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公開番号2025172575
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-26
出願番号2024078160
出願日2024-05-13
発明の名称プラズマ処理装置及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20251118BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】整流壁への反応生成物の付着を抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを生成する第1の高周波電力が供給されるプラズマ生成部と、前記基板を載置する載置領域を上面に有し、前記載置領域上にバイアスを形成する第2の高周波電力が供給される載置台と、前記載置領域を囲んで配置され、その上端が前記載置領域よりも上方にある整流壁と、を備え、前記整流壁は、凹部または内部空洞を有する絶縁部材と、前記凹部又は前記内部空洞に配置される導電部材と、から構成される、プラズマ処理装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマを生成する第１の高周波電力が供給されるプラズマ生成部と、
前記基板を載置する載置領域を上面に有し、前記載置領域上にバイアスを形成する第２の高周波電力が供給される載置台と、
前記載置領域を囲んで配置され、その上端が前記載置領域よりも上方にある整流壁と、を備え、
前記整流壁は、
凹部または内部空洞を有する絶縁部材と、
前記凹部又は前記内部空洞に配置される導電部材と、から構成される、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記導電部材は、電位的に浮遊している、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記凹部の開口は、前記絶縁部材の下面に形成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記凹部に配置された前記導電部材は、前記絶縁部材の下面より下に突出しない、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記凹部の開口部に、前記絶縁部材と同じ材質を有する絶縁蓋部材が配置され、
前記導電部材は、前記絶縁部材および前記絶縁蓋部材で覆われた、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
少なくとも、前記絶縁部材の上面と、前記絶縁部材の前記載置領域側の側面とに、溶射皮膜が形成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記溶射皮膜は、前記絶縁部材よりもプラズマによる消耗が少ない材料で形成される、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記導電部材は、少なくとも、第１の構成部品、第２の構成部品、及び、前記第１の構成部品と前記第２の構成部品の間に配置された第１の弾性部材、で構成される第１の導電モジュールを有し、
前記第１の導電モジュールは、前記第１の弾性部材を圧縮して前記絶縁部材の前記凹部または前記内部空洞に挿入される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１の構成部品は、
前記凹部または前記内部空洞の天面に当接する第１の当接面と、
前記凹部または前記内部空洞の前記載置領域側の側面に当接する第２の当接面と、を有し、
前記第２の構成部品は、
前記凹部または前記内部空洞の前記載置領域側とは反対側の側面に当接する第３の当接面と、を有する、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１の弾性部材は、
前記第２の当接面と前記第３の当接面とを離す方向に付勢するとともに、
前記第１の当接面を前記第２の構成部品から離す方向に付勢する、
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備える処理装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１０３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、整流壁への反応生成物の付着を抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板をプラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマを生成する第１の高周波電力が供給されるプラズマ生成部と、前記基板を載置する載置領域を上面に有し、前記載置領域上にバイアスを形成する第２の高周波電力が供給される載置台と、前記載置領域を囲んで配置され、その上端が前記載置領域よりも上方にある整流壁と、を備え、前記整流壁は、凹部または内部空洞を有する絶縁部材と、前記凹部又は前記内部空洞に配置される導電部材と、から構成される、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、本開示は、整流壁への反応生成物の付着を抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
プラズマ処理装置の一例を示す縦断面図。
整流壁の周囲における基板載置台の部分拡大断面図の一例。
基板載置台の上方から見た平面図の一例。
基板載置台の上方から見た平面図の他の一例。
整流壁に絶縁蓋部材を追加した際の整流壁の断面図の一例。
エッチングレートの変化の一例を示すグラフ。
整流壁の壁面の状態の一例を示すグラフ。
整流壁の断面図の一例。
導電部材を絶縁部材の凹部に挿入する際の整流壁の断面図の一例。
整流壁を上方から見た図の一例。
整流壁の斜視図の一例。
整流壁の斜視図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理装置］
プラズマ処理装置１００について、図１を用いて説明する。図１は、プラズマ処理装置１００の一例を示す縦断面図である。
【００１０】
図１に示すプラズマ処理装置１００は、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display、以下、「ＦＰＤ」という）用の平面視矩形の基板Ｇ（以下、単に「基板」という）に対して、各種の基板処理方法を実行する誘導結合型プラズマ（Inductive Coupled Plasma: ＩＣＰ）処理装置である。基板の材料としては、主にガラスが用いられ、用途によっては透明の合成樹脂などが用いられることもある。ここで、基板処理には、エッチング処理等が含まれる。ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display: ＬＣＤ）やエレクトロルミネセンス（Electro Luminescence: ＥＬ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel;ＰＤＰ）等が例示される。基板は、その表面に回路がパターニングされる形態の他、支持基板も含まれる。また、ＦＰＤ用基板の平面寸法は世代の推移と共に大規模化しており、プラズマ処理装置１００によって処理される基板Ｇの平面寸法は、例えば、第６世代の１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度の寸法から、第１０．５世代の３０００ｍｍ×３４００ｍｍ程度の寸法までを少なくとも含む。また、基板Ｇの厚みは０．２ｍｍ乃至数ｍｍ程度である。
（【００１１】以降は省略されています）

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