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公開番号2024114710
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-23
出願番号2024091133,2023085233
出願日2024-06-05,2018-10-16
発明の名称多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
出願人HOYA株式会社
代理人弁理士法人津国
主分類G03F 1/24 20120101AFI20240816BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】多層反射膜に基準マークを形成した場合でも、多層反射膜の表面が汚染されることを防止することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射膜付き基板10は、基板12と、基板12上に形成されたEUV光を反射する多層反射膜14とを含む。多層反射膜付き基板10の表面に、基準マーク20が凹状に形成されている。基準マーク20は、略中心に溝部21又は突起部23を有する。溝部21又は突起部23の平面視における形状は、基準マーク20の形状と相似又は略相似である。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを含む多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板の表面に凹状に形成された基準マークを備え、
前記基準マークは、略中心に溝部又は突起部を有し、
前記溝部又は突起部の平面視における形状は、前記基準マークの形状と相似又は略相似であることを特徴とする、多層反射膜付き基板。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記基準マークの底部は、前記多層反射膜に含まれる複数の膜のうち少なくとも一部の膜が収縮したシュリンク領域と、前記多層反射膜に含まれる複数の膜のうち少なくとも一部の膜が互いに一体化したミキシング領域とを含み、
前記溝部又は突起部は、前記溝部又は突起部を除く前記基準マークの底部と比較して、相対的に前記ミキシング領域を多く含む、請求項１に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項３】
前記溝部の深さ又は前記突起部の高さは、２０ｎｍ以上である、請求項１または請求項２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項４】
前記溝部又は前記突起部の幅は、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項５】
前記基準マークの深さが３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項６】
前記多層反射膜上に形成された保護膜を含み、
前記保護膜の表面に前記基準マークが形成されている、請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項７】
前記多層反射膜の前記基板と反対側の表面層はＳｉを含む層である、請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項８】
請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の上に形成された、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜に前記基準マークの形状が転写されている、反射型マスクブランク。
【請求項９】
請求項１から請求項７のうちいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の上に形成された、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜パターンとを有する反射型マスクであって、
前記吸収体膜パターンに前記基準マークの形状が転写されている、反射型マスク。
【請求項１０】
請求項９に記載の反射型マスクを使用して、半導体基板上に転写パターンを形成する工程を有する、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化の更なる要求に伴い、極紫外（Extreme Ultra Violet、以下、ＥＵＶと称す）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。ＥＵＶリソグラフィーにおいて用いられるマスクとして、反射型マスクが提案されている。反射型マスクは、ガラスやシリコンなどの基板上に、露光光を反射する多層反射膜が形成され、その多層反射膜の上に露光光を吸収する吸収体膜パターンが形成されたものである。パターン転写を行う露光機において、それに搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射される。そして反射された光像が、反射光学系を介してシリコンウエハ等の半導体基板上に転写される。
【０００３】
リソグラフィー工程での微細化に対する要求が高まることにより、リソグラフィー工程における課題が顕著になりつつある。その課題の１つが、リソグラフィー工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。
【０００４】
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点（０，０）とし、欠陥検査装置が管理する座標を用いて、その原点からの距離で特定していた。このため、絶対値座標の基準が明確でなく、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあった。また、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でも、μｍオーダーでの欠陥の回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらしたりして、欠陥を回避していた。
【０００５】
このような状況下、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、基準マークを基準として欠陥の位置を特定することが提案されている。マスクブランク用基板に基準マークを形成することにより、装置毎に欠陥の位置を特定するための基準がずれることが防止される。
【０００６】
露光光としてＥＵＶ光を使用する反射型マスクにおいては、多層反射膜上の欠陥の位置を正確に特定することが特に重要である。なぜなら、多層反射膜に存在する欠陥は、修正がほとんど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るためである。
【０００７】
多層反射膜上の欠陥の位置を正確に特定するためには、多層反射膜を形成した後に欠陥検査を行うことで、欠陥の位置情報を取得することが好ましい。そのためには、基板に形成された多層反射膜に、基準マークを形成することが好ましい。
【０００８】
特許文献１には、多層反射膜の一部を除去することで凹状に形成された基準マークが開示されている。多層反射膜の一部を除去する方法としては、レーザアブレーション法やＦＩＢ（集束イオンビーム法）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
国際公開ＷＯ２０１３／０３１８６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、多層反射膜の表面にレーザアブレーション法によって凹状の基準マークを形成した場合、レーザ加工時に発生した塵によって、多層反射膜の表面が汚染されることがある。多層反射膜の表面が汚染された場合、新たな異物欠陥が生じることがある。新たな異物欠陥が生じた場合、それが露光欠陥となる欠陥であれば、反射型マスクを作製したときに重大な問題が生じることがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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