特許ウォッチ

公開番号2025165786
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-05
出願番号2024070118
出願日2024-04-23
発明の名称乾燥装置
出願人株式会社ヒメジ理化イノテック
代理人個人
主分類F26B 3/04 20060101AFI20251028BHJP(乾燥)
要約【課題】乾燥対象物の洗浄乾燥処理を滞りなく効率的に実施することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥装置1は、貯留槽14は当該貯留槽14の底面14aと底面部15aを共通する流路15を備え、流路15は当該底面部15aを貫通するように設けられた流入口15dと貯留槽14内において開放されるように設けられた流出口15eとを備え、ハロゲンランプヒータ16は底面部15aの下方において流路15に沿って配置されており、底面部15aは透明石英ガラスから構成されハロゲンランプヒータ16から放射される近赤外線を透過させる。
【選択図】図4

特許請求の範囲【請求項１】
処理液が貯留される貯留槽と、前記処理液を加熱蒸発させるハロゲンランプヒータと、前記貯留槽の上方に配置され前記処理液の蒸気が充満する乾燥室と、を備え、
前記乾燥室内において乾燥対象物に前記処理液の蒸気を凝縮させて当該乾燥対象物を洗浄乾燥するように構成された乾燥装置であって、
前記貯留槽は当該貯留槽の底面と底面部を共通する流路を備え、
前記流路は前記貯留槽を貫通するように設けられた流入口と前記貯留槽内において開放されるように設けられた流出口とを備え、
前記ハロゲンランプヒータは前記底面部の下方において前記流路に沿って配置されており、
前記底面部は透明石英ガラスから構成され当該ハロゲンランプヒータから放射される近赤外線を透過させることを特徴とする乾燥装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記流路の天面部は、前記貯留槽に貯留された前記処理液の液面より下方において、前記流入口から前記流出口にかけて前記底面部からの距離が大きくなるように傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項３】
前記天面部は透明石英ガラスから構成されていることを特徴とする請求項２に記載の乾燥装置。
【請求項４】
前記天面部の厚みは、前記底面部の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項３に記載の乾燥装置。
【請求項５】
前記貯留槽は全面が透明石英ガラスから構成されており、
前記底面部の厚みは、少なくとも前記貯留槽の底面のうち当該底面部以外の部分の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項６】
前記流路は、前記流入口の近傍から前記流出口にかけて隔壁により区分されており、
前記ハロゲンランプヒータは前記底面部の下方において、区分されたそれぞれの前記流路に沿って複数が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項７】
前記ハロゲンランプヒータの下方周囲には、前記ハロゲンランプヒータから下方や側方に照射された近赤外線を前記流路に向けて反射する反射部材が備えられていることを特徴とする請求項１又は６に記載の乾燥装置。
【請求項８】
前記乾燥室と前記貯留槽との間には、前記乾燥対象物から滴下する前記処理液を回収する回収部が備えられ、
前記回収部には、前記乾燥対象物から滴下する前記処理液は前記貯留槽には通過させず、前記貯留槽から発生する前記処理液の蒸気は前記乾燥室へと通過させる通気口が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本件発明は、処理液が貯留される貯留槽と、前記処理液を加熱蒸発させるハロゲンランプヒータと、前記貯留槽の上方に配置され前記処理液の蒸気が充満する乾燥室と、を備え、前記乾燥室内において乾燥対象物に前記処理液の蒸気を凝縮させて当該乾燥対象物を洗浄乾燥するように構成された乾燥装置に関するものである。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工場においては、半導体ウエハのような乾燥対象物を洗浄装置によりフッ化水素や純水リンス液などの洗浄液で洗浄した後に、乾燥装置により乾燥させる。
【０００３】
このような乾燥装置として、特許文献１には、半導体ウエハが出し入れ可能な乾燥室と、当該乾燥室の下方に設けられた処理液としてのイソプロピルアルコールが貯留される貯留槽とを備えた乾燥装置が開示されている。
【０００４】
当該乾燥装置は、複数の半導体ウエハを略垂直姿勢に並べて乾燥室に搬入し、この処理室の下部に貯留されたイソプロピルアルコールを加熱蒸発させて半導体ウエハの表面にイソプロピルアルコールの蒸気を接触させる。すると、当該蒸気は半導体ウエハの表面に凝縮する。
【０００５】
半導体ウエハの表面で当該蒸気が凝縮して生ずる液滴が半導体ウエハに付着している洗浄液を取り込みながら半導体ウエハから落下するときに、半導体ウエハの表面から洗浄液が除去される。
【０００６】
このように半導体ウエハの洗浄が行われ、半導体ウエハの温度がイソプロピルアルコールの蒸気の温度に等しくなると凝縮が終了し、半導体ウエハの表面は乾燥状態となる。このように乾燥した半導体ウエハが乾燥装置から搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００８－２６４６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した従来の乾燥装置は、貯留槽にイソプロピルアルコールを供給してから、当該貯留槽に貯留されたイソプロピルアルコールの全体を加熱して蒸気が発生するまでの待機時間が必要であるため、半導体ウエハの洗浄乾燥の効率に改善の余地があった。
【０００９】
本件発明は、上述の問題に鑑みなされたものであり、乾燥対象物の洗浄乾燥を滞りなく効率的に実施することができる乾燥装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するための、本件発明に係る乾燥装置は、処理液が貯留される貯留槽と、前記処理液を加熱蒸発させるハロゲンランプヒータと、前記貯留槽の上方に配置され前記処理液の蒸気が充満する乾燥室と、を備え、前記乾燥室内において乾燥対象物に前記処理液の蒸気を凝縮させて当該乾燥対象物を洗浄乾燥するように構成された乾燥装置であって、前記貯留槽は当該貯留槽の底面と底面部を共通する流路を備え、前記流路は前記貯留槽を貫通するように設けられた流入口と前記貯留槽内において開放されるように設けられた流出口とを備え、前記ハロゲンランプヒータは前記底面部の下方において前記流路に沿って配置されており、前記底面部は透明石英ガラスから構成され当該ハロゲンランプヒータから放射される近赤外線を透過させることを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許