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公開番号2025076008
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-15
出願番号2023187597
出願日2023-11-01
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250508BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】分割予定ラインに対して蛇行しない直線状のクラックを分割予定ラインに表出させて、ウエーハを精度よく適正に分割するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】方法は、比較的出力の弱い第一のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの表面10a近傍に位置付けて照射して第一の改質層20aを形成する第一の加工工程と、比較的出力の強い第二のレーザー光線LB2の集光点を分割予定ラインに対応する裏面20bの内側に位置付けて照射して第二の改質層20bを形成する第二の加工工程と、第二のレーザー光線LB2の集光点を第一の改質層20aと第二の改質層20bとの間に位置付けて照射して、第三の改質層20c、20dを形成させると共に、分割予定ラインに沿う直線状のクラック112を表出させる第三の加工工程と、ウエーハ10に外力を付与し、デバイス12を個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を含む。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の弱い第一のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの表面近傍に位置付けて照射してクラックが分割予定ラインの表面に到達しない第一の改質層を形成する第一の加工工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の強い第二のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する裏面の内側に位置付けて照射して分割予定ラインに沿って第二の改質層を形成する第二の加工工程と、
該第二のレーザー光線の集光点を該第一の改質層と該第二の改質層との間に位置付けて照射して、該第二の改質層から該第一の改質層に至る第三の改質層を形成させると共に、分割予定ラインが形成された表面に該分割予定ラインに沿う直線状のクラックを表出させる第三の加工工程と、
ウエーハに外力を付与し、個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
を含み構成されるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 250 文字）【請求項２】
該第一の改質層、該第二の改質層、及び該第三の改質層は、細孔と該細孔を囲繞する非晶質からなるシールドトンネルである請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該第一の加工工程、該第二の加工工程、該第三の加工工程は、ウエーハの表面からレーザー光線が照射される請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
ウエーハは、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ダイヤモンド基板、サファイア基板のうちいずれかを含み構成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
レーザー加工装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置付けて照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を含み構成されていて、レーザー加工条件を適宜設定することにより、分割予定ラインに対応する内部に分割の起点となる細孔と該細孔を囲繞する改質層とからなるシールドトンネルを精度よく形成できることが知られている（例えば特許文献１を参照）。
【０００４】
また、ＬＥＤ、パワーデバイス等が形成されるウエーハは、硬質のＳｉＣ、ＧａＮ、ダイヤモンド、サファイア等が基板として使用されることから、分割の起点となる改質層を形成するには、比較的強い出力のレーザー光線を照射する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１４－２２１４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、硬質のウエーハに対して分割の起点を形成すべく、強い出力のレーザー光線を照射して改質層を形成すると、改質層から発生するクラックがウエーハの表面に到達した際に蛇行して、分割予定ラインからずれてしまうという問題があり、このような状態でウエーハを個々のデバイスチップに分割すると、分割されたデバイスチップの品質を低下させるという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、分割予定ラインに対して蛇行しない直線状のクラックを分割予定ラインに表出させて、ウエーハを精度よく適正に分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の弱い第一のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの表面近傍に位置付けて照射してクラックが分割予定ラインの表面に到達しない第一の改質層を形成する第一の加工工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の強い第二のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する裏面の内側に位置付けて照射して分割予定ラインに沿って第二の改質層を形成する第二の加工工程と、該第二のレーザー光線の集光点を該第一の改質層と該第二の改質層との間に位置付けて照射して、該第二の改質層から該第一の改質層に至る第三の改質層を形成させると共に、分割予定ラインが形成された表面に該分割予定ラインに沿う直線状のクラックを表出させる第三の加工工程と、ウエーハに外力を付与し、個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。
【０００９】
該第一の改質層、該第二の改質層、及び該第三の改質層は、細孔と該細孔を囲繞する非晶質からなるシールドトンネルであることが好ましい。また、該第一の加工工程、該第二の加工工程、該第三の加工工程は、ウエーハの表面からレーザー光線が照射されることが好ましい。さらに、該ウエーハは、ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板、ダイヤモンド基板、サファイア基板のうちいずれかを含み構成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の弱い第一のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの表面近傍に位置付けて照射してクラックが分割予定ラインの表面に到達しない第一の改質層を形成する第一の加工工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長で比較的出力の強い第二のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する裏面の内側に位置付けて照射して分割予定ラインに沿って第二の改質層を形成する第二の加工工程と、該第二のレーザー光線の集光点を該第一の改質層と該第二の改質層との間に位置付けて照射して、該第二の改質層から該第一の改質層に至る第三の改質層を形成させると共に、分割予定ラインが形成された表面に該分割予定ラインに沿う直線状のクラックを表出させる第三の加工工程と、ウエーハに外力を付与し、個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を含み構成されることから、分割工程が実施される前に、ウエーハの分割予定ラインに沿って蛇行していない直線状の比較的大きなクラックが形成されていることから、上記した分割工程を実施する際の分割負荷が低減されると共に、チッピングを生じさせることなくウエーハを精度よく、適正に個々のデバイスチップに分割するすることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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