TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025001731
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-09
出願番号
2023101368
出願日
2023-06-21
発明の名称
半導体発光装置
出願人
日機装株式会社
代理人
個人
主分類
H10H
20/853 20250101AFI20241226BHJP()
要約
【課題】半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光装置10は、パッケージ基板14と、パッケージ基板14上にフリップチップ接合される半導体発光素子12と、パッケージ基板14上の半導体発光素子12の周囲に設けられる枠体16と、パッケージ基板14上の半導体発光素子12の上面12aを被覆し、枠体16の上面16aを被覆し、半導体発光素子12の発光波長において透光性を有する封止部材18と、を備える。半導体発光素子12の上面12aは複数の角部46a~46dを有し、複数の角部46a~46dのそれぞれから枠体16までの距離d1は、枠体16の上面16aの幅w1よりも小さい。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上にフリップチップ接合される半導体発光素子と、
前記パッケージ基板上の前記半導体発光素子の周囲に設けられる枠体と、
前記パッケージ基板上の前記半導体発光素子の上面を被覆し、前記枠体の上面を被覆し、前記半導体発光素子の発光波長において透光性を有する封止部材と、を備え、
前記半導体発光素子の前記上面は複数の角部を有し、前記複数の角部のそれぞれから前記枠体までの距離は、前記枠体の前記上面の幅よりも小さい半導体発光装置。
続きを表示(約 630 文字)
【請求項2】
前記半導体発光素子の前記上面の平面視において、前記枠体の内側の面積は、前記半導体発光素子の前記上面の面積の2倍以下である、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記パッケージ基板上に接合され、前記封止部材によって被覆される保護素子をさらに備え、
前記半導体発光素子の前記上面の平面視において、前記枠体の内側の面積は、前記半導体発光素子の前記上面および前記保護素子の上面の合計面積の2倍以下である、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記パッケージ基板上に接合され、前記封止部材によって被覆される保護素子をさらに備え、
前記保護素子から前記枠体までの距離は、前記枠体の前記上面の幅よりも小さく、
前記半導体発光素子から前記保護素子までの距離は、前記枠体の前記上面の幅よりも小さい、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記パッケージ基板と前記封止部材の間に隙間が設けられる、請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記複数の角部のそれぞれから前記枠体までの距離は、10μm以上300μm以下である、請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記封止部材は、上に凸となるドーム形状を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体発光装置に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
パッケージ基板上に接合される半導体発光素子を樹脂で封止した半導体発光装置が知られている。例えば、封止樹脂を上に向かって凸となるドーム状に形成することにより、光取り出し効率を向上させる技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2017-59754号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
封止部材をドーム状に形成する場合、半導体発光素子の上部に位置する封止部材の厚みを大きくする必要がある。封止部材を厚くするために封止部材の充填量を大きくすると、封止部材とパッケージ基板の材料の違いによって生じる歪みが大きくなり、封止部材の剥がれやクラックが発生しやすくなる。
【0005】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のある態様の半導体発光装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板上にフリップチップ接合される半導体発光素子と、パッケージ基板上の半導体発光素子の周囲に設けられる枠体と、パッケージ基板上の半導体発光素子の上面を被覆し、枠体の上面を被覆し、半導体発光素子の発光波長において透光性を有する封止部材と、を備える。半導体発光素子の上面は複数の角部を有し、複数の角部のそれぞれから枠体までの距離は、枠体の上面の幅よりも小さい。
【0007】
本発明によれば、半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
第1実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第1実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す上面図である。
第2実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第3実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す上面図である。
第4実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、説明の理解を助けるため、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の発光素子の寸法比と一致しない。
【0010】
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る半導体発光装置10の構成を概略的に示す断面図である。半導体発光装置10は、半導体発光素子12と、パッケージ基板14と、枠体16と、封止部材18とを備える。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
日亜化学工業株式会社
発光装置
10日前
個人
高性能高耐圧逆導通半導体装置
10日前
東レ株式会社
圧電性材料の製造方法
11日前
マグネデザイン株式会社
GSRセンサ
5日前
ローム株式会社
光センサ
4日前
個人
圧電素子及び摩擦発電共成デバイス
19日前
AGC株式会社
太陽電池モジュール
10日前
三菱電機株式会社
半導体装置
11日前
富士電機株式会社
半導体装置
17日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
5日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
10日前
東レ株式会社
転写体、機能性素子の製造方法
19日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
17日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
17日前
旭化成株式会社
紫外線発光素子
3日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
10日前
住友電気工業株式会社
半導体装置
4日前
ローム株式会社
半導体装置
10日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
5日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
17日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
20日前
富士電機株式会社
炭化珪素半導体装置
5日前
旭化成株式会社
発光素子及び発光装置
4日前
三菱ケミカル株式会社
積層圧電シート
6日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
17日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
11日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
5日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
13日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
5日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
17日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
10日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
10日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
25日前
住友電気工業株式会社
炭化珪素半導体装置
5日前
セイコーエプソン株式会社
回路装置
10日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
12日前
続きを見る
他の特許を見る