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公開番号2024124709
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-13
出願番号2023032583
出願日2023-03-03
発明の名称電力変換回路、及び半導体モジュール
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人一色国際特許事務所
主分類H02M 7/48 20070101AFI20240906BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】出力電圧の波形の歪を抑制できる電力変換回路を提供する。
【解決手段】電力変換回路は、正電圧側の第1ラインに接続された第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に接続されたカソードと、負電圧側の第2ラインに接続されたアノードと、を有する第1ダイオードと、前記第1ラインに接続されたカソードを有する第2ダイオードと、前記第2ダイオードのアノードと、前記第2ラインとに接続された第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第1ダイオードが接続された第1ノードと、前記第2スイッチング素子及び前記第2ダイオードが接続された第2ノードと、の間に直列接続された第1及び第2コイルと、前記第1コイルと、前記第2コイルとが接続された第3ノードと、第3ラインとの間に接続された第1コンデンサと、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
正電圧側の第1ラインに接続された第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子に接続されたカソードと、負電圧側の第2ラインに接続されたアノードと、を有する第1ダイオードと、
前記第1ラインに接続されたカソードを有する第2ダイオードと、
前記第2ダイオードのアノードと、前記第2ラインとに接続された第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第1ダイオードが接続された第1ノードと、前記第2スイッチング素子及び前記第2ダイオードが接続された第2ノードと、の間に直列接続された第1及び第2コイルと、
前記第1コイルと、前記第2コイルとが接続された第3ノードと、第3ラインとの間に接続された第1コンデンサと、
を備える電力変換回路。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
請求項1に記載の電力変換回路であって、
前記第1ラインに接続された第2コンデンサと、
前記第2コンデンサに直列接続されるとともに、前記第2ラインに接続された第3コンデンサと、
を備え、
前記第1コンデンサは、
前記第3ラインを介して前記第2及び第3コンデンサの接続ノードに接続される、
電力変換回路。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載の電力変換回路であって、
1次巻線として前記第1コイルを用い、2次巻線として前記第2コイルを用いるトランスを備える、
電力変換回路。
【請求項4】
請求項3に記載の電力変換回路であって、
前記1次巻線の巻き数と、前記2次巻線の巻き数とは等しい、
電力変換回路。
【請求項5】
請求項4に記載の電力変換回路であって、
前記第1及び第2スイッチング素子は、IGBTである、
電力変換回路。
【請求項6】
請求項4に記載の電力変換回路であって、
前記第1及び第2スイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体を用いた素子である、
電力変換回路。
【請求項7】
請求項1に記載の電力変換回路を複数備えるインバータ回路。
【請求項8】
正電圧側の第1ラインに接続された第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子に接続されたカソードと、負電圧側の第2ラインに接続されたアノードと、を有する第1ダイオードと、
前記第1ラインに接続されたカソードを有する第2ダイオードと、
前記第2ダイオードのアノードと、前記第2ラインとに接続された第2スイッチング素子と、
前記第1ラインが接続される第1端子と、
前記第2ラインが接続される第2端子と、
前記第1スイッチング素子及び前記第1ダイオードが接続された第1ノードが接続される第3端子と、
前記第2スイッチング素子及び前記第2ダイオードが接続された第2ノードが接続される第4端子と、
を備え、
前記第3端子及び第4端子の間には、
直列接続された第1及び第2コイルと、前記第1及び第2コイルとが接続された第3ノードに接続される第1コンデンサと、が接続される、
半導体モジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、電力変換回路及び半導体モジュールに関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
一般的な電圧型三相PWMインバータにおいて、一つのレグは、上アーム及び下アームのそれぞれにスイッチング素子(例えば、IGBT)を有する。この構成の場合、上アーム及び下アームのスイッチング素子が同時にオンすると、高電位側から低電位側へと貫通電流が流れる。そのため、上アーム及び下アームのスイッチング素子が同時にオンしないよう、デッドタイムを設ける必要がある(例えば、特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2012-135160号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、デッドタイムを設けると、負荷に流れる電流に応じて、三相PWMインバータの出力電圧の波形が大きく歪むことがある。
【0005】
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、出力電圧の波形の歪を抑制できる電力変換回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前述した課題を解決する本発明にかかる電力変換回路の態様は、正電圧側の第1ラインに接続された第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に接続されたカソードと、負電圧側の第2ラインに接続されたアノードと、を有する第1ダイオードと、前記第1ラインに接続されたカソードを有する第2ダイオードと、前記第2ダイオードのアノードと、前記第2ラインとに接続された第2スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子及び前記第1ダイオードが接続された第1ノードと、前記第2スイッチング素子及び前記第2ダイオードが接続された第2ノードと、の間に直列接続された第1及び第2コイルと、前記第1コイルと、前記第2コイルとが接続された第3ノードと、第3ラインとの間に接続された第1コンデンサと、を備える。
【0007】
前述した課題を解決する本発明にかかる半導体モジュールの態様は、正電圧側の第1ラインに接続された第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子に接続されたカソードと、負電圧側の第2ラインに接続されたアノードと、を有する第1ダイオードと、前記第1ラインに接続されたカソードを有する第2ダイオードと、前記第2ダイオードのアノードと、前記第2ラインとに接続された第2スイッチング素子と、前記第1ラインが接続される第1端子と、前記第2ラインが接続される第2端子と、前記第1スイッチング素子及び前記第1ダイオードが接続された第1ノードが接続される第3端子と、前記第2スイッチング素子及び前記第2ダイオードが接続された第2ノードが接続される第4端子と、を備え、前記第3端子及び第4端子の間には、直列接続された第1及び第2コイルと、前記第1及び第2コイルとが接続された第3ノードに接続される第1コンデンサと、が接続される。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、出力電圧の波形の歪を抑制できる電力変換回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
インバータ回路10の構成の一例を示す図である。
電力変換回路40uの構成の一例を示す図である。
コンデンサ300が充電される際の電力変換回路40uの電流経路の一例を示す図である。
コンデンサ300が放電される際の電力変換回路40uの電流経路の一例を示す図である。
電力変換回路40uの出力電圧Vuの一例を示す図である。
IGBT200,240が同時にオンする際の電力変換回路40uの電流経路の一例を示す図である。
IGBT200,240が同時にオフする際の電力変換回路40uの電流経路の一例を示す図である。
IGBT200,240が同時にオン又はオフする際の制御信号S0,S1の一例を示す図である。
半導体モジュール400の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
(【0011】以降は省略されています)

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