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公開番号
2025164483
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-10-30
出願番号
2024068488
出願日
2024-04-19
発明の名称
熱電変換材料、熱電変換モジュール、および熱流センサ
出願人
三菱ケミカル株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
H10N
15/20 20230101AFI20251023BHJP()
要約
【課題】室温で高い発電性能を有し、かつ、正の異常ネルンスト係数を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】実施形態に係る熱電変換材料は、MgZn
2
型、MgCu
2
型、MgNi
2
型の少なくとも1種の結晶構造を有し、異常ネルンスト効果を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
MgZn
2
型、MgCu
2
型、MgNi
2
型の少なくとも1種の結晶構造を有し、異常ネルンスト効果を有する熱電変換材料。
続きを表示(約 370 文字)
【請求項2】
組成式AX
2+δ
で表され、
前記組成式中のAは、第2族~第6族元素の少なくとも1種からなり、
前記組成式中のXはMn、Fe、Co、Niの少なくとも1種からなり、
前記組成式中のδが-0.5以上0.5以下である、請求項1に記載の熱電変換材料。
【請求項3】
請求項1または2に記載の熱電変換材料を備える熱電変換モジュール。
【請求項4】
異常ネルンスト係数の符号が正である正熱電変換材料と、
異常ネルンスト係数の符号が負である負熱電変換材料と、
を備え、
前記正熱電変換材料が前記熱電変換材料である、請求項3に記載の熱電変換モジュール。
【請求項5】
請求項3に記載の熱電変換モジュールを備える、熱流センサ。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、熱電変換材料、熱電変換モジュール、および熱流センサに関する。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
未利用の熱エネルギーを活用するために、熱電変換モジュールの開発が積極的に行われている。熱電変換モジュールとしては、温度勾配によって電圧を発生させることが可能なゼーベック効果(Seebeck Effect)を利用した熱電変換モジュールがよく知られている。
【0003】
ゼーベック効果では、温度勾配と同じ方向に電圧が生じることから、ゼーベック効果を利用した熱電変換モジュールはπ型構造を構成単位とする複雑な3次元構造となる。そのため、ゼーベック効果を利用した熱電変換モジュールは大面積化やフィルム化が困難である。また、ゼーベック効果を利用した熱電変換モジュールは、希少性の高い材料が用いられており、製造コストが高いという課題がある。また、毒性の観点においても課題がある。
【0004】
ゼーベック効果を利用した熱電変換モジュールに対し、近年、異常ネルンスト効果(Anomalous Nernst Effect)により起電力を生じる異常ネルンスト効果を有する熱電変換材料を用いた熱電変換モジュールが提案されている。異常ネルンスト効果とは、磁性体に熱流を流して温度差が生じたときに、磁化方向と温度勾配の双方に直交する方向に電圧が生じる現象である。
【0005】
異常ネルンスト効果では、温度勾配に直交する方向に電圧が生じることから、異常ネルンスト効果を利用した熱電変換モジュールでは、熱源に沿うように展開することができ、大面積化及びフィルム化がしやすいという利点がある。
【0006】
例えば、異常ネルンスト効果有する熱電変換素子として、特許文献1には、フェルミエネルギーE
F
の近傍にワイル点を有するバンド構造の強磁性体からなり、異常ネルンスト効果により起電力を生じる熱電機構を有する、熱電変換素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
国際公開第2019/009308号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
特許文献1に開示されているCo
2
MnGaなどの材料は、室温で高い発電性能を示すが、Coなどの高価な原料を用いているという問題がある。そのため、室温で高い発電性能を示す材料が求められている。また、従来、室温で異常ネルンスト係数が比較的大きく、符号が正の材料はなかった。異常ネルンスト係数の符号が正の材料があれば、負の材料と組み合わせることで、熱電変換モジュールの構造を簡略化することができる。そのため、異常ネルンスト係数の符号が正である材料が求められている。
【0009】
本発明は、上記の事情を鑑みなされた発明であり、室温で高い発電性能を有し、正の異常ネルンスト係数を有する熱電変換材料、熱電変換モジュールおよび熱流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
<1>本発明の態様1の熱電変換材料は、MgZn
2
型、MgCu
2
型、MgNi
2
型の少なくとも1種の結晶構造を有し、異常ネルンスト効果を有する。
<2>本発明の態様2は、態様1の熱電変換材料において、
組成式AX
2+δ
で表され、前記組成式中のAは、第2族~第6族元素の少なくとも1種からなり、前記組成式中のXはMn、Fe、Co、Niの少なくとも1種からなり、前記組成式中のδが-0.5以上0.5以下であってもよい。
<3>本発明の態様3の熱電変換モジュールは、態様1または2の熱電変換材料を備える。
<4>本発明の態様4は、態様3の熱電変換モジュールにおいて、異常ネルンスト係数の符号が正である正熱電変換材料と、
異常ネルンスト係数の符号が負である負熱電変換材料と、
を備え、
前記正熱電変換材料が態様1または2の熱電変換材料であってもよい。
<5>本発明の態様5の熱流センサは、請求項3または4に記載の熱電変換モジュールを備えてもよい。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
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