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公開番号2024106060
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-07
出願番号2023010141
出願日2023-01-26
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/34 20060101AFI20240731BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】絶縁シートの破断や剥離を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数のリードフレーム1と、複数のリードフレーム1に搭載された複数の半導体素子2と、複数のリードフレーム1の下に配置されたヒートシンク6と、複数のリードフレーム1とヒートシンク6との間に介在する絶縁シート5と、を備える。絶縁シート5およびヒートシンク6は、2つ以上に分割されており、複数の半導体素子2のすべてが絶縁シート5およびヒートシンク6と平面視で重なる位置に配置されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
複数のリードフレームと、
複数の前記リードフレームに搭載された複数の半導体素子と、
複数の前記リードフレームの下に配置されたヒートシンクと、
複数の前記リードフレームと前記ヒートシンクとの間に介在する絶縁シートと、
を備え、
前記絶縁シートおよび前記ヒートシンクは、2つ以上に分割されており、
複数の前記半導体素子のすべてが前記絶縁シートおよび前記ヒートシンクと平面視で重なる位置に配置されている、
半導体装置。
続きを表示(約 360 文字)【請求項2】
2つ以上の前記絶縁シートの熱伝導率がそれぞれ異なる、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
1つの前記絶縁シートに2つ以上の前記リードフレームが密着している、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
2つ以上の前記絶縁シートのそれぞれ形状は、複数の前記リードフレームの配置に対応した形状である、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項5】
2つ以上の前記絶縁シートは、平面視で点対称に配置されている、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項6】
2つ以上の前記絶縁シートは、平面視で非対称に配置されている、
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関し、特に、放熱面に絶縁シートを備える半導体装置に関するものである。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
半導体素子を搭載したリードフレームとヒートシンクとの間に放熱性の高い絶縁シートを介在させることで、リードフレームとヒートシンクとの間を絶縁した構造の半導体装置が知られている。例えば下記の特許文献1には、半導体素子を搭載するリードフレームが厚肉部と薄肉部とを有し、厚肉部の下面に絶縁シートが接合され、隣り合う厚肉部にそれぞれ個別の絶縁シートが接合された構造の半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2018-82005号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体装置の製造において、半導体装置をモールド樹脂で封止した後に温度を室温まで下げる過程で、半導体装置の構成部材に熱収縮が生じる。特に、半導体装置のサイズが大きくなると、構成部材の熱収縮による変形量が大きくなり、絶縁シートの破断や剥離といった不具合が生じやすくなる。
【0005】
本開示は以上のような課題を解決するためになされたものであり、絶縁シートの破断や剥離を防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る半導体装置は、複数のリードフレームと、複数の前記リードフレームに搭載された複数の半導体素子と、複数の前記リードフレームの下に配置されたヒートシンクと、複数の前記リードフレームと前記ヒートシンクとの間に介在する絶縁シートと、を備え、前記絶縁シートおよび前記ヒートシンクは、2つ以上に分割されており、複数の前記半導体素子のすべてが前記絶縁シートおよび前記ヒートシンクと平面視で重なる位置に配置されている。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、絶縁シートの破断や剥離を防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。
モールド樹脂成形後の半製品である半導体装置の例を示す図である。
リードフレーム加工後の半導体装置の例を示す図である。
本開示における図示の方法を説明するための図である。
実施の形態2に係る半導体装置の構成を示す図である。
実施の形態3に係る半導体装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
<実施の形態1>
図1は、実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す図である。実施の形態1に係る半導体装置は、銅などの金属からなる複数のリードフレーム1と、それら複数のリードフレーム1上に搭載された半導体チップである複数の半導体素子2とを備える。リードフレーム1と半導体素子2とは、接合剤3を介して接合されている。後述するように、図1ではリードフレーム1の一部分のみが示されている。また、半導体素子2の上面に設けられた電極同士は金属ワイヤー等を用いて電気的に接続されるが、それらの図示は省略している。
【0010】
リードフレーム1の下面には、例えば樹脂と無機フィラーとの混合物から成る放熱性の高い絶縁シート5が設けられ、絶縁シート5の下に金属製のヒートシンク6が設けられている。つまり、ヒートシンク6は、絶縁シート5を介してリードフレーム1に貼り付けられており、絶縁シート5によってリードフレーム1とヒートシンク6との間は絶縁されている。
(【0011】以降は省略されています)

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