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公開番号2025143655
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-02
出願番号2024042995
出願日2024-03-19
発明の名称半導体装置
出願人エイブリック株式会社
代理人
主分類H10D 1/47 20250101AFI20250925BHJP()
要約【課題】半導体抵抗素子に隣接して高濃度不純物領域が形成された半導体装置であっても、半導体抵抗素子の抵抗値の変動を抑制することができる半導体装置を提供。
【解決手段】半導体装置100は、半導体基板101の表面に形成された高濃度不純物領域121と、高濃度不純物領域121に隣接して形成された素子分離領域110と、素子分離領域110の上層に形成された低濃度不純物領域を備えた半導体抵抗素子130と、を有する半導体装置であって、半導体抵抗素子130の側面にサイドスペーサ132を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板の表面に形成された高濃度不純物領域と、
前記高濃度不純物領域に隣接して形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域の上層に形成された低濃度不純物領域を備えた半導体抵抗素子と、
を有する半導体装置であって、
前記半導体抵抗素子の側面にサイドスペーサを有することを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 200 文字）【請求項２】
前記サイドスペーサの端部は、平面視した際に前記高濃度不純物領域に接している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記サイドスペーサは、シリコン窒化膜で形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低濃度不純物領域は、中心部より前記サイドスペーサと接する側面の濃度が高い請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
ボルテージレギュレータなどの外部アナログ信号を処理するような半導体装置は、基準電圧回路やコンパレータなどのアナログ回路を備えている。このようなアナログ回路には、所望の電圧を得るために多結晶シリコンで形成した抵抗素子を複数直列に接続した抵抗分圧回路を用いる場合がある。近年は、半導体装置の高精度化に伴い抵抗分圧回路の電圧調整も高精度化の必要性が高まっている。
【０００３】
一方、アナログ回路に用いるトランジスタなどの製造工程においては、フォトリソグラフィ技術を用いて形成したフォトレジストのパターンをマスクにし、イオン注入法を用いて半導体基板の表面における所定の領域に不純物を注入することが一般的である。
【０００４】
フォトレジストのパターンの形成が正常に行われたかどうかは、半導体基板に形成した位置合わせマーク等を用いて確認されている。しかし、実際に不純物が注入された領域は、外観上確認できるパターンが半導体基板に残らないため、所定の領域に正しく注入されたかどうかを確認することは困難である。
【０００５】
例えば、特許文献１には、イオン注入工程の重ね合わせ精度を、モニター素子を用いて評価することのできる半導体装置およびアライメント評価方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００８－１９８６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一つの側面では、半導体抵抗素子に隣接して高濃度不純物領域が形成された半導体装置であっても、半導体抵抗素子の抵抗値の変動を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態における半導体装置は、
半導体基板の表面に形成された高濃度不純物領域と、
前記高濃度不純物領域に隣接して形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域の上層に形成された低濃度不純物領域を備えた半導体抵抗素子と、
を有する半導体装置であって、
前記半導体抵抗素子の側面にサイドスペーサを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの側面によれば、半導体抵抗素子に隣接して高濃度不純物領域が形成された半導体装置であっても、半導体抵抗素子の抵抗値の変動を抑制することができる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本発明の第１の実施形態における半導体装置を示す概略断面図である。
図２は、本発明の第１の実施形態における半導体装置のＮ型高濃度不純物領域のイオン注入工程において＋Ｙ方向にずれが生じてフォトレジストが形成された状態を示す模式図である。
図３Ａは、本発明の第２の実施形態における半導体装置を示す概略断面図である。
図３Ｂは、図３Ａ中のＡ部の拡大図である。
図４は、従来の半導体装置の概略断面図である。
図５は、従来の半導体装置のＮ型高濃度不純物領域のイオン注入工程を示す模式図である。
図６は、従来の半導体装置のＮ型高濃度不純物領域のイオン注入工程において＋Ｙ方向にずれが生じてフォトレジストが形成された状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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