TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2025001174
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-08
出願番号2023100626
出願日2023-06-20
発明の名称光学部品および光学部品の製造方法
出願人株式会社信光社
代理人個人,個人,個人
主分類C30B 29/22 20060101AFI20241225BHJP(結晶成長)
要約【課題】大型で屈折率の不均質部分を含まず、接合界面にボイドが少ないYAG単結晶からなる光学部品および光学部品の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアンドープYAG単結晶の接合面が{211}面であり、ドープYAG単結晶の接合面とアンドープYAG単結晶の接合面を鏡面研磨して接合した後、大気中、1200℃以上1600℃以下の温度で、接合面と垂直な方向に、0.1kPa以上10kPa以下の圧力を加えて拡散接合する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
光学活性物質をドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット単結晶であるドープYAG単結晶と、光学活性物質をドープしていないイットリウム・アルミニウム・ガーネット単結晶であるアンドープYAG単結晶との接合体である光学部品であって、
前記アンドープYAG単結晶の接合面が{211}面である、
ことを特徴とする光学部品。
続きを表示(約 380 文字)【請求項2】
前記ドープYAG単結晶の接合面が{211}面である、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学部品。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載の光学部品の製造方法であって、
前記ドープYAG単結晶の接合面および前記アンドープYAG単結晶の接合面を、鏡面研磨して接合した後、大気中、1200℃以上1600℃以下の温度で、前記接合面と垂直な方向に、0.1kPa以上10kPa以下の圧力を加え、拡散接合する、
ことを特徴とする光学部品の製造方法。
【請求項4】
請求項2に記載の光学部品の製造方法であって、
前記ドープYAG単結晶および前記アンドープYAG単結晶を、<211>軸方向に成長させ、透過面を、結晶育成方向と垂直に取得する、
ことを特徴とする光学部品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、イットリウム・アルミニウム・ガーネット単結晶材料からなるレーザー利得媒体や蛍光発光素子などの光学部品および光学部品の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
レーザー加工等の分野において、小型、高出力、高ビーム品質のレーザーが望まれている。最近ではレーザーダイオード(LD)を励起光源とする固体レーザーが普及してきている。中でも、ネオジム(Nd)やイッテルビウム(Yb)をドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(以後、「YAG」と呼ぶ。)結晶は、最も広く固体レーザー材料として使用されている。
【0003】
固体レーザーにおいて出力レーザービームの高出力化を実現するためには、レーザー利得材料である固体中に発生する熱の排熱が大きな問題となっている。
局所的な発熱を効果的に分散させる方法として、光学活性物質をドープしたレーザー結晶と光学活性物質をドープしていない結晶を接合することが提案され、拡散接合法や直接接合法が考案されている(特許文献1)。
【0004】
また、レーザー媒質の構造に関する研究も進められ、ディスク型のレーザー利得材料を用いた方式が知られている。レーザー利得材料を薄いディスク形状とすることで、外部からの励起光の受光面を大きくとることができ、ディスク面全体で均一に冷却することが可能となる。中でも反射型(アクティブミラー型)の構造は、薄膜ディスクの一方の表面に反射膜を施すことでヒートシンクや流体による冷却が可能になることから注目されている。通常アクティブミラー型の構造体は、光学活性物質をドープした薄膜ディスクと光学活性物質をドープしていない材料とを接合することにより、機械的強度や熱の分散性を向上させている(以後、一体化された構造体を「レーザー媒質接合体」と呼ぶ)。これらの材料は、高出力レーザーに対応するため大型のレーザー媒質体が必要になることから、透明のセラミックス素材が使用されている(特許文献2)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特許第4374415号公報
特許第5330801号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
固体レーザー用の媒質として、YAG単結晶や、多結晶体であるYAGセラミックスが使用されている。YAGセラミックスは大型化が容易で比較的安価に製造できるという利点があるものの、粒界が存在することから熱伝導率が単結晶に比べて低い、特に低温での熱伝導率が単結晶に比べて小さいという問題がある。そのためレーザー媒質としてYAG単結晶を使用することが望ましいが、大型の単結晶は結晶育成が困難で高コストであること、結晶育成時に屈折率などの光学的な不均質部分(通常結晶の中心部に発生しやすいことから、以後「コア」と呼ぶ)が発生しやすいという問題がある。
