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公開番号2025170344
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-18
出願番号2025138469,2022025770
出願日2025-08-21,2022-02-22
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人株式会社デンソー,トヨタ自動車株式会社,株式会社ミライズテクノロジーズ
代理人弁理士法人快友国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20251111BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエハから接着剤を除去する際に垂直クラックが広がってしまうことを防止する。
【解決手段】本明細書が開示する製造方法は、研削工程、スクライブ工程、支持板取り外し工程、ブレイク工程、除去工程を備える。研削工程では、複数の半導体素子(3)が形成されたウエハ(2)の第1面(2a)を、接着剤(11)を介して支持板(12)に取り付け、ウエハの第2面(2b)を研削する。スクライブ工程では、隣り合う半導体素子の境界に沿ってウエハにスクライブホイール(32)を押し当て、境界に沿ってウエハの内部に垂直クラック(5)を形成する。支持板取り外し工程では、接着剤を残したままウエハから支持板を外す。ブレイク工程では、境界に沿って接着剤の上からウエハにブレイクバー(33)を押し当てて境界に沿ってウエハを劈開する。除去工程では、ウエハから分離した半導体素子から接着剤を除去する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
複数の半導体素子（３）が形成されたウエハ（２）の第１面（２ａ）を、接着剤（１１）を介して支持板（１２）に取り付け、前記ウエハの第２面（２ｂ）を研削する研削工程と、
隣り合う前記半導体素子の境界（４）に沿って前記ウエハにスクライブホイール（３２）を押し当て、前記境界に沿って前記ウエハの内部に垂直クラック（５）を形成するスクライブ工程と、
前記接着剤を残したまま前記ウエハから前記支持板を外す支持板取り外し工程と、
前記境界に沿って前記接着剤の上から前記ウエハにブレイクバー（３３）を押し当てて前記境界に沿って前記ウエハを劈開するブレイク工程と、
前記ウエハから分離した前記半導体素子から前記接着剤を除去する除去工程と、
を備えている、製造方法。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
前記支持板取り外し工程では、前記接着剤の表層（１１ａ）を硬化させて前記接着剤から前記支持板を外す、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ブレイク工程では、前記接着剤の表面に保護シートを貼着してから前記ブレイクバーを押し当てる、請求項１または２に記載の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法の工程の中に、複数の半導体素子が形成されたウエハから半導体素子を個別に切り出す工程がある。従来は隣り合う半導体素子の境界に沿ってウエハを切断（ダイシング）していたが、近年、スクライブアンドブレイクという工法が採用され始めている。
【０００３】
この工法は、まず、隣り合う半導体素子の境界に沿ってスクライブホイール（周縁が薄くなっている円板）を押し当て、境界に沿ってウエハ内部にクラックを生じさせる。クラックは、ウエハの表面に対して垂直な方向に拡がるので、このクラックを以下では垂直クラックと称する。次に、境界に沿ってブレイクバーを押し当て、境界に沿ってウエハを劈開させる。この工法は、ウエハにおいて隣り合う半導体素子の間の幅を従来のダイシング工法の場合よりも狭くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１３－８９６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエハに半導体素子を形成する工程では、ウエハの一方の面（第１面）の表層に半導体素子の機能を実現する構造（トレンチや電極など）を形成し、他方の面（第２面）を研削する。通常、半導体素子の機能を実現する主たる構造（トレンチやゲート電極）を先に第１面に形成してから第２面を研削する。第２面を研削する際、第１面に接着剤を塗布し、ウエハを支持板に取り付ける。第１面には半導体素子の機能を実現する主たる構造が形成されているため、第１面に比較的に厚く接着剤を塗布し、ウエハを支持板に取り付ける。厚い接着層は第１面の構造を保護する保護層としても機能する。ウエハに垂直クラックを形成してから厚い接着層を剥がそうとすると、接着剤の粘着性によりウエハ内部に比較的に大きな応力が発生し、垂直クラックがさらに広がりウエハがダメージを受けるおそれがある。本明細書は、ウエハと支持板を接着して第２面を研削する工程の後にスクライブアンドブレイク工法によってウエハから半導体素子を分離する製造方法において、接着剤を除去する際に垂直クラックが広がってしまうことを防止する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する製造方法は、研削工程、スクライブ工程、支持板取り外し工程、ブレイク工程、除去工程を備える。研削工程では、複数の半導体素子（３）が形成されたウエハ（２）の第１面（２ａ）を、接着剤（１１）を介して支持板（１２）に取り付け、ウエハの第２面（２ｂ）を研削する。スクライブ工程では、隣り合う半導体素子の境界に沿ってウエハにスクライブホイール（３２）を押し当て、境界に沿ってウエハの内部に垂直クラック（５）を形成する。支持板取り外し工程では、接着剤を残したままウエハから支持板を外す。ブレイク工程では、境界に沿って接着剤の上からウエハにブレイクバー（３３）を押し当てて境界に沿ってウエハを劈開する。除去工程では、ウエハから分離した半導体素子から接着剤を除去する。
【０００７】
この製造方法では、第１面の接着剤を除去せずに接着剤の上からブレイクバーをウエハに押し当ててウエハを劈開させる。ウエハから半導体素子を分離してから接着剤を除去する。それゆえ、接着剤を除去する際には既に垂直クラックに沿ってウエハを劈開させているので、接着剤を除去する際に垂直クラックが広がることが無い。
【０００８】
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
ウエハの平面図である。
研削工程を説明する図である（１）。
研削工程を説明する図である（２）。
スクライブ工程を説明する図である。
支持板取り外し工程を説明する図である（１）。
支持板取り外し工程を説明する図である（２）。
ブレイク工程を説明する図である。
除去工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して実施例の製造方法を説明する。図１は、複数の半導体素子３が格子状に形成されたウエハ２の平面図である。図１では、半導体素子３を実線の矩形で模式的に表してある。いくつかの実線矩形には符号「３」を付することを省略した。説明の便宜上、隣り合う半導体素子３の間の境界であって後にウエハ２を個々の半導体素子３に分割する際の分割線をスクライブ線４と称する。実施例の場合、スクライブ線４は、実際にウエハ２の上に記された線ではなく、仮想的な線である。スクライブ線４は、目視で確認できるようにするために、実際にウエハ２の上に描かれた線や溝であってもよい。図１では、スクライブ線４を一点鎖線で表してある。ウエハ２から分離された個々の半導体素子３が半導体装置に相当する。半導体素子３は、トランジスタやダイオードなどの機能を有する素子である。
（【００１１】以降は省略されています）

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