特許ウォッチ

公開番号2025171211
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2024076306
出願日2024-05-09
発明の名称半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20251113BHJP()
要約【課題】半導体ウェハの反りを制御できる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のトレンチが第1の方向に配置された第1の半導体チップと第2のトレンチが前記第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体チップとが、横に交互に配置された半導体ウェハを提供する。半導体ウェハは、第1のトレンチが第1の方向に配置された第1の半導体チップと第2のトレンチが前記第1の方向と異なる第2の方向に配置された第2の半導体チップとが、縦に交互に配置されてもよい。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、横に交互に配置された半導体ウェハ。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、縦に交互に配置された半導体ウェハ。
【請求項３】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、縦と横に交互に配置された半導体ウェハ。
【請求項４】
前記第１の方向は、前記第２の方向と直角に交わる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記第１の半導体チップは、正方形であり、
前記第２の半導体チップは、正方形である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
前記半導体ウェハの表面の結晶面は｛１００｝面であり、
前記半導体ウェハのノッチまたはオリフラは＜１００＞方向であり、
前記半導体ウェハの前記ノッチまたは前記オリフラを正面から見て、前記第１の方向は、０°であり、前記第２の方向は９０°である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
前記半導体ウェハの表面の結晶面は｛１００｝面であり、
前記半導体ウェハのノッチまたはオリフラは＜１１０＞方向であり、
前記半導体ウェハの前記ノッチまたは前記オリフラを正面から見て、前記第１の方向は、４５°であり、前記第２の方向は、１３５°である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ。
【請求項８】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、横に交互に配置されるように前記第１のトレンチと前記第２のトレンチを同じ工程で形成する半導体ウェハの製造方法。
【請求項９】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、縦に交互に配置されるように前記第１のトレンチと前記第２のトレンチを同じ工程で形成する半導体ウェハの製造方法。
【請求項１０】
第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、縦と横に交互に配置されるように前記第１のトレンチと前記第２のトレンチを同じ工程で形成する半導体ウェハの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、トレンチにフィールドプレート電極とゲート電極が形成されたパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２４－１７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、トレンチが半導体チップ上で平行に一方向に並んで配置されるため、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハが反ってしまうという問題があった。そこで本開示の目的は、トレンチが第１の方向に延在する半導体チップとトレンチが第２の方向に延在する半導体チップを形成し、反りを制御した半導体装置を提供することである。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、半導体ウェハは、第１のトレンチが第１の方向に配置された第１の半導体チップと第２のトレンチが前記第１の方向と異なる第２の方向に配置された第２の半導体チップとが、交互に配置される。
【発明の効果】
【０００７】
前記一実施の形態によれば、半導体ウェハの反りを制御できる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
関連する半導体装置を示す平面図である。
関連する半導体装置の要部を示す拡大平面図である。
関連する半導体装置の要部を示す拡大平面図である。
関連する半導体装置を示す断面図である。
関連する半導体装置を示す断面図である。
関連する半導体装置のトレンチのレイアウトである。
関連する半導体装置のウェハ反りを示す図である。
実施の形態１にかかる半導体ウェハのトレンチのレイアウトである。
実施の形態２にかかる半導体ウェハのトレンチのレイアウトである。
実施の形態３にかかる半導体ウェハのトレンチのレイアウトである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。しかしながら、特許請求の範囲にかかる発明を以下の実施の形態に限定するものではない。また、実施の形態で説明する構成の全てが課題を解決するための手段として必須であるとは限らない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１０】
また、本願において説明されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに交差し、互いに直交している。本願では、Ｚ方向をある構造体の上下方向、高さ方向または厚さ方向として説明する。また、本願で用いられる「平面図」または「平面視」などの表現は、Ｘ方向およびＹ方向によって構成される面を「平面」とし、この「平面」をＺ方向から見ることを意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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