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公開番号2024080424
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-13
出願番号2022193603
出願日2022-12-02
発明の名称シリコン基板用研磨液組成物
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240606BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一態様において、保存安定性に優れるシリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、下記成分A、下記成分B、成分C及び下記成分Dを含有する、シリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物に関する。
成分A:シリカ粒子
成分B:含窒素塩基性化合物
成分C:カチオン性界面活性剤
成分D:ノニオン性界面活性剤
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：含窒素塩基性化合物
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
成分Ｄは、ポリオキシエチレンアルキルエーテルである、請求項１に記載の研磨液組成物。
【請求項３】
成分Ａの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
【請求項４】
成分Ｃは、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ｃ１）である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項５】
ヒドロキシアルキルセルロース、ポリグリセリン、及び、窒素含有基を含む水溶性高分子から選ばれる少なくとも１種の水溶性高分子（成分Ｅ）をさらに含む、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項６】
ポリエチレングリコール（成分Ｆ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、研磨液組成物の製造方法。
【請求項９】
少なくともシリカ粒子（成分Ａ）、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）、カチオン性界面活性剤（成分Ｃ）及びノニオン性界面活性剤（成分Ｄ）を配合する工程を含む、研磨液組成物の濃縮物の製造方法。
【請求項１０】
下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含む、シリコン基板研磨用添加剤組成物。
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、シリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物、並びにこれを用いた研磨方法、半導体基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコン基板（ベアウェーハ）の表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。
【０００３】
シリコン基板の品質を向上する目的で、シリコン基板の研磨は多段階で行われている。特に研磨の最終段階で行われる仕上げ研磨は、ヘイズの低減を目的として行われている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、シリカ等の研磨剤、アンモニア等の塩基性成分、炭素数６以上の第4級アンモニウム塩等の化合物、及び、水性キャリヤ－を含有する、化学機械研磨組成物が提案されている。
特許文献２には、シリカ粒子と、第４級アンモニウム化合物、水溶性高分子とを含み、前記第４級アンモニウム化合物の第４級アンモニウム基の炭素数が１０以上２２以下であり、第４級アンモニウム化合物のＮ
+
総モル数ｂとシリカ粒子のシラノール基の総モル数ａとの比率ｂ／ａが０.００５以上２．００以下である、シリコンウェーハ用研磨液組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２０－２０３９８０号公報
特開２０１８－１０７２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
通常、研磨液組成物は濃縮物の状態で保管、輸送されるものである。しかし、特許文献１～２のように、研磨液組成物中に第４級アンモニウム化合物（カチオン性化合物）が含まれていると、シリカ濃度の高い研磨液組成物又はその濃縮物ではシリカ粒子が凝集しやすいという問題がある。そのため、シリカ濃度の高い研磨液組成物又はシリカ濃度の高い濃縮物には保存安定性が要求される。
【０００７】
そこで、本開示は、保存安定性に優れるシリコン基板用研磨液組成物及びその濃縮物、並びに、これを用いた研磨方法、及び半導体基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ及び下記成分Ｄを含有する、シリコン基板用研磨液組成物に関する。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：含窒素塩基性化合物
成分Ｃ：カチオン性界面活性剤
成分Ｄ：ノニオン性界面活性剤
【０００９】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物の濃縮物に関する。
【００１０】
本開示は、一態様において、本開示の研磨液組成物の濃縮物を希釈する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。
（【００１１】以降は省略されています）

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