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公開番号2025174889
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025077349
出願日2025-05-07
発明の名称発光装置
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01S 5/183 20060101AFI20251120BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】より性能を改善し得る発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、半導体基板の上に配された第1反射鏡と、前記第1反射鏡の上に配された第1活性層と、前記第1活性層の上に配された第1トンネル接合層と、前記第1トンネル接合層の上に配された第2活性層と、前記第2活性層の上に配された第2反射鏡と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板の上に配された第１反射鏡と、
前記第１反射鏡の上に配された第１活性層と、
前記第１活性層の上に配された第１トンネル接合層と、
前記第１トンネル接合層の上に配された第２活性層と、
前記第２活性層の上に配された第２反射鏡と、
を有し、
前記第１活性層は、第１バリア層と、前記第１バリア層の上に配された複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の上に配された第２バリア層と、前記複数の第１量子井戸層の層間に配された第３バリア層とを含み、
前記第２活性層は、第４バリア層と、前記第４バリア層の上に配された複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の上に配された第５バリア層と、前記複数の第２量子井戸層の層間に配された第６バリア層とを含み、
前記複数の第２量子井戸層の数をＮ、前記複数の第２量子井戸層の各層の厚さをｗ（ｎｍ）、活性層の数をＭ、所定の尖頭値比の光強度を得るために要する量子井戸の層数をＱとしたとき、前記第２活性層の厚さＴａ（ｎｍ）は、以下の式（１）を満たし、
Ｔａ≧｛ｗ×Ｎ×Ｍ＋（Ｑ－Ｎ×Ｍ）×ｗ／０．２｝／Ｍ（１）
前記第２活性層と前記第１トンネル接合層との距離は、４０ｎｍ以上であり、
前記複数の第１量子井戸層及び前記複数の第２量子井戸層のうちのいずれか１層が、前記第１バリア層から前記第６バリア層のうちのいずれか１層よりも薄い
ことを特徴とする発光装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第２活性層の厚さＴａは、５４ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２活性層の厚さＴａは、１２４ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２活性層と前記第１トンネル接合層との距離は、７０ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の第１量子井戸層及び前記複数の第２量子井戸層の厚さの合計に対する前記第１バリア層から前記第６バリア層の厚さの合計の比の値が１．２５以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記複数の第１量子井戸層及び前記複数の第２量子井戸層の厚さの合計に対する前記第１バリア層から前記第６バリア層の厚さの合計の比の値が４．１７以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第４バリア層は、前記第５バリア層よりも薄い
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１バリア層は、前記第２バリア層よりも薄い
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１バリア層は、前記第２バリア層よりも薄く、
前記第４バリア層は、前記第５バリア層よりも薄い
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１活性層と前記第２活性層の間に配された第１酸化狭窄層と、
前記第２活性層の上に配された第２酸化狭窄層と、
を更に有する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、可飽和吸収層を含むＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器型面発光レーザ）が開示されている。特許文献１のＶＣＳＥＬは、光パルス幅が短く尖頭値が高い光パルスを生成し得る。
【０００３】
特許文献２には、複数の活性領域と、活性領域の間に配されたトンネル接合とを有するＶＣＳＥＬが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－１７６８８６号公報
米国特許出願公開第２０２２／０１９０５５９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び特許文献２に記載されているような発光装置において、更なる性能改善が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本開示は、より性能を改善し得る発光装置を提供することを目的とする。
【０００７】
本明細書の一開示によれば、半導体基板の上に配された第１反射鏡と、前記第１反射鏡の上に配された第１活性層と、前記第１活性層の上に配された第１トンネル接合層と、前記第１トンネル接合層の上に配された第２活性層と、前記第２活性層の上に配された第２反射鏡と、を有し、前記第１活性層は、第１バリア層と、前記第１バリア層の上に配された複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の上に配された第２バリア層と、前記複数の第１量子井戸層の層間に配された第３バリア層とを含み、前記第２活性層は、第４バリア層と、前記第４バリア層の上に配された複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の上に配された第５バリア層と、前記複数の第２量子井戸層の層間に配された第６バリア層とを含み、前記複数の第２量子井戸層の数をＮ、前記複数の第２量子井戸層の各層の厚さをｗ（ｎｍ）、活性層の数をＭ、所定の尖頭値比の光強度を得るために要する量子井戸の層数をＱとしたとき、前記第２活性層の厚さＴａ（ｎｍ）は、以下の式（１）を満たし、
Ｔａ≧｛ｗ×Ｎ×Ｍ＋（Ｑ－Ｎ×Ｍ）×ｗ／０．２｝／Ｍ（１）
前記第２活性層と前記第１トンネル接合層との距離は、４０ｎｍ以上であり、前記複数の第１量子井戸層及び前記複数の第２量子井戸層のうちのいずれか１層が、前記第１バリア層から前記第６バリア層のうちのいずれか１層よりも薄いことを特徴とする発光装置が提供される。
【０００８】
また、本明細書の更に他の一開示によれば、半導体基板の上に配された第１反射鏡と、前記第１反射鏡の上に配された第１活性層と、前記第１活性層の上に配された第１トンネル接合層と、前記第１トンネル接合層の上に配された第２活性層と、前記第２活性層の上に配された第２反射鏡と、を有し、前記第２活性層は、第４バリア層と、前記第４バリア層の上に配された複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の上に配された第５バリア層とを含み、前記第４バリア層は、前記第５バリア層よりも薄いことを特徴とする発光装置が提供される。
【０００９】
また、本明細書の更に他の一開示によれば、半導体基板の上に配された第１反射鏡と、前記第１反射鏡の上に配された第１活性層と、前記第１活性層の上に配された第１トンネル接合層と、前記第１トンネル接合層の上に配された第２活性層と、前記第２活性層の上に配された第２反射鏡と、を有し、前記第１活性層は、第１バリア層と、前記第１バリア層の上に配された複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の上に配された第２バリア層とを含み、前記第１バリア層は、前記第２バリア層よりも薄いことを特徴とする発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、より性能を改善し得る発光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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