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公開番号2024084913
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-26
出願番号2022199113
出願日2022-12-14
発明の名称多層基板
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人 楓国際特許事務所
主分類H01Q 1/52 20060101AFI20240619BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】第1放射導体層と第2放射導体層との間を伝搬する電磁波のアイソレーションを向上させる。
【解決手段】第2リファレンス導体層よりZ軸の正側には、Z軸の負方向に見て第2リファレンス導体層と重なる導体が存在しない。Z軸の負方向に見て、第1部分は、1以上の第1層間接続導体と第1放射導体との間に位置する第1外縁を有している。1以上の第2層間接続導体は、1以上の第1層間接続導体の内の第1外縁の最も近くに位置する第1層間接続導体である。Z軸の負方向に見て、1以上の第2層間接続導体と第1放射導体とを結ぶ直線の内の最も短い直線を第1直線と定義する。第1直線を含み、かつ、Z軸に平行な断面を第1断面と定義する。第1断面において、1以上の第2層間接続導体から第1部分の第1外縁までの電流経路の長さは、第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である。
【選択図】 図2
特許請求の範囲【請求項1】
複数の絶縁体層がZ軸に沿って積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている第1放射導体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と重なっていない第2放射導体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と重なっている第1リファレンス導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と前記第2放射導体との間のエリア内に位置している第1部分を含んでいる第2リファレンス導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の少なくとも1つの絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1リファレンス導体層と前記第1部分とを電気的に接続している1以上の第1層間接続導体と、
を備えており、
前記第2リファレンス導体層より前記Z軸の正側には、前記Z軸の負方向に見て前記第2リファレンス導体層と重なる導体が存在せず、
前記Z軸の負方向に見て、前記第1部分は、前記1以上の第1層間接続導体と前記第1放射導体との間に位置する第1外縁を有しており、
1以上の第2層間接続導体は、前記1以上の第1層間接続導体の内の前記第1外縁の最も近くに位置する第1層間接続導体であり、
前記Z軸の負方向に見て、前記1以上の第2層間接続導体と前記第1放射導体とを結ぶ直線の内の最も短い直線を第1直線と定義し、
前記第1直線を含み、かつ、前記Z軸に平行な断面を第1断面と定義し、
(A)又は(B)の構造を備えている、
多層基板。
(A)
前記第1断面において、前記1以上の第2層間接続導体から前記第1部分の前記第1外縁までの電流経路の長さは、前記第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である。
(B)
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている第3リファレンス導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の少なくとも1つの絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1部分と前記第3リファレンス導体層とを電気的に接続している第3層間接続導体と、
を更に備えており、
前記第1断面において、前記1以上の第2層間接続導体から前記第3リファレンス導体層の外縁までの電流経路の長さは、前記第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である。
続きを表示(約 2,000 文字)【請求項2】
前記第2リファレンス導体層は、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体を囲む環形状を有している、
請求項1に記載の多層基板。
【請求項3】
前記第2リファレンス導体層は、前記Z軸の負方向に見て、前記第2放射導体を囲む環形状を有している、
請求項2に記載の多層基板。
【請求項4】
前記多層基板は、
前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体を囲む環形状を有している第4リファレンス導体層と、
前記Z軸の負方向に見て、前記第2放射導体を囲む環形状を有している第5リファレンス導体層と、
を更に備えており、
前記Z軸の負方向に見て、前記第2リファレンス導体層は、前記第4リファレンス導体層と前記第5リファレンス導体層との間に位置している、
請求項1に記載の多層基板。
【請求項5】
前記多層基板は、(A)の構造を備えており、
前記Z軸の負方向に見て、前記第1部分は、前記1以上の第1層間接続導体と前記第2放射導体との間に位置する第2外縁を有しており、
第4層間接続導体は、前記1以上の第1層間接続導体の内の前記第2外縁の最も近くに位置する第1層間接続導体であり、
前記Z軸の負方向に見て、前記第4層間接続導体と前記第2放射導体とを結ぶ直線の内の最も短い直線を第2直線と定義し、
前記第2直線を含み、かつ、前記Z軸に平行な断面を第2断面と定義し、
前記第2断面において、前記第4層間接続導体から前記第1部分の前記第2外縁までの電流経路の長さは、前記第2放射導体を伝搬される第2高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多層基板。
【請求項6】
前記多層基板は、(B)の構造を備えており、
前記Z軸の負方向に見て、前記第1部分は、前記1以上の第1層間接続導体と前記第2放射導体との間に位置する第2外縁を有しており、
第5層間接続導体は、前記1以上の第1層間接続導体の内の前記第2外縁の最も近くに位置する第1層間接続導体であり、
前記Z軸の負方向に見て、前記第5層間接続導体と前記第2放射導体とを結ぶ直線の内の最も短い直線を第2直線と定義し、
前記第2直線を含み、かつ、前記Z軸に平行な断面を第2断面と定義し、
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている第6リファレンス導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の少なくとも1つの絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1部分と前記第6リファレンス導体層とを電気的に接続している第6層間接続導体と、
を更に備えており、
前記第2断面において、前記第5層間接続導体から前記第6リファレンス導体層の外縁までの電流経路の長さは、前記第2放射導体を伝搬される第2高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多層基板。
【請求項7】
前記第2放射導体を伝搬される第2高周波信号の波長は、前記第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長と異なる、
請求項5に記載の多層基板。
【請求項8】
前記1以上の第2層間接続導体は、前記複数の絶縁体層の内の2以上の絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通しており、