【0007】
また、結晶を接合したレーザー媒質接合体は、平滑な研磨面同士を重ね合わせて接合することから、界面にボイドが発生しやすい。ボイドはサイズが小さく光学的にはほとんど影響しないと考えられるが、高出力レーザーではボイドがない方が望ましい。また熱拡散を少しでも向上させる上でも、接合界面にボイドがないことが望まれている。
【0008】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、大型で屈折率の不均質部分を含まず、接合界面にボイドが少ない単結晶からなる光学部品および光学部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するために、本発明に係る光学部品は、光学活性物質をドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネット単結晶であるドープYAG単結晶と、光学活性物質をドープしていないイットリウム・アルミニウム・ガーネット単結晶であるアンドープYAG単結晶との接合体であって、前記アンドープYAG単結晶の接合面が{211}面である、ことを特徴とする。
【0010】
本発明に係る光学部品は、前記ドープYAG単結晶の接合面が{211}面である、ことを特徴とする。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

株式会社信光社
光学部品の製造方法および光学部品
21日前
住友化学株式会社
窒化ガリウム単結晶基板
2か月前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶製造装置
12日前
住友金属鉱山株式会社
FeGa合金単結晶の製造方法
2か月前
株式会社プロテリアル
単結晶製造装置
2か月前
株式会社信光社
光学部品および光学部品の製造方法
21日前
国立大学法人豊橋技術科学大学
ダイヤモンド構造体の集積方法
12日前
パナソニックホールディングス株式会社
III族窒化物半導体基板
1か月前
株式会社SUMCO
シリコンウェーハ及びその製造方法
1か月前
株式会社クリスタルシステム
相平衡状態図の作成方法
20日前
株式会社プロテリアル
単結晶製造方法および単結晶製造装置
2か月前
信越半導体株式会社
シリコン単結晶製造装置及びシリコン単結晶の製造方法
5日前
国立大学法人長岡技術科学大学
製造装置
1か月前
株式会社プロテリアル
炭化ケイ素単結晶の製造方法
20日前
信越半導体株式会社
GaNエピタキシャル膜の製造方法及び半導体デバイスの製造方法
12日前
国立大学法人長岡技術科学大学
断熱材及び製造装置
1か月前
住友金属鉱山株式会社
ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法、及びARグラス
1か月前
株式会社SUMCO
シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶製造装置
2か月前
株式会社レゾナック
SiCエピタキシャルウェハ
3か月前
信越半導体株式会社
SiC基板の製造方法、半導体装置の製造方法、SiC基板、及び半導体装置。
22日前
株式会社オキサイド
テルビウム・ガリウム・ガーネット単結晶およびその製造方法ならびにファラデー回転子
1か月前
株式会社SUMCO
加熱装置、シリコン単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法
22日前
信越化学工業株式会社
積層構造体及び半導体装置
21日前
環球晶圓股ふん有限公司
ウェハ
6日前
株式会社SUMCO
熱遮蔽体位置決め治具、熱遮蔽体位置決め方法、および、シリコン単結晶の製造方法
2か月前
大陽日酸株式会社
結晶膜の製造方法、気相成長装置、及びβ-酸化ガリウム結晶膜
1か月前
住友金属鉱山株式会社
SiC半導体装置用基板、SiC接合基板、SiC多結晶基板およびSiC多結晶基板の製造方法
1か月前
株式会社C&A
結晶製造方法及び結晶製造装置
15日前
株式会社サイコックス
単結晶SiCエピタキシャル成長膜の成膜方法、半導体デバイスの製造方法、複合基板および半導体デバイス
20日前
エスティーマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ.ブイ.
多結晶シリコンカーバイド基板及びその製造方法
3か月前
三菱ケミカル株式会社
n型GaN結晶、GaNウエハ、ならびに、GaN結晶、GaNウエハおよび窒化物半導体デバイスの製造方法
2か月前
エスアイクリスタル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
SiCバルク単結晶の製造方法及びその成長装置
3か月前
キヤノン株式会社
単結晶の製造方法、単結晶、圧電素子、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、超音波プローブ、超音波診断装置、超音波診断システム、および電子機器
3か月前
株式会社デンソー
電子制御装置
2か月前
グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド
連続チョクラルスキー法を用いる窒素ドープ単結晶シリコンインゴットの成長方法およびこの方法により成長させた単結晶シリコンインゴット
1日前
株式会社アイ・オー・データ機器
ファイル共有装置およびファイルシステム間のデータ移行方法
1か月前
続きを見る