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公開番号2025176088
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-03
出願番号2025144080,2021207379
出願日2025-08-29,2021-12-21
発明の名称基板処理装置、および、物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/368 20060101AFI20251126BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の膜に対する熱処理のスループットを向上させるために有利な技術を提供する。
【解決手段】基板装置は、チャンバと、膜を有する基板を前記チャンバの内部空間において保持する基板保持部と、前記膜が熱処理されるように前記膜を加熱するヒータと、前記内部空間に連通するガスサンプリング部を有し、前記内部空間の特定ガスを検出するガス分析計と、
前記基板の表面に沿って流れて前記ガスサンプリング部に至る不活性ガスの流れが形成されるように前記内部空間に前記不活性ガスを供給する供給部を含むガス流形成部と、前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の熱処理の終了を判定するコントローラと、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバと、
膜を有する基板を前記チャンバの内部空間において保持する基板保持部と、
前記膜が熱処理されるように前記膜を加熱するヒータと、
前記内部空間に連通するガスサンプリング部を有し、前記内部空間の特定ガスを検出するガス分析計と、
前記基板の表面に沿って流れて前記ガスサンプリング部に至る不活性ガスの流れが形成されるように前記内部空間に前記不活性ガスを供給する供給部を含むガス流形成部と、
前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の熱処理の終了を判定するコントローラと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記供給部は、少なくとも１つの供給ノズルを含み、前記少なくとも１つの供給ノズルを通して前記内部空間に前記不活性ガスを供給し、
前記少なくとも１つの供給ノズルを通して前記内部空間に供給された前記不活性ガスが前記基板の前記表面に沿って流れる、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガス流形成部は、前記内部空間から前記不活性ガスを排出する排出口を含み、
前記排出口は、前記基板保持部によって保持された前記基板の中央部に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排出口の軸方向は、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記表面の法線方向に沿っている、
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガスサンプリング部は、前記排出口の近傍に配置されている、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ガスサンプリング部は、前記基板保持部によって保持された前記基板に対向するように配置されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ガスサンプリング部の軸方向は、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記表面の法線方向に沿っている、
ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ガスサンプリング部の少なくとも一部は、前記排出口の中に配置されている、
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの供給ノズルは、互いに対向して配置された２つの供給ノズルを含む、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記供給部は、前記不活性ガスを前記内部空間に噴き出す供給ノズルを含み、前記ガス流形成部は、前記供給ノズルに対向するように配置され前記内部空間から前記不活性ガスを排出する排出口を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、オーブンと、オーブンの中で試料を加熱する加熱ヒータと、オーブンからの廃ガスを検出する廃ガス検出装置と、加熱プロセスコントローラとを有する薄膜製造装置が記載されている。この薄膜製造装置では、真空排気されたオーブン内での試料のキュア中にオーブンから排出されるガスを廃ガス検出装置で分析し、特定物質が検出されなくなったときに加熱プロセスコントローラが加熱ヒータへの電力供給を停止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平７－４０３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
試料の表面の近傍とそこから遠い位置（例えば、オーブンの内面）とでは、検出対象のガスの濃度はかなり異なりうる。加熱プロセスの終了をより速やかに検出するためには、試料の表面の近傍のガスを採取してそれを廃ガス検出装置で分析するべきである。ところが、特許文献１に記載された薄膜製造装置では、オーブン内の全空間のガスを対象として廃ガス検出装置によって分析がなされるので、試料の状態がその分析結果に反映されるまでに、かなりの時間遅れが発生しうる。これは、加熱プロセスの停止を遅れさせ、スループットを低下させる要因になりうる。
【０００５】
本発明は、基板の膜に対する熱処理のスループットを向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板処理装置に係り、前記基板装置は、チャンバと、膜を有する基板を前記チャンバの内部空間において保持する基板保持部と、前記膜が熱処理されるように前記膜を加熱するヒータと、前記内部空間に連通するガスサンプリング部を有し、前記内部空間の特定ガスを検出するガス分析計と、
前記基板の表面に沿って流れて前記ガスサンプリング部に至る不活性ガスの流れが形成されるように前記内部空間に前記不活性ガスを供給する供給部を含むガス流形成部と、前記ガス分析計の出力に基づいて前記膜の熱処理の終了を判定するコントローラと、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板の膜に対する熱処理のスループットを向上させるために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
図１におけるＡ－Ａ面から下方を見た平面図。
第２実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
第３実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
第４実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
第５実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
第６実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図。
第６実施形態の基板処理装置における不活性ガスの流れをシミュレーションした結果を示す図。
基板処理装置の使用方法としての基板処理方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。以下で説明する実施形態および図面において、方向はＸＹＺ座標系によって示される。ＸＹＺ座標系において、ＸＹ平面は水平方向であり、Ｚ軸のマイナス方向は鉛直方向でありうる。
【００１０】
図１は、実施形態の基板処理装置ＳＰＡの構成を示す模式的な断面図である。図２は、図１におけるＡ－Ａ面から下方を見た平面図である。基板処理装置ＳＰＡは、膜Ｆを有する基板Ｓの処理を行うように構成されうる。より詳しくは、基板処理装置ＳＰＡは、基板Ｓの膜Ｆを熱処理するように構成されうる。
（【００１１】以降は省略されています）

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