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公開番号2025067614
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023177724
出願日2023-10-13
発明の名称半導体チップパッケージの製造方法
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/56 20060101AFI20250417BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ボイドの発生が抑制された半導体チップパッケージを提供可能な半導体チップパッケージの製造方法の提供。
【解決手段】(I)支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートの樹脂組成物層を、回路基板に少なくとも1つの半導体チップが実装された半導体チップパッケージ上に積層し、モールドアンダーフィルを行う工程、及び(II)樹脂組成物層を熱硬化させる工程、をこの順で含む、半導体チップパッケージの製造方法であって、樹脂組成物層は、モールドアンダーフィルを行う温度での損失正接が、0.05以上1.3以下である、半導体チップパッケージの製造方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ｉ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートの樹脂組成物層を、回路基板に少なくとも１つの半導体チップが実装された半導体チップパッケージ上に積層し、モールドアンダーフィルを行う工程、及び
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化させる工程、
をこの順で含む、半導体チップパッケージの製造方法であって、
樹脂組成物層は、モールドアンダーフィルを行う温度での損失正接が、０．０５以上１．３以下である、半導体チップパッケージの製造方法。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
工程（Ｉ）において、モールドアンダーフィルを行う温度が、７０℃以上１８０℃以下である、請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項３】
工程（ＩＩ）において、樹脂組成物層を、温度Ｔ１にて保持する加熱処理に付した後、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２にて保持する加熱処理に付す、請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項４】
樹脂組成物層が、（Ａ）無機充填材を含む、請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項５】
（Ａ）無機充填材の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、６５質量％以上である、請求項４に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項６】
樹脂組成物層の溶融粘度が、１０００ｐｏｉｓｅ以上１００００ｐｏｉｓｅ以下である、請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項７】
回路基板と半導体チップとの間のギャップが、６０μｍ以下である、請求項１に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項８】
温度Ｔ２が、１５０℃以上である、請求項３に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項９】
温度Ｔ１と温度Ｔ２の差Ｔ２－Ｔ１が、２０℃以上である、請求項３に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【請求項１０】
温度Ｔ１が、５０℃以上である、請求項３に記載の半導体チップパッケージの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップパッケージの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
回路基板上に接合された半導体チップを含む半導体チップパッケージは、スマートフォン等の普及に伴ってニーズが高まってきている。半導体チップパッケージは、回路基板と半導体チップの接合部や配線部を外部環境から保護する目的で、回路基板と半導体チップとのギャップ（隙間）を埋める封止材でアンダーフィルした後、別の封止材で半導体チップパッケージをオーバーモールドする工法がある。
【０００３】
この工法は、工程数が多く手間がかかるといった問題がある。また、異なる封止材を用いることで樹脂界面に応力がかかる等のストレスが生じ、信頼性が低下するといった問題もある。このため、例えば特許文献１のように、モールドアンダーフィル封止材料を用いてオーバーモールドとアンダーフィルとを同時に行うモールドアンダーフィルが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６８９４０７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子部品をより高密度化させるために回路基板と半導体チップとのギャップや電極間の隙間はますます狭くなってきており、本発明者らは、従来からのモールドアンダーフィル封止材料では、ギャップや電極間への浸入が不十分であることを確認した。ギャップや電極間への浸入が不十分であると、ギャップや電極間へのモールドアンダーフィル封封止材料の充填性が劣り、ボイドが発生する。ボイドが発生すると、封止材料を熱硬化させる際に膨れたり、信頼性が低下したりすることがある。
【０００６】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、ボイドの発生が抑制された半導体チップパッケージを提供可能な半導体チップパッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構成を有する半導体チップパッケージの製造方法によれば上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］（Ｉ）支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを備える樹脂シートの樹脂組成物層を、回路基板に少なくとも１つの半導体チップが実装された半導体チップパッケージ上に積層し、モールドアンダーフィルを行う工程、及び
（ＩＩ）樹脂組成物層を熱硬化させる工程、
をこの順で含む、半導体チップパッケージの製造方法であって、
樹脂組成物層は、モールドアンダーフィルを行う温度での損失正接が、０．０５以上１．３以下である、半導体チップパッケージの製造方法。
［２］工程（Ｉ）において、モールドアンダーフィルを行う温度が、７０℃以上１８０℃以下である、［１］に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［３］工程（ＩＩ）において、樹脂組成物層を、温度Ｔ１にて保持する加熱処理に付した後、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２にて保持する加熱処理に付す、［１］又は［２］に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［４］樹脂組成物層が、（Ａ）無機充填材を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［５］（Ａ）無機充填材の含有量が、樹脂組成物層の不揮発成分を１００質量％としたとき、６５質量％以上である、［４］に記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［６］樹脂組成物層の溶融粘度が、１０００ｐｏｉｓｅ以上１００００ｐｏｉｓｅ以下である、［１］～［５］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［７］回路基板と半導体チップとの間のギャップが、６０μｍ以下である、［１］～［６］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［８］温度Ｔ２が、１５０℃以上である、［３］～［７］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［９］温度Ｔ１と温度Ｔ２の差Ｔ２－Ｔ１が、２０℃以上である、［３］～［８］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
［１０］温度Ｔ１が、５０℃以上である、［３］～［９］のいずれかに記載の半導体チップパッケージの製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ボイドの発生が抑制された半導体チップパッケージを提供可能な半導体チップパッケージの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施され得る。
（【００１１】以降は省略されています）

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