TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024124660
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-13
出願番号2023032487
出願日2023-03-03
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240906BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハを損傷させることなく、効率的に面取り部を除去可能であるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、第一のウエーハ4に対して透過性を有する波長のレーザー光線LBの集光点FPを第一のウエーハ4の裏面4bから第一のウエーハ4の内部に位置づけてレーザー光線LBを第一のウエーハ4に照射して改質層72を形成するとともに、改質層72から伸展し接合層8に沿って外周に延びるクラック74を形成する改質層形成工程と、第一のウエーハ4の裏面4bを研削して薄化する研削工程とを含む。改質層形成工程において、レーザー光線LBの集光点FPを複数に分岐させた多焦点FPで構成し、多焦点FPを結ぶ線L1は第一のウエーハ4の外周に向かって15~50度の俯角θを成しており、改質層72から接合層8に向かってクラック74を形成するとともに接合層8に沿ってクラック74を伸展させて面取り部22を除去する起点を形成する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項1】
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する面取り部が形成された外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの該表面と第二のウエーハとを接合層によって貼り合わせたウエーハの加工方法であって、
該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第一のウエーハの裏面から該第一のウエーハの内部に位置づけて該レーザー光線を該第一のウエーハに照射して改質層を形成するとともに、該改質層から伸展し該接合層に沿って外周に延びるクラックを形成する改質層形成工程と、
該第二のウエーハ側をチャックテーブルで保持し、該第一のウエーハの裏面を研削して薄化する研削工程と、を含み、
該改質層形成工程において、該レーザー光線の集光点を複数に分岐させた多焦点で構成し、該多焦点を結ぶ線は該第一のウエーハの外周に向かって15~50度の俯角を成しており、該多焦点によって形成した該改質層から該接合層に向かってクラックを形成するとともに該接合層に沿ってクラックを伸展させて該面取り部を除去する起点を形成するウエーハの加工方法。
続きを表示(約 450 文字)【請求項2】
該多焦点は8個以上である請求項1記載のウエーハの加工方法。
【請求項3】
該多焦点によって形成する該改質層は、ウエーハの外周から内側に向けて厚さ方向に2以上形成し、2以上の該改質層を結ぶ線はウエーハの外周に向かって30~80度の俯角を成し、2以上の該改質層をクラックで連結する請求項1記載のウエーハの加工方法。
【請求項4】
厚さ方向に2以上形成する該改質層の間隔は、ウエーハの厚さ方向に10~380μmの範囲に設定する請求項3記載のウエーハの加工方法。
【請求項5】
該多焦点によって形成する該改質層は、ウエーハの外周から内側に向けてウエーハの面に対して平行に2以上形成し、クラックを外周に向けて該接合層に伸展させる請求項1記載のウエーハの加工方法。
【請求項6】
ウエーハの面に対して平行に2以上形成する該改質層の間隔は、ウエーハの面方向に450~800μmの範囲に設定する請求項5記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する面取り部が形成された外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの表面と第二のウエーハとを接合層によって貼り合わせたウエーハの加工方法に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【0003】
また、デバイスの性能を向上させるために、表面活性化法等によってパターンが形成されたウエーハを貼り合わせ、一方のウエーハを研削して薄化する場合がある。
【0004】
ところが、一方のウエーハの裏面を研削して薄化するとウエーハの外周に形成された面取り部がナイフエッジのように鋭利な形状となり、オペレータのケガを誘発したり、ナイフエッジからクラックがウエーハの内部に伸展してデバイスチップを損傷させるという問題がある。
【0005】
そこで、裏面を研削するウエーハの外周に切削ブレードまたは研削砥石を位置づけて面取り部を除去し、ナイフエッジの発生を抑制する技術が提案されている(たとえば、特許文献1、2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2010-225976号公報
特開2016-096295号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、切削ブレードや研削砥石による面取り部の除去には相当の時間がかかり、生産性が悪いという問題がある。
【0008】
また、ウエーハの貼り合わせ面(接合層)の外周にボイドが存在すると、面取り部を除去する際、または研削の際に、ウエーハが損傷するという問題がある。
【0009】
本発明の課題は、ウエーハを損傷させることなく、効率的に面取り部を除去可能であるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの加工方法が提供される。すなわち、
「複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する面取り部が形成された外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの該表面と第二のウエーハとを接合層によって貼り合わせたウエーハの加工方法であって、
該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該第一のウエーハの裏面から該第一のウエーハの内部に位置づけて該レーザー光線を該第一のウエーハに照射して改質層を形成するとともに、該改質層から伸展し該接合層に沿って外周に延びるクラックを形成する改質層形成工程と、
該第二のウエーハ側をチャックテーブルで保持し、該第一のウエーハの裏面を研削して薄化する研削工程と、を含み、
該改質層形成工程において、該レーザー光線の集光点を複数に分岐させた多焦点で構成し、該多焦点を結ぶ線は該第一のウエーハの外周に向かって15~50度の俯角を成しており、該多焦点によって形成した該改質層から該接合層に向かってクラックを形成するとともに該接合層に沿ってクラックを伸展させて該面取り部を除去する起点を形成するウエーハの加工方法」が提供される。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

個人
安全なNAS電池
7日前
東レ株式会社
二次電池
7日前
ユニチカ株式会社
負極集電材
7日前
エイブリック株式会社
半導体装置
22日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
22日前
東京パーツ工業株式会社
コイル装置
29日前
トヨタ自動車株式会社
二次電池
29日前
ローム株式会社
半導体装置
21日前
東京応化工業株式会社
基板支持体
17日前
株式会社東京精密
シート剥離装置
17日前
株式会社CTK
アンテナ取付装置
14日前
TDK株式会社
コイル部品
14日前
株式会社ドクター中松創研
V3D半導体
16日前
株式会社東京精密
シート剥離装置
27日前
住友電装株式会社
コネクタ
29日前
光森科技有限公司
光源モジュール
23日前
株式会社半導体エネルギー研究所
二次電池
13日前
三菱電機株式会社
半導体装置
29日前
日本航空電子工業株式会社
コネクタ
7日前
ミクロエース株式会社
基板処理方法
10日前
株式会社ミクニ
電磁アクチュエータ
14日前
マクセル株式会社
扁平形電池
21日前
富士電機株式会社
電磁接触器
7日前
AIメカテック株式会社
光照射装置
13日前
矢崎総業株式会社
端子
17日前
日亜化学工業株式会社
配線基板
10日前
住友電装株式会社
中継コネクタ
29日前
TDK株式会社
電子部品
1か月前
旭化成株式会社
紫外線発光装置
29日前
住友電装株式会社
中継コネクタ
23日前
TDK株式会社
電子部品
1か月前
FDK株式会社
二次電池
7日前
ミクロン電気株式会社
セメント抵抗器
24日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
今日
河村電器産業株式会社
速結端子
16日前
株式会社ディスコ
ウェーハの加工方法
16日前
続きを見る