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公開番号2024128125
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2024113272,2021010854
出願日2024-07-16,2021-01-27
発明の名称セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H01G 4/30 20060101AFI20240912BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 ESRを抑制しつつ耐湿性を向上させることができるセラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、3層以上の内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、前記3層以上の内部電極層は、NiおよびSnを含み、前記3層以上の内部電極層は、Snを層内の全体に含んでおり、前記3層以上の内部電極層のうち少なくとも2層の関係において、積層方向の中心側の内部電極層よりも前記積層方向の端側の内部電極層のSn濃度が高いことを特徴とする。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、３層以上の内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、
前記３層以上の内部電極層は、ＮｉおよびＳｎを含み、
前記３層以上の内部電極層は、Ｓｎを層内の全体に含んでおり、
前記３層以上の内部電極層のうち少なくとも２層の関係において、積層方向の中心側の内部電極層よりも前記積層方向の端側の内部電極層のＳｎ濃度が高いことを特徴とするセラミック電子部品。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層までにおいて、前記最端の内部電極層のＳｎ濃度が最も高いことを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記積層方向の最端から中心側にかけての複数の内部電極層の各Ｓｎ濃度は、前記積層方向の中心側の残りの内部電極層の各Ｓｎ濃度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層までの各内部電極層のＳｎ濃度が、前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層にかけて段階的または徐々に大きくなることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記３層以上の内部電極層の厚みは、１μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記３層以上の内部電極層において、Ｓｎ濃度は、１０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記３層以上の内部電極層において、Ｓｎ濃度は、０．１ａｔ％以上であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記３層以上の各内部電極層のＳｎ濃度について、最小のＳｎ濃度に対する最大のＳｎ濃度の比は、１を上回り、１００以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記内部電極層において、厚さ方向の中心部よりも、前記誘電体層との界面近傍において、Ｓｎの濃度が高いことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、３層以上の内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、
前記３層以上の内部電極層は、ＮｉおよびＳｎを含み、
前記３層以上の内部電極層には、Ｓｎの濃度勾配が形成されており、
前記３層以上の内部電極層のうち少なくとも２層の関係において、積層方向の中心側の内部電極層よりも前記積層方向の端側の内部電極層のＳｎ濃度が高いことを特徴とするセラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品についても、さらなる小型化が求められている。基本特性である容量値を大きくするためには、（１）誘電体層の誘電率を大きくする、（２）容量規定面積を大きくする、（３）誘電体層を薄くする、のいずれかの手段が考えられる。誘電率と素子サイズとが既定の場合、誘電体層が薄いほど１層あたりの容量値を大きくできることに加え、誘電体層及び内部電極層を薄くすることにより、既定の厚さ内に積層する数を大きくすることが可能となるため、有利となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００７－２５８６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、内部電極層を薄くすると、焼成過程で内部電極層が断裂し易くなる。外部環境からの水分が断裂部分に浸入して機能領域に達すると、絶縁不良などの不具合が発生する。誘電体層が薄いと、この不具合はさらに加速することになる。特許文献１では、内部電極層を形成するためのニッケル（Ｎｉ）ペーストおよび共材の添加割合と、粒寸法とを調整することで、内部電極層を断裂し難くする方策が記載されている。断裂し難い内部電極層を積層方向の最外層に配することで、外部からの湿度の侵入を防ぎ、耐湿性を改善している。しかしながら、内部電極層が薄くなると、上記の手法では効果が不十分となり、他の対策が必要となってきている。
【０００５】
そこで、内部電極層にスズ（Ｓｎ）を添加することが考えられる。しかしながら、内部電極層にＳｎを添加すると、耐湿性が向上するものの、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が高くなってしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ＥＳＲを抑制しつつ耐湿性を向上させることができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、３層以上の内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、前記３層以上の内部電極層は、ＮｉおよびＳｎを含み、前記３層以上の内部電極層のうち少なくとも２層の関係において、積層方向の中心側の内部電極層よりも前記積層方向の端側の内部電極層のＳｎ濃度が高いことを特徴とする。
【０００８】
上記セラミック電子部品の前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層までにおいて、前記最端の内部電極層のＳｎ濃度が最も高くてもよい。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記積層方向の最端から中心側にかけての複数の内部電極層の各Ｓｎ濃度は、前記積層方向の中心側の残りの内部電極層の各Ｓｎ濃度よりも高くてもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層までの各内部電極層のＳｎ濃度が、前記積層方向の中心の内部電極層から前記積層方向の最端の内部電極層にかけて段階的または徐々に大きくなっていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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