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公開番号2024113261
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-22
出願番号2023018115
出願日2023-02-09
発明の名称発光素子及び発光素子の製造方法
出願人日機装株式会社
代理人弁理士法人平田国際特許事務所
主分類H01L 33/10 20100101AFI20240815BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】光出力の向上を図ることができる発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子1は、半導体の積層構造を有するとともに、光を発する積層構造体2と、積層構造体2を被覆する絶縁被覆部4と、積層構造体2及び絶縁被覆部4上に形成され、積層構造体2から発される光を反射する反射電極5と、を備える。積層構造体2の積層方向Dから見たとき、反射電極5は、積層構造体2における反射電極5が形成された反射電極形成面251から突出した突出部52を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体の積層構造を有するとともに、光を発する積層構造体と、
前記積層構造体を被覆する絶縁被覆部と、
前記積層構造体及び前記絶縁被覆部上に形成され、前記積層構造体から発される光を反射する反射電極と、を備え、
前記積層構造体の積層方向から見たとき、前記反射電極は、前記積層構造体における前記反射電極が形成された反射電極形成面から突出した突出部を有する、
発光素子。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記積層構造体は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の一方側に配された発光層と、前記発光層の前記ｎ型半導体層側と反対側に配されたｐ型半導体層とを備え、
前記反射電極は、前記ｐ型半導体層の前記発光層側と反対側の面にて構成される前記反射電極形成面、及び前記絶縁被覆部の表面に形成されており、
前記ｎ型半導体層の前記発光層側の面に形成されたｎ側電極を更に有し、
前記積層方向から見たとき、前記突出部の一部は、前記絶縁被覆部を介して前記ｎ側電極と重なっている、
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記反射電極には、前記積層方向から見たときに前記ｎ側電極と重なる位置に、貫通孔が形成されており、
前記貫通孔内に形成されるとともに、前記ｎ側電極に電気的に接続されたコンタクト電極と、
前記反射電極及び前記コンタクト電極を覆うとともに、前記反射電極と前記コンタクト電極との間を電気的に絶縁する第２絶縁被覆部と、
前記反射電極に電気的に接続されたｐ側パッド電極と、
前記コンタクト電極に電気的に接続されたｎ側パッド電極と、をさらに備える、
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
光を発する積層構造体を形成する工程と、
前記積層構造体を被覆する絶縁被覆部を形成する工程と、
前記積層構造体及び前記絶縁被覆部上に、前記積層構造体から発される光を反射する反射電極を形成する工程と、を備え、
前記積層構造体の積層方向から見たとき、前記反射電極は、前記積層構造体における前記反射電極が形成された反射電極形成面から突出した突出部を有する、
発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記積層構造体を形成する工程は、ｎ型半導体層を形成する工程と、前記ｎ型半導体層の一方側に発光層を形成する工程と、前記発光層の前記ｎ型半導体層側と反対側にｐ型半導体層を形成する工程と、を有し、
前記ｎ型半導体層の前記発光層側の面にｎ側電極を形成する工程をさらに有し、
前記反射電極を形成する工程は、前記ｐ型半導体層の前記発光層側と反対側の面にて構成される前記反射電極形成面及び前記絶縁被覆部の表面に、前記反射電極を形成する工程であり、
前記積層方向から見たとき、前記突出部の一部は、前記絶縁被覆部を介して前記ｎ側電極と重なっている、
請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記反射電極を形成する工程にて形成される前記反射電極には、前記積層方向から見たときに前記ｎ側電極と重なる位置に、貫通孔が形成されており、
前記絶縁被覆部を形成する工程の後、前記反射電極を形成する工程と、前記貫通孔内に形成されるととともに前記ｎ側電極に電気的に接続されるコンタクト電極を形成する工程とが同時に実施され、
前記反射電極及び前記コンタクト電極を形成する工程の後、前記反射電極及び前記コンタクト電極を被覆するとともに、前記反射電極と前記コンタクト電極との間を電気的に絶縁する第２絶縁被覆部を形成する工程がさらに実施され、
前記第２絶縁被覆部を形成する工程の後、前記反射電極に電気的に接続されるｐ側パッド電極と、前記コンタクト電極に電気的に接続されるｎ側パッド電極とを形成する工程がさらに実施される、
請求項５に記載の発光素子の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及び発光素子の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板と、基板上に積層されたｎ型層、活性層及びｐ型層と、ｐ型層上に形成された反射電極とを備える半導体発光素子が開示されている。反射電極は、活性層から反射電極側に発された光を反射し、基板側から取り出される光を増やす役割を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－８７０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体発光素子においては、一層の光出力向上の観点から改善の余地がある。
【０００５】
本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、光出力の向上を図ることができる発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前記の目的を達成するため、半導体の積層構造を有するとともに、光を発する積層構造体と、前記積層構造体を被覆する絶縁被覆部と、前記積層構造体及び前記絶縁被覆部上に形成され、前記積層構造体から発される光を反射する反射電極と、を備え、前記積層構造体の積層方向から見たとき、前記反射電極は、前記積層構造体における前記反射電極が形成された反射電極形成面から突出した突出部を有する、発光素子を提供する。
【０００７】
また、本発明は、前記の目的を達成するため、光を発する積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体を被覆する絶縁被覆部を形成する工程と、前記積層構造体及び前記絶縁被覆部上に、前記積層構造体から発される光を反射する反射電極を形成する工程と、を備え、前記積層構造体の積層方向から見たとき、前記反射電極は、前記積層構造体における前記反射電極が形成された反射電極形成面から突出した突出部を有する、発光素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光出力の向上を図ることができる発光素子及び発光素子の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
実施の形態における、発光素子の平面図である。
図１のＩＩ－ＩＩ線矢視断面図である。
実施の形態における、第２絶縁被覆部、ｐ側パッド電極及びｎ側パッド電極を省略した発光素子の平面図である。
実施の形態における、積層構造体形成工程にて形成される積層構造体の断面図である。
実施の形態における、第１蒸着工程後に得られる第１中間体の断面図である。
実施の形態における、第１被覆工程後に得られる第２中間体の断面図である。
実施の形態における、第２蒸着工程後に得られる第３中間体の断面図である。
実施の形態における、第２被覆工程後に得られる第４中間体の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［実施の形態］
本発明の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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