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公開番号2024081248
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-18
出願番号2022194726
出願日2022-12-06
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20240611BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の放熱性能の向上を図ること。
【解決手段】半導体装置10は、封止表面41と、封止表面41とは反対側を向く封止裏面42とを有する封止樹脂40と、封止樹脂40内に設けられ、封止裏面42から露出する端子部32を含む導電層30と、封止樹脂40内に設けられ、封止表面41と同じ側を向く素子表面21と、封止裏面42と同じ側を向く素子裏面22とを有し、導電層30と電気的に接続された半導体素子20と、を備える。封止樹脂40は、封止裏面42に設けられ、半導体素子20の素子裏面22を露出する凹部47を有する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項1】
封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有する封止樹脂と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止裏面から露出する端子部を含む導電層と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、前記導電層と電気的に接続された半導体素子と、
を備え、
前記封止樹脂は、前記封止裏面に設けられ、前記半導体素子の前記素子裏面を露出する凹部を有する
半導体装置。
続きを表示(約 900 文字)【請求項2】
前記半導体素子は、
前記素子表面の一部を構成し、前記導電層と電気的に接続された表面電極と、
前記素子裏面の少なくとも一部を構成する裏面電極と、
を有する
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記導電層は、前記封止表面と同じ側を向く主面を有し、
前記素子裏面は、前記主面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子表面は、前記主面よりも前記封止裏面寄りに位置している
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記半導体素子は、前記素子表面の一部を構成し、前記導電層と電気的に接続された表面電極を有し、
前記表面電極と前記導電層とはボンディングワイヤによって接続されており、
前記ボンディングワイヤのうち前記封止表面に最も近い頂点は、平面視において前記表面電極との第1接合部と、前記導電層との第2接合部との間のうち前記第1接合部寄りに設けられている
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記凹部は、前記裏面電極の側面を露出するように構成されている
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記凹部は、平面視において円形に形成されている
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記裏面電極は、前記素子裏面の全体を構成している
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記裏面電極の厚さは、前記表面電極の厚さよりも厚い
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記導電層は、
前記表面電極と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層から離隔して設けられた第2導電層と、
を含み、
前記半導体素子は、前記第1導電層と前記第2導電層との間に配置されている
請求項2に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)【背景技術】
【0002】
矩形状の基板と、基板の外周部に配置された複数の貫通配線と、基板の主面に形成され、複数の貫通配線に個別に接続された主面配線と、主面配線上に実装された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置が知られている(たとえば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-93454号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、半導体装置の放熱性能に改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決する半導体装置は、封止表面と、前記封止表面とは反対側を向く封止裏面とを有する封止樹脂と、前記封止樹脂内に設けられ、前記封止裏面から露出する端子部を含む導電層と、前記封止樹脂内に設けられ、前記封止表面と同じ側を向く素子表面と、前記封止裏面と同じ側を向く素子裏面とを有し、前記導電層と電気的に接続された半導体素子と、を備え、前記封止樹脂は、前記封止裏面に設けられ、前記半導体素子の前記素子裏面を露出する凹部を有する。
【発明の効果】
【0006】
上記半導体装置によれば、半導体装置の放熱性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、第1実施形態の半導体装置の斜視図である。
図2は、図1の半導体装置の平面図である。
図3は、図1の半導体装置の裏面図である。
図4は、図2のF4-F4線で半導体装置を切断した断面図である。
図5は、図4の封止樹脂の凹部およびその周辺を拡大した断面図である。
図6は、図2のF6-F6線で半導体装置を切断した断面構造のうち封止樹脂の凹部およびその周辺を拡大した断面図である。
図7は、第1実施形態の半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図8は、図7に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図9は、図8に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図10は、図9に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図11は、図10に続く半導体装置の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。
図12は、第1実施形態の半導体装置が回路基板に実装された状態の断面図である。
図13は、第2実施形態の半導体装置の断面図である。
図14は、第3実施形態の半導体装置の平面図である。
図15は、第3実施形態の半導体装置の裏面図である。
図16は、変更例の半導体装置の裏面図である。
図17は、変更例の半導体装置の平面図である。
図18は、図17の半導体装置の裏面図である。
図19は、変更例の半導体装置の裏面図である。
図20は、変更例の半導体装置の裏面図である。
図21は、変更例の半導体装置の断面図である。
図22は、図21の半導体装置の裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して本開示の半導体装置の実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0009】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は、本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図していない。
【0010】
<第1実施形態>
[半導体装置の構成]
図1~図6を参照して、第1実施形態の半導体装置10の構成について説明する。図1は半導体装置10の斜視構造を示し、図2は半導体装置10の平面構造を示し、図3は半導体装置10の裏面構造を示している。図4は半導体装置10の断面構造を示し、図5および図6は図4の一部の拡大構造を示している。なお、半導体装置10の後述する封止樹脂40は透光部材によって形成されているため、封止樹脂40の内部に設けられた部品は実線で示されている。また図2では、図面の理解を容易にするため、後述する凹部47を省略している。
(【0011】以降は省略されています)

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