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公開番号
2024027772
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-03-01
出願番号
2022130861
出願日
2022-08-19
発明の名称
フィルムコンデンサ
出願人
ニチコン株式会社
代理人
個人
主分類
H01G
4/32 20060101AFI20240222BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】フィルムコンデンサに関して、ESL(等価直列インダクタンス)に対する低減効果とともにバスバーの繋ぎ部に対する折り曲げ加工性の向上を図る。
【解決手段】第1および第2のバスバー2,3はそれぞれ本体基板部2a,3a、繋ぎ部2b,3b、複数の接続端子部2c,3cを有している。両繋ぎ部2b,3bは、幅方向Wに沿った折り曲げ領域2b
21
,2b
22
を伴う状態で幅方向Wに対して交差する方向Xで折り曲げられ、両者間に絶縁板7を介在させた対向状態の重合領域Aを形成している。第1の繋ぎ部2bにおいて、折り曲げ領域2b
21
,2b
22
にまで亘る切欠き部2b
3
が形成され、切欠き部2b
3
によって幅方向Wで複数に分割した分割繋ぎ部2b
D
の各々の幅方向Wにおける長さが複数の接続端子部2c,3cの幅に比べて大きい。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
コンデンサ素子と、前記コンデンサ素子の電極に本体基板部が接続された第1のバスバーおよび第2のバスバーと、前記コンデンサ素子と少なくとも前記第1および第2のバスバーの本体基板部とを被覆する樹脂層とを備えるとともに、
前記第1のバスバーは一方端が前記第1のバスバーの本体基板部に繋がる第1の繋ぎ部を有し、前記第1の繋ぎ部の他方端において前記樹脂層から露出する部分の遊端辺の複数箇所から第1の接続端子部が突出され、
前記第2のバスバーは一方端が前記第2のバスバーの本体基板部に繋がる第2の繋ぎ部を有し、前記第2の繋ぎ部の他方端において前記樹脂層から露出する部分の遊端辺の複数箇所から第2の接続端子部が突出され、
前記第1の繋ぎ部と前記第2の繋ぎ部とは、前記遊端辺が延びる幅方向に沿った折り曲げ領域を伴う状態で前記幅方向に対して交差する方向で折り曲げられているとともに、両者間に絶縁部材を介在させた対向状態の重合領域を形成しており、
前記第1の繋ぎ部と前記第2の繋ぎ部のうち少なくとも一方の繋ぎ部において、前記折り曲げ領域に前記交差方向に亘って切り欠かれた切欠き部が形成され、当該切欠き部によって前記幅方向で複数に分割された分割繋ぎ部の各々の前記幅方向における長さが前記第1および第2の接続端子部の幅に比べて大きいことを特徴とするフィルムコンデンサ。
続きを表示(約 630 文字)
【請求項2】
前記第1および第2の繋ぎ部における重合領域は、前記第1および第2の接続端子部に面一状態で連接する水平領域と、この水平領域に対して屈折状態で連接する垂直領域とを有し、
前記切欠き部は、前記水平領域と前記垂直領域に跨って切り欠かれた第1の切欠きを有する請求項1に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項3】
前記切欠き部は、前記第1の切欠きに加えて前記垂直領域と前記本体基板部に跨って切り欠かれた第2の切欠きを有する請求項2に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項4】
前記第1の切欠きと前記第2の切欠きとの間には、隣接する前記分割繋ぎ部を接続する架け渡し部が設けられている請求項3に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項5】
前記架け渡し部の水平方向に延びる上辺または下辺位置が前記樹脂層を形成するための充填樹脂の充填高さ基準位置に設定されている請求項4に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項6】
前記複数の分割繋ぎ部の各々の幅方向の長さが同じである請求項1に記載のフィルムコンデンサ。
【請求項7】
前記切欠き部は、前記第1の繋ぎ部と前記第2の繋ぎ部の両方の繋ぎ部に形成され、前記幅方向における前記第1の繋ぎ部の前記切欠き部の位置と前記第2の繋ぎ部の前記切欠き部の位置が一致している請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載のフィルムコンデンサ。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、フィルムコンデンサに関し、ESL(等価直列インダクタンス)に対する低減効果とともにバスバーの繋ぎ部に対する折り曲げ加工性の向上を図る技術に関する。
続きを表示(約 2,500 文字)
【背景技術】
【0002】
