請求項１～４の何れか１項に記載の処理装置において、
前記基準値の変化率の変動幅に応じて自装置の稼働を停止する停止手段をさらに備える処理装置。
【請求項７】
容器に収容された液体に高周波を照射する高周波照射ステップと、
前記液体に原料を供給する供給ステップと、
前記高周波照射ステップで照射した高周波の周波数を測定する周波数測定ステップと、
前記周波数測定ステップで測定した周波数における一周期毎の振幅最大値および振幅最小値に基づく基準値の変化率に応じて、前記供給ステップによる原料の供給を制御する制御ステップと
を備える処理方法。
【請求項８】
請求項７記載の処理方法において、
前記供給ステップは、前記原料を滴下する、前記原料を吐出する、前記原料を散布する、および前記原料を間欠的に吐出することの何れかにより前記原料を供給する処理方法。
【請求項９】
請求項８記載の処理方法において、
前記制御ステップは、前記原料の滴下量、前記原料の吐出量、および前記原料の散布量の何れかを制御する処理方法。
【請求項１０】
請求項８記載の処理方法において、
前記制御ステップは、前記原料の滴下、前記原料の吐出、および前記原料の間欠的な供給の何れかの間隔を制御する処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置および方法に関する。
続きを表示（約 990 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、結晶成長装置として種々の装置が用いられ、検討されている。特許文献１には、加熱発振周波数を一定となるように回路素子を制御し、かつ、結晶の移動速度を調節して成長結晶の直径を制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特公昭６０－２４０７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の技術では、均一で良質な結晶性の結晶成長ができないという問題があった。これは、原料が供給されている融液における組成などの均一性が保たれていないためである。
【０００５】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、原料が供給されている液体における均一性が得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る処理装置は、容器に収容された液体に高周波を照射する高周波照射手段と、液体に原料を供給する供給手段と、高周波照射手段が照射した高周波の周波数を測定する周波数測定手段と、周波数測定手段が測定した周波数における一周期毎の振幅最大値および振幅最小値に基づく基準値の変化率に応じて、供給手段による原料の供給を制御する制御手段とを備える。
【０００７】
上記処理装置の一構成例において、供給手段は、原料を滴下する、原料を吐出する、および原料を散布することの何れかにより原料を供給し、制御手段は、原料の滴下量、原料の吐出量、および原料の散布量の何れかを制御する。
【０００８】
上記処理装置の一構成例において、供給手段は、原料を滴下する、原料を吐出する、および原料を間欠的に供給することの何れかにより原料を供給し、制御手段は、原料の滴下、原料の吐出、および原料の間欠的な供給の何れかの間隔を制御する。
【０００９】
上記処理装置の一構成例において、高周波照射手段は、液体を高周波誘導加熱する処理。
【００１０】
上記処理装置の一構成例において、基準値の変化率の変動幅に応じて自装置の稼働を停止する停止手段をさらに備える処理。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許