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公開番号2024029570
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-06
出願番号2022131902
出願日2022-08-22
発明の名称感光性表面処理剤、パターン形成用基板、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法
出願人株式会社ニコン,学校法人神奈川大学
代理人個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20240228BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感光性表面処理剤の提供。
【解決手段】下記式(M1)で表される化合物を含む、感光性表面処理剤。(式(M1)中、R¹は水素原子又はtert-ブトキシカルボニル基又はエステル系保護基であり、R²は水素原子又は炭素数1～6のアルキル基であり、mは1以上の整数であり、Xはハロゲン原子又はアルコキシ基である。
[化1]
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特許請求の範囲【請求項１】
下記式（Ｍ１）で表される化合物を含む、感光性表面処理剤。
TIFF
2024029570000013.tif
43
170
（式（Ｍ１）中、Ｒ
１
は水素原子又はｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基又はエステル系保護基であり、Ｒ
２
は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、ｍは１以上の整数であり、Ｘはハロゲン原子又はアルコキシ基である。）
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を用いて化学修飾された表面を有するパターン形成用基板。
【請求項３】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を含む積層体。
【請求項４】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を含むトランジスタ。
【請求項５】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、樹脂膜を成膜する工程と、
前記樹脂膜を脱保護し、感光性樹脂膜にする工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に対して無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、樹脂膜を成膜する工程と、
前記樹脂膜を脱保護し、感光性樹脂膜にする工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射する工程と、
前記所定のパターン光の照射領域の少なくとも一部の領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、樹脂膜を成膜する工程と、
前記樹脂膜を脱保護し、感光性樹脂膜にする工程と、
前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にアミン発生領域を形成する工程と、
前記アミン発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項８】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、樹脂膜を成膜する工程と、
前記樹脂膜を脱保護し、感光性樹脂膜にする工程と、
前記感光性樹脂膜を塩基性溶液に浸漬する工程と、
前記塩基性溶液に浸漬した後、前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にアミン発生領域を形成する工程と、
前記アミン発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項９】
請求項１に記載の感光性表面処理剤を基板上に塗布し、樹脂膜を成膜する工程と、
前記樹脂膜を脱保護し、感光性樹脂膜にする工程と、
前記感光性樹脂膜を塩基性溶液に浸漬する工程と、
前記塩基性溶液に浸漬しながら、前記感光性樹脂膜に所定のパターンの光を照射して、露光領域にアミン発生領域を形成する工程と、
前記アミン発生領域に無電解めっき用触媒を配置し、無電解めっきを行う工程と、を備える、パターン形成方法。
【請求項１０】
前記塩基性溶液は、水酸化テトラブチラムモニウム（ＴＢＡＨ）水溶液である、請求項８または９に記載のパターン形成方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性表面処理剤、パターン形成用基板、積層体、トランジスタ、パターン形成方法及びトランジスタの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイス等の製造において、基板上に、表面特性の異なるパターンを形成し、その表面特性の違いを利用して微細デバイスを作成する方法が提案されている。
【０００３】
基板上の表面特性の違いを利用したパターン形成方法としては、たとえば、基板の一部に化学的に活性な置換基を発生させた領域を形成する方法がある。この方法により基板の一部に金属材料、有機材料又は無機材料を密着させることができる。
【０００４】
基板上に金属材料を密着させ、金属膜を形成する技術として無電解めっき処理がある。例えば特許文献１は、無電解めっき処理による微細な配線を形成する技術を開示している。具体的には、特許文献１は、触媒活性化層とフォトレジストを用い、一面にめっきした状態からエッチング、またはリフトオフによる光パターニングを行うことを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００６－２２０１号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明の第１の態様は、下記式（Ｍ１）で表される化合物を含む、感光性表面処理剤である。
【０００７】
TIFF
2024029570000001.tif
43
170
（式（Ｍ１）中、Ｒ
１
は水素原子又はｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基又はエステル系保護基であり、Ｒ
２
は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、ｍは１以上の整数であり、Ｘはハロゲン原子又はアルコキシ基である。）
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態のパターン形成方法を説明するための模式図である。
本実施形態のトランジスタの製造方法を説明するための模式図である。
ＰＥＴ基板に上記めっき配線の製造１～４で加工したＬ／Ｓ＝１００／１００、５／５の光学顕微鏡像である。
ＰＥＴ基板に上記めっき配線の製造３で加工したＬ／Ｓ＝１／１～９／９ｕｍの光学顕微鏡像である。
ＰＥＴ基板上の樹脂膜の分子構造である。
上記めっき配線の製造５で加工したＰＥＴ基板の全体像である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜感光性表面処理剤＞
本発明の感光性表面処理剤は、下記式（Ｍ１）で表される化合物を含む。
【００１０】
TIFF
2024029570000002.tif
43
170
（式（Ｍ１）中、Ｒ
１
は水素原子又はｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基又はエステル系保護基であり、Ｒ
２
は水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、ｍは１以上の整数であり、Ｘはハロゲン原子又はアルコキシ基である。）
（【００１１】以降は省略されています）

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