前記多層基板は、
前記積層体に設けられ、かつ、前記1以上の第2層間接続導体に接続されている1以上の第5リファレンス導体層を、
更に備えている、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多層基板。
【請求項9】
前記多層基板は、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体より前記Z軸の負側、かつ、前記第1リファレンス導体層より前記Z軸の正側に位置している第1配線層と、
前記複数の絶縁体層の内の1以上の前記絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1放射導体と前記第1配線層とを電気的に接続している第7層間接続導体と、
を更に備えている、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多層基板。
【請求項10】
前記第1放射導体は、
前記積層体に設けられている第1放射導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体層より前記Z軸の負側に位置している第1補助放射導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の1以上の絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通しており、かつ、前記第1放射導体層と前記第1補助放射導体層とを電気的に接続している第8層間接続導体と、
を更に含んでいる、
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の多層基板。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、放射導体層を備える多層基板に関する。
続きを表示(約 2,600 文字)【背景技術】
【0002】
従来の多層基板に関する発明としては、特許文献1に記載のアンテナモジュールが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-83121号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、特許文献1に記載のアンテナモジュールの分野において、複数の放射導体層が設けられる場合がある。このような場合に、複数の放射導体層間を伝搬する電磁波のアイソレーションを向上させたいという要望がある。
【0005】
そこで、本発明の目的は、第1放射導体層と第2放射導体層との間を伝搬する電磁波のアイソレーションを向上させることができる多層基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一形態に係る多層基板は、
複数の絶縁体層がZ軸に沿って積層された構造を有する積層体と、
前記積層体に設けられている第1放射導体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と重なっていない第2放射導体と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記第1放射導体より前記Z軸の負側に位置しており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と重なっている第1リファレンス導体層と、
前記積層体に設けられており、かつ、前記Z軸の負方向に見て、前記第1放射導体と前記第2放射導体との間のエリア内に位置している第1部分を含んでいる第2リファレンス導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の少なくとも1つの絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1リファレンス導体層と前記第1部分とを電気的に接続している1以上の第1層間接続導体と、
を備えており、
前記第2リファレンス導体層より前記Z軸の正側には、前記Z軸の負方向に見て前記第2リファレンス導体層と重なる導体が存在せず、
前記Z軸の負方向に見て、前記第1部分は、前記1以上の第1層間接続導体と前記第1放射導体との間に位置する第1外縁を有しており、
1以上の第2層間接続導体は、前記1以上の第1層間接続導体の内の前記第1外縁の最も近くに位置する第1層間接続導体であり、
前記Z軸の負方向に見て、前記1以上の第2層間接続導体と前記第1放射導体とを結ぶ直線の内の最も短い直線を第1直線と定義し、
前記第1直線を含み、かつ、前記Z軸に平行な断面を第1断面と定義し、
(A)又は(B)の構造を備えている。
(A)
前記第1断面において、前記1以上の第2層間接続導体から前記第1部分の前記第1外縁までの電流経路の長さは、前記第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である。
(B)
前記多層基板は、
前記積層体に設けられている第3リファレンス導体層と、
前記複数の絶縁体層の内の少なくとも1つの絶縁体層を前記Z軸に沿って貫通し、かつ、前記第1部分と前記第3リファレンス導体層とを電気的に接続している第3層間接続導体と、
を更に備えており、
前記第1断面において、前記1以上の第2層間接続導体から前記第3リファレンス導体層の外縁までの電流経路の長さは、前記第1放射導体を伝搬される第1高周波信号の波長の1/8倍以上1/2倍以下である。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、第1放射導体層と第2放射導体層との間を伝搬する電磁波のアイソレーションを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、多層基板10の分解斜視図である。
図2は、多層基板10の上面図である。
図3は、多層基板10の断面図である。
図4は、多層基板10aの上面図である。
図5は、多層基板10bの上面図である。
図6は、多層基板10cの上面図である。
図7は、多層基板10dの分解斜視図である。
図8は、多層基板10eの断面図である。
図9は、多層基板10fの断面図である。
図10は、多層基板10gの上面図である。
図11は、多層基板10hの上面図である。
図12は、多層基板10iの上面図である。
図13は、多層基板10jの上面図である。
図14は、多層基板10kの上面図である。
図15は、多層基板10lの第1放射導体層16の上面図である。
図16は、多層基板10mの第1放射導体層16の上面図である。
図17は、多層基板10nの第1放射導体層16の上面図である。
図18は、多層基板10oの第1放射導体17の上面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
(実施形態)
[多層基板10の構造]
以下に、本発明の一実施形態に係る多層基板10の構造について図面を参照しながら説明する。図1は、多層基板10の分解斜視図である。図2は、多層基板10の上面図である。図3は、多層基板10の断面図である。図3は、図2のA-Aにおける断面図である。
【0010】
以下では、積層体12の積層方向を上下方向と定義する。上下方向は、Z軸方向と一致する。上方向は、Z軸の正方向である。下方向は、Z軸の負方向である。積層体12を下方向に見て、積層体12の辺が延びる2方向のそれぞれを左右方向及び前後方向と定義する。左右方向は、上下方向に直交している。前後方向は、上下方向及び左右方向に直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板10の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。また、各図面において上下方向が反転してもよい。同様に、各図面において左右方向が反転してもよい。各図面において前後方向が反転してもよい。
(【0011】以降は省略されています)

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