図11は第1の従来例における第1のバスバー2と第2のバスバー3を表している。第1のバスバー2の構成要素として、2aは第1の本体基板部、2bは逆L字状に折り曲げられた第1の繋ぎ部、2cは第1の接続端子部、第2のバスバー3の構成要素として、3aは第2の本体基板部、3bは逆L字状に折り曲げられた第2の繋ぎ部、3cは第2の接続端子部である。軸方向を上下方向とする姿勢のコンデンサ素子群(図示せず)の上面の電極に第1の本体基板部2aが接続され、第2の本体基板部3aはコンデンサ素子群の下面の電極に接続されている。第1の繋ぎ部2bは垂直領域と水平領域とで逆L字状に折り曲げられ、垂直領域の下端部が第1の本体基板部2aに連接されている。複数の第1の接続端子部2cが第1の繋ぎ部2bの遊端辺2b
1
からさらに水平方向外方へ突出している。第2の繋ぎ部3bは垂直領域と水平領域とで逆L字状に折り曲げられている。その垂直領域の下端部が第2の本体基板部3aに連接されている。複数の第2の接続端子部3cが第2の繋ぎ部3bの遊端辺3b
1
からさらに水平方向外方へ突出している。第2の繋ぎ部3bの垂直領域は第1の繋ぎ部2bの垂直領域より上下寸法が大きくなっている。第1の本体基板部2aと第2の本体基板部3aとの上下寸法の差はコンデンサ素子群の高さにほぼ匹敵している。第1の繋ぎ部2bの水平領域と第2の繋ぎ部3bの水平領域との上下寸法の差は両者間に介装される絶縁板の厚みにほぼ匹敵している。
【0003】
第1の繋ぎ部2bの水平領域と垂直領域との境界部分が上位の折り曲げ領域2b
21
であり、垂直領域と第1の本体基板部2aとの境界部分が下位の折り曲げ領域2b
22
である。
【0004】
第1の繋ぎ部2bと第2の繋ぎ部3bとの重合領域Aがハッチングで強調表示されている。この重合領域Aにおいては、第1の繋ぎ部2bと第2の繋ぎ部3bとの間の狭いすき間に断面形状逆L字形のアングル状に折り曲げられた絶縁板(図示せず)が介在されている。重合領域Aにおいて、第1の繋ぎ部2bに流れる電流の方向と第2の繋ぎ部3bに流れる電流の方向とが互いに逆方向(反平行)となり、それぞれの電流が作る磁界が互いに打ち消し合って、ないしは減じ合ってバスバーのESLを低減化する。
【0005】
図12は第2の従来例における第1のバスバー2と第2のバスバー3を表している。第2の従来例の場合には、複数の第1の接続端子部2cを第1の本体基板部2aに連接する第1の繋ぎ部2bは、第1の接続端子部2cの横幅w
3
と同程度の小幅な寸法となっている。すなわち、図11の第1の従来例に比べると、第1の接続端子部2cに対応する部分を残して第1の繋ぎ部2bが大きく切除されている。第1の接続端子部2cの根元相当位置(図11の遊端辺2b
1
参照)から上位の折り曲げ領域2b
21
を通り越して下位の折り曲げ領域2b
22
に至る広い範囲で切除されている。2b
3
′がその切除縁である。
【0006】
このように上位・下位の折り曲げ領域2b
21
,2b
22
を含めた広い範囲に亘って第1の繋ぎ部2bを切除するのは、折り曲げ加工における折り曲げ抵抗を大幅に軽減して折り曲げ加工の精度を向上し、第1の接続端子部2cの位置の精度を改善するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特許第6895610号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
第1の従来例(図11)の場合には、複数の第1の接続端子部2cを第1の本体基板部2aに連接する第1の繋ぎ部2bは、第1の本体基板部2aの横幅の全域にわたる非分割で単一の繋ぎ部として構成されている。この繋ぎ部2bはベタ(すきま(切欠き)のないさま;一面に広がっているさま)の状態である。非分割で単一の(つまりベタの)繋ぎ部の場合、対向する一対のL字状の繋ぎ部2b,3bどうしの重合面積S2(これは上位の第1の繋ぎ部2bの面積とほぼ同じ)を大きくすることも可能であるが、折り曲げ領域2b
21
,2b
22
の幅は本体基板部2aの全幅と同じか同程度の大きなものとなり、折り曲げ加工における折り曲げ抵抗が大きなものになる。そのため、折り曲げ加工の精度が悪く、接続端子部および繋ぎ部先端(遊端辺2b
1
)の位置の精度が低いものとなる。結果的に、重合面積S2を大きくすることができず、バスバーのESLを低減化することができない。
【0009】
第2の従来例(図12)の場合には、第1の接続端子部2cと第1の本体基板部2aとの間に位置してこれら両者を連接する第1の繋ぎ部2bは、その幅w
3
が第1の接続端子部2cと同程度の短い寸法のものとなっている。すなわち、上位の折り曲げ領域2b
21
を通り下位の折り曲げ領域2b
22
に至る比較的大きな面積の領域が切除されている。切除した範囲は重合領域を形成することはできない。そのため、第1の繋ぎ部2bと第2の繋ぎ部3bとの重合領域Aが第1の従来例(図11)に比べて大きく減少している(切除縁2b
3
′参照)。
【0010】
第2の従来例にあっては曲げ抵抗をできるだけ減じたいために切り取りの面積をなるべく大きくしている。切り取りを行うことなく残存する領域は曲げ抵抗を低減する上で不利益となるからである。その結果として重合領域Aの面積(具体的には、分割された単位の重合面積をS3、接続端子部2cの個数をnとして、S3×nの面積)が小さくなってしまい、ESLが増大悪化してしまう。
(【0011】以降は省略されています)
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