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公開番号2025001733
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023101370
出願日2023-06-21
発明の名称半導体発光装置
出願人日機装株式会社
代理人個人
主分類H10H 20/855 20250101AFI20241226BHJP()
要約【課題】半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光装置10は、パッケージ基板14と、パッケージ基板14に接合するアノード電極24およびカソード電極26と、アノード電極24およびカソード電極26上の半導体層22と、半導体層22上の透光性基板20とを備える半導体発光素子12と、透光性基板20の上面20aと接触し、上に凸となるドーム形状を有し、半導体発光素子12の発光波長において透光性を有し、透光性基板20よりも低屈折率であり、パッケージ基板14と接触しない被覆部材16と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板に接合するアノード電極およびカソード電極と、前記アノード電極および前記カソード電極上の半導体層と、前記半導体層上の透光性基板とを備える半導体発光素子と、
前記透光性基板の上面と接触し、上に凸となるドーム形状を有し、前記半導体発光素子の発光波長において透光性を有し、前記透光性基板よりも低屈折率であり、前記パッケージ基板と接触しない被覆部材と、を備える半導体発光装置。
続きを表示（約 330 文字）【請求項２】
前記被覆部材は、前記透光性基板の側面と接触する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記パッケージ基板上に接合される保護素子をさらに備え、
前記被覆部材は、前記保護素子と接触しない、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記パッケージ基板上に接合される保護素子をさらに備え、
前記被覆部材は、前記保護素子の上面と接触する、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記パッケージ基板上の前記半導体発光素子の周囲に設けられる枠体をさらに備え、
前記被覆部材は、前記枠体と非接触である、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
パッケージ基板上に接合される半導体発光素子を樹脂で封止した半導体発光装置が知られている。例えば、封止樹脂を上に向かって凸となるドーム状に形成することにより、光取り出し効率を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１７４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
封止部材をドーム状に形成する場合、半導体発光素子の上部に位置する封止部材の厚みを大きくする必要がある。封止部材を厚くするために封止部材の充填量を大きくすると、封止部材とパッケージ基板の材料の違いによって生じる歪みが大きくなり、封止部材の剥がれやクラックが発生しやすくなる。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様の半導体発光装置は、パッケージ基板と、パッケージ基板に接合するアノード電極およびカソード電極と、アノード電極およびカソード電極上の半導体層と、半導体層上の透光性基板とを備える半導体発光素子と、透光性基板の上面と接触し、上に凸となるドーム形状を有し、半導体発光素子の発光波長において透光性を有し、透光性基板よりも低屈折率であり、パッケージ基板と接触しない被覆部材と、を備える。
【０００７】
本発明によれば、半導体発光装置の光取り出し効率および信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第１実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す上面図である。
第２実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第３実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第３実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す上面図である。
第４実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
第５実施形態に係る半導体発光装置の構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、説明の理解を助けるため、各図面における各構成要素の寸法比は、必ずしも実際の発光素子の寸法比と一致しない。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体発光装置１０の構成を概略的に示す断面図である。半導体発光装置１０は、半導体発光素子１２と、パッケージ基板１４と、被覆部材１６とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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