特許ウォッチ

公開番号2025162099
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-27
出願番号2024065209
出願日2024-04-15
発明の名称半導体装置及び半導体装置の作製方法
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20251020BHJP()
要約【課題】半導体チップ、ひいては半導体ウェハの反りを制御できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップの第1の主面に、平面視において一続きで第1の方向に延在する部分と第1の方向と異なる第2の方向に延在する部分を有するトレンチを備える、半導体装置を提供する。トレンチは、平面視において第1の方向に延在する部分と第2の方向に延在する部分の間に第1の方向及び第2の方向と異なる第3の方向に延在する部分を有し、第1の方向に延在する部分は、第3の方向に延在する部分と鈍角で交わり、第2の方向に延在する部分は、第3の方向に延在する部分と鈍角で交わっていてもよい。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップの第１の主面に、平面視において一続きで第１の方向に延在する部分と前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する部分を有するトレンチを備える、半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記トレンチは、平面視において前記第１の方向に延在する部分と前記第２の方向に延在する部分の間に前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる第３の方向に延在する部分を有し、
前記第１の方向に延在する部分は、前記第３の方向に延在する部分と鈍角で交わり、
前記第２の方向に延在する部分は、前記第３の方向に延在する部分と鈍角で交わる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、スプリットゲート型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチにフィールドプレートとゲート電極が形成される、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記トレンチは、複数あり、
複数の前記トレンチは、互いに平行に前記第１の方向に延在する部分と、前記第２の方向に延在する部分が配置される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の主面の結晶面は｛１００｝であり、
ノッチまたはオリフラは、＜１１０＞方向であり、
前記第１の方向は、前記ノッチまたは前記オリフラを正面から見て４５°の角度であり、
前記第２の方向は、前記ノッチまたは前記オリフラを正面から見て１３５°の角度である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップの第１の主面に、平面視において一続きで第１の方向に延在する部分と前記第１の方向と異なる第２の方向に延在する部分を有するトレンチを形成する、半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記トレンチは、平面視において前記第１の方向に延在する部分と前記第２の方向に延在する部分の間に前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる第３の方向に延在する部分を有し、
前記第１の方向に延在する部分は、前記第３の方向に延在する部分と鈍角で交わり、
前記第２の方向に延在する部分は、前記第３の方向に延在する部分と鈍角で交わる、請求項７に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記半導体装置は、スプリットゲート型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である、請求項７に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
前記トレンチにフィールドプレートとゲート電極が形成される、請求項９に記載の半導体装置の作製方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、トレンチにフィールドプレート電極とゲート電極が形成されたパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２４－１７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、トレンチが半導体チップ上で平行に一方向に並んで配置されるため、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハが反ってしまうという問題があった。そこで本開示の目的は、半導体チップに一続きで第１の方向と第２の方向に延在するトレンチを形成し、反りを制御した半導体装置を提供することである。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、半導体装置は、平面視において一続きで第１の方向に延在する部分と第２の方向に延在する部分を有するトレンチを備える。
【発明の効果】
【０００７】
前記一実施の形態によれば、半導体チップ、ひいては半導体ウェハの反りを制御できる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
関連する半導体装置を示す平面図である。
関連する半導体装置の要部を示す拡大平面図である。
関連する半導体装置の要部を示す拡大平面図である。
関連する半導体装置を示す断面図である。
関連する半導体装置を示す断面図である。
関連する半導体装置のトレンチのレイアウトである。
関連する半導体装置のウェハ反りを示す図である。
実施の形態にかかる半導体装置のトレンチのレイアウトである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。しかしながら、特許請求の範囲にかかる発明を以下の実施の形態に限定するものではない。また、実施の形態で説明する構成の全てが課題を解決するための手段として必須であるとは限らない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１０】
また、本願において説明されるＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに交差し、互いに直交している。本願では、Ｚ方向をある構造体の上下方向、高さ方向または厚さ方向として説明する。また、本願で用いられる「平面図」または「平面視」などの表現は、Ｘ方向およびＹ方向によって構成される面を「平面」とし、この「平面」をＺ方向から見ることを意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許