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公開番号
2025125704
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-28
出願番号
2024021806
出願日
2024-02-16
発明の名称
人工水晶製造装置
出願人
セイコーエプソン株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
C30B
29/18 20060101AFI20250821BHJP(結晶成長)
要約
【課題】制御部材は、個々の種水晶の近傍に設けられるため、育成枠の組み立てに手間がかかるという課題を有する。
【解決手段】人工水晶製造装置は、鉛直軸に沿って延びる筒状のオートクレーブ内で、溶解液に熱対流を生じさせ、水晶原料を溶解し、種水晶を核として溶解した前記水晶原料を再結晶させる人工水晶製造装置であって、前記オートクレーブ内に配置され、前記種水晶の一端が取り付けられる第1支持部と、前記オートクレーブ内に前記第1支持部に対して前記鉛直軸に沿って配置され、前記種水晶の他端が取り付けられる第2支持部と、前記第1支持部と前記第2支持部の少なくとも一方に取り付けられ、複数の孔を有する抑制板と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
鉛直軸に沿って延びる筒状のオートクレーブ内で、溶解液に熱対流を生じさせ、水晶原料を溶解し、種水晶を核として溶解した前記水晶原料を再結晶させる人工水晶製造装置であって、
前記オートクレーブ内に配置され、前記種水晶の一端が取り付けられる第1支持部と、
前記オートクレーブ内に前記第1支持部に対して前記鉛直軸に沿って配置され、前記種水晶の他端が取り付けられる第2支持部と、
前記第1支持部と前記第2支持部の少なくとも一方に取り付けられ、複数の孔を有する抑制板と、
を備える人工水晶製造装置。
続きを表示(約 270 文字)
【請求項2】
前記抑制板は、炭素鋼、もしくは低合金鋼で構成される、
請求項1に記載の人工水晶製造装置。
【請求項3】
前記種水晶に対して、前記鉛直軸の上方に配置され、結晶粒を捕捉するフィルター部材と、
前記フィルター部材に対して、前記鉛直軸の下方に配置される対流制御板と、を備える、
請求項1に記載の人工水晶製造装置。
【請求項4】
前記抑制板は、アクマイト、エメリューサイト、ペクライトのうちの少なくともいずれかを捕捉する、
請求項1に記載の人工水晶製造装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、人工水晶製造装置に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)
【背景技術】
【0002】
人工水晶を製造する製造装置が知られている。特許文献1に記載される製造装置は、金属容器と、育成枠と、制御部材と、を有する。金属容器は、原料としての水晶、育成枠、及びアルカリ溶液を収容する。育成枠は、種水晶を支持する。制御部材は、種水晶の両端のうちの少なくとも一方の近傍に設けられる。制御部材は、育成枠にはめ込まれる。制御部材は、アルカリ溶液の対流を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2001-19584号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
制御部材は、個々の種水晶の近傍に設けられるため、育成枠の組み立てに手間がかかるという課題を有する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の人工水晶製造装置は、鉛直軸に沿って延びる筒状のオートクレーブ内で、溶解液に熱対流を生じさせ、水晶原料を溶解し、種水晶を核として溶解した前記水晶原料を再結晶させる人工水晶製造装置であって、前記オートクレーブ内に配置され、前記種水晶の一端が取り付けられる第1支持部と、前記オートクレーブ内に前記第1支持部に対して前記鉛直軸に沿って配置され、前記種水晶の他端が取り付けられる第2支持部と、前記第1支持部と前記第2支持部の少なくとも一方に取り付けられ、複数の孔を有する抑制板と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0006】
水晶製造装置の概略構成を示す図。
支持枠体の概略構成を示す図。
支持部の概略構成を示す図。
抑制板を備える水晶製造装置の評価結果を示す図。
水晶製造装置の概略構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
図1は、水晶製造装置100の概略構成を示している。水晶製造装置100は、水熱合成法によって人工水晶を製造する。図1は、水晶製造装置100の断面構成を示している。図1は、水晶製造装置100の一例である第1水晶製造装置100aを示している。図1に示す第1水晶製造装置100aには、人工水晶を製造する際に用いられる水晶原料CM、種水晶CS、及び溶解液ASが示されている。水晶製造装置100は、人工水晶製造装置の一例に対応する。
【0008】
水晶製造装置100は、水晶原料CM、種水晶CS、及び溶解液ASを用いて人工水晶を製造する。水晶製造装置100は、高温高圧の溶解液ASの存在下で種水晶CS上に水晶を結晶成長させることによって水晶を製造する。水晶製造装置100は、一例として、温度約360℃、圧力1100~1700気圧で人工水晶を製造する。水晶製造装置100は、2~6カ月の間、結晶成長させることによって人工水晶を製造する。
【0009】
図1を含む複数の図は、XYZ座標系を示している。Y軸は、鉛直方向と平行な軸である。Y軸は、鉛直軸の一例に対応する。+Y方向は、水晶製造装置100の下方から上方に向かう方向である。-Y方向は、水晶製造装置100の上方から下方に向かう方向である。X軸は、Y軸に対して直交する。+X方向は、図1に示す水晶製造装置100の手前から奥に向かう方向である。-X方向は、図1に示す水晶製造装置100の奥から手前に向かう方向である。Z軸は、X軸及びY軸に対して直交する。+Z方向は、図1に示す水晶製造装置100の左から右に向かう方向である。-Z方向は、図1に示す水晶製造装置100の右から左に向かう方向である。
【0010】
水晶原料CMは、人工水晶を製造する際の酸化ケイ素の供給源である。水晶原料CMは、高温高圧の溶解液ASによって溶解される。水晶原料CMには、一例として、天然の水晶片であるラスカが用いられる。
(【0011】以降は省略されています)
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