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公開番号2024082952
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2022197188
出願日2022-12-09
発明の名称転写方法
出願人東レエンジニアリング株式会社
代理人
主分類H01L 21/52 20060101AFI20240613BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することができる転写方法を提供する。
【解決手段】転写基板22と被転写基板23の間隔が第1の間隔d1となるように転写基板22が所定の素子21を保持した状態で、所定の素子21を挟むように転写基板22と被転写基板23とを対向させる転写準備工程と、所定の素子21の保持位置の近傍で転写基板22にブリスタ30を生じさせることによって、所定の素子21と被転写基板23とを接近させて所定の素子21を被転写基板23に保持させる転写工程と、転写基板22と被転写基板23の間隔を第1の間隔d1よりも大きい第2の間隔d2に広げる基板離間工程と、転写基板22上の素子21の配列方向に転写基板22と被転写基板23とを相対移動させる配列方向移動工程と、転写基板22と被転写基板23の間隔を第1の間隔d1に戻す基板接近工程と、を有する。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項1】
転写基板上に配列された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔が第1の間隔となるように前記転写基板が所定の素子を保持した状態で、当該所定の素子を挟むように前記転写基板と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、
前記所定の素子の保持位置の近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子と前記被転写基板とを接近させて前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔に広げる基板離間工程と、
前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程と、
前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第1の間隔に戻す基板接近工程と、
を有することを特徴とする、転写方法。
続きを表示(約 180 文字)【請求項2】
前記転写工程では、前記所定の素子は一部が先行して前記被転写基板に保持された後、前記被転写基板に保持される部分が徐々に増加することによって最終的に前記所定の素子全体が前記被転写基板に保持され、
前記基板離間工程は、前記転写工程において前記所定の素子の全体が前記被転写基板に保持される前に開始することを特徴とする、請求項1に記載の転写方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、光エネルギーを転写基板に照射し、ブリスタリングを利用して素子を被転写基板へ転写する、転写方法に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
近年、半導体チップはコスト低減のために小型化され、この小型化した半導体チップを高精度に実装するための取組みが行われている。この小型化したチップを高速で実装するにあたり、転写基板に接合されたチップの転写基板との接合面へレーザを照射することによってアブレーションを生じさせ、チップを転写基板から剥離、付勢させて被転写基板へと転写する、いわゆるレーザリフトオフなる手法が採用されている。
【0003】
特許文献1には、転写基板に設けられた、表面側に接着材層を有するブリスタリング層にレーザビームを照射することによって、ブリスタリング層をアブレーションさせる技術が開示されている。このブリスタリング層ではアブレーションによってブリスタ(膨らみ)が生じ、このブリスタの発生によって接着剤層に接着されていた物品(素子)を押し出し、これにより物品を転写基板から切り離す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特表2014-515883号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献1で示される素子の転写方法では、複数の素子を転写基板から被転写基板に転写するにあたって素子同士の配列間隔を変えながら転写する場合に、被転写基板に転写された素子が位置ずれを起こすおそれがあった。具体的には、図10(a)に示すように転写基板122が有するブリスタリング層124にレーザ光111を照射してブリスタ130を生じさせて素子121を被転写基板123へ転写するにあたって、ブリスタ130の大きさによっては図10(b)に示すように素子121の全体が被転写基板123上のキャッチ層125に転写された後もブリスタ130がしぼむまでブリスタリング層124が素子121に付着している状態が続く場合がある。ここで、仮にキャッチ層125の粘着力がブリスタリング層124の粘着力よりも充分大きくなかった場合には、素子の配列間隔を変更するために転写基板122と被転写基板123とを相対移動させたときに、図10(c)に示すように未だ素子121付着しているブリスタリング層124に素子121が引っ張られて位置ずれが生じるといった問題があった。
【0006】
本願発明は、上記問題点を鑑み、ブリスタリングによる素子の転写において被転写基板上の正確な位置へ転写基板から素子を転写することができる転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記課題を解決するために本発明の転写方法は、転写基板上に配列された素子を被転写基板へ転写する転写方法であり、前記転写基板と前記被転写基板の間隔が第1の間隔となるように前記転写基板が所定の素子を保持した状態で、当該所定の素子を挟むように前記転写基板と前記被転写基板とを対向させる転写準備工程と、前記所定の素子の保持位置の近傍で前記転写基板にブリスタを生じさせることによって、前記所定の素子と前記被転写基板とを接近させて前記所定の素子を前記被転写基板に保持させる転写工程と、前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔に広げる基板離間工程と、前記転写基板上の素子の配列方向に前記転写基板と前記被転写基板とを相対移動させる配列方向移動工程と、前記転写基板と前記被転写基板の間隔を前記第1の間隔に戻す基板接近工程と、を有することを特徴としている。
【0008】
本発明の転写方法によれば、配列方向移動工程の前に基板離間工程が行われることによって、配列方向移動工程の際に被転写基板に転写された素子が転写基板に引っ張られて位置ずれすることを防ぐことができる。
【0009】
また、前記転写工程では、前記所定の素子は一部が先行して前記被転写基板に保持された後、前記被転写基板に保持される部分が徐々に増加することによって最終的に前記所定の素子全体が前記被転写基板に保持され、前記基板離間工程は、前記転写工程において前記所定の素子の全体が前記被転写基板に保持される前に開始すると良い。
【0010】
こうすることにより、1つの素子の転写に要する時間を短縮させることができる。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)

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