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公開番号2025166170
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-05
出願番号2025135072,2023132342
出願日2025-08-14,2018-06-21
発明の名称ひずみゲージ
出願人ミネベアミツミ株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類G01B 7/16 20060101AFI20251028BHJP(測定;試験)
要約【課題】信号対雑音比(S/N)を向上することが可能なひずみゲージを提供する。
【解決手段】可撓性を有する樹脂製の基材10と、基材10の両面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層と、抵抗体30とを有し、抵抗体30は、Cr、CrN、及びCr₂Nを含む膜から形成され、α-Crを主成分とする、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部31S、32Sとを含み、機能層は、α-Crの結晶成長を促進させ、α-Crを主成分とする膜を成膜する機能を有し、抵抗体30の厚さは、0.05μm以上2μm以下であり、機能層の厚さは、1nm以上100nm以下であり、受感部31S、32Sとは略同一パターンであり、基材10を挟んで対向する位置に配置されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
可撓性を有する樹脂製の基材と、
前記基材の一方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第１機能層と、
前記基材の他方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第２機能層と、
抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、
前記第１機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とする、ひずみを受けて抵抗変化を生じる第１受感部と、
前記第２機能層の他方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とする、ひずみを受けて抵抗変化を生じる第２受感部と、を含み、
前記第１機能層及び前記第２機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、
前記抵抗体の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、
前記第１機能層及び前記第２機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記第１受感部と前記第２受感部とは略同一パターンであり、前記基材を挟んで対向する位置に配置されているひずみゲージ。
続きを表示（約 69 文字）【請求項２】
前記第１受感部及び前記第２受感部の少なくとも一方を被覆する絶縁樹脂層を有する請求項１に記載のひずみゲージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみゲージに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、例えば、絶縁樹脂からなる基材の一つの面に、一つの抵抗体が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－７４９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ひずみゲージを起歪体に接着して抵抗体の抵抗値変化を検出する際に、ひずみゲージの出力に電磁波等による外乱ノイズや電源ノイズが重畳する場合がある。この場合、ひずみゲージにおいて、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が低下し、センサ感度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を向上することが可能なひずみゲージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本ひずみゲージは、可撓性を有する樹脂製の基材と、前記基材の一方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第１機能層と、前記基材の他方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第２機能層と、抵抗体と、を有し、前記抵抗体は、前記第１機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とする、ひずみを受けて抵抗変化を生じる第１受感部と、前記第２機能層の他方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とする、ひずみを受けて抵抗変化を生じる第２受感部と、を含み、前記第１機能層及び前記第２機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、前記抵抗体の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、前記第１機能層及び前記第２機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記第１受感部と前記第２受感部とは略同一パターンであり、前記基材を挟んで対向する位置に配置されている。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を向上することが可能なひずみゲージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する底面図である。
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図であり、ひずみゲージを基材の上面側から視た様子を示している。図２は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する底面図であり、ひずみゲージを基材の下面側から視た様子を示している。図３は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に沿う断面を示している。図１～図３を参照するに、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０（抵抗部３１及び３２）と、端子部４１及び４２とを有している。
（【００１１】以降は省略されています）

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