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公開番号2025065909
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-22
出願番号2023175434
出願日2023-10-10
発明の名称画像処理装置、及び画像処理方法
出願人株式会社JVCケンウッド
代理人個人
主分類G01J 1/42 20060101AFI20250415BHJP(測定;試験)
要約【課題】センサをシャッタで保護することによる撮像の中断を抑制することができる画像処理装置、及び画像処理方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態にかかる画像処理装置は、熱画像データにおいて、画素の飽和を検出する飽和検出部174と、飽和画素が所定画素数以上連続した飽和画素領域の周辺にある周辺画素の画素出力値の傾向に基づいて、飽和画素領域が太陽光の直接光の入射による飽和か、前記太陽光の反射光の入射による飽和かを判定する判定部175と、判定部175において、直接光の入射による飽和と判定された場合に、センサへの光の入射を遮蔽するシャッタ220を閉じ、反射光の入射による飽和と判定された場合に、センサへの光の入射を遮蔽するシャッタ220を閉じないように、シャッタを制御するシャッタ制御部141と、を備えている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
センサで撮像された熱画像データを取得する熱画像データ取得部と、
前記熱画像データにおいて、画素の飽和を検出する飽和検出部と、
飽和画素が所定画素数以上連続した飽和画素領域の周辺にある周辺画素の画素出力値の傾向に基づいて、前記飽和画素領域が太陽光の直接光の入射による飽和か、前記太陽光の反射光の入射による飽和かを判定する判定部と、
前記判定部において、前記直接光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じ、前記反射光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じないように、シャッタを制御するシャッタ制御部と、を備えた画像処理装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記判定部は、前記飽和画素領域の周辺画素の画素出力値の広がり傾向に基づいて、前記飽和画素領域が、前記直接光の入射による飽和か、前記反射光の入射による飽和かを判定する請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定部は、
任意の方向のプロファイルにおいて、前記飽和画素領域に含まれる飽和画素の飽和画素数と、画素出力値が画素出力閾値以上の周辺画素の周辺画素数と、を求め、
前記周辺画素数から前記飽和画素数を引いた差分値が第１閾値以上の場合、前記飽和画素領域が前記直接光の入射による飽和であると判定し、
前記差分値が第１閾値未満の場合、前記飽和画素領域が前記反射光の入射による飽和であると判定する請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記飽和画素領域の外側にある隣接領域での画素出力値の傾きの傾向に基づいて、前記飽和画素領域が、前記直接光の入射による飽和か、前記反射光の入射による飽和かを判定する請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記判定部は、
任意の方向のプロファイルにおいて、前記飽和画素領域の端部にある画素の画素出力値と、前記飽和画素領域の端部から所定画素数分外側にある画素の画素出力値と、に基づいて、前記隣接領域での画素出力値の傾きを算出し、
前記傾きの絶対値が第２閾値未満である場合、前記飽和画素領域が前記直接光の入射による飽和であると判定し、
前記傾きの絶対値が第２閾値以上である場合、前記飽和画素領域が前記反射光の入射による飽和であると判定する請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
センサで撮像された熱画像データを取得するステップと、
前記熱画像データにおいて、画素の飽和を検出するステップと、
飽和画素が所定画素数以上連続した飽和画素領域の周辺にある周辺画素の画素出力値の傾向に基づいて、前記飽和画素領域が太陽光の直接光の入射による飽和か、前記太陽光の反射光の入射による飽和かを判定するステップと、
前記直接光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じ、前記反射光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じないように、シャッタを制御するステップと、を備えた画像処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、画像処理装置、及び、画像処理方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、遠赤外線センサの撮像データを処理する画像処理装置が開示されている。この装置では、画素が飽和した飽和領域を検出している。画像処理装置は、飽和領域の検出結果に応じて、ダイナミックレンジを制御している。そして、飽和領域の検出結果及びダイナミックレンジの設定に基づいて、シャッタを開閉制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１１０５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
赤外線撮像装置で用いられるマイクロボロメータ等の赤外線センサでは、強度の高い光が入射してしまうとセンサ素子が劣化してしまうという問題点がある。例えば、太陽光が赤外線センサに直接入射してしまうと、画素が焼き付いてしまう。この場合、焼き付いた画素の感度が変化してしまうため、画質が劣化してしまう。
【０００５】
特許文献１では、シャッタを閉じることで、センサ素子を保護している。しかしながら、シャッタを閉じた期間は、撮像できないという問題点がある。
【０００６】
本開示は上記の点に鑑みなされたものであり、センサをシャッタで保護することによる撮像の中断を抑制することができる画像処理装置、及び画像処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態にかかる画像処理装置は、センサで撮像された熱画像データを取得する熱画像データ取得部と、前記熱画像データにおいて、画素の飽和を検出する飽和検出部と、飽和画素が所定画素数以上連続した飽和画素領域の周辺にある周辺画素の画素出力値の傾向に基づいて、前記飽和画素領域が太陽光の直接光の入射による飽和か、前記太陽光の反射光の入射による飽和かを判定する判定部と、前記判定部において、前記直接光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じ、前記反射光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じないように、シャッタを制御するシャッタ制御部と、を備えている。
【０００８】
本実施形態にかかる画像処理方法は、センサで撮像された熱画像データを取得するステップと、前記熱画像データにおいて、画素の飽和を検出するステップと、飽和画素が所定画素数以上連続した飽和画素領域の周辺にある周辺画素の画素出力値の傾向に基づいて、前記飽和画素領域が太陽光の直接光の入射による飽和か、前記太陽光の反射光の入射による飽和かを判定するステップと、前記直接光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じ、前記反射光の入射による飽和と判定された場合に、前記センサへの光の入射を遮蔽するシャッタを閉じないように、シャッタを制御するステップと、を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、センサをシャッタで保護することによる撮像の中断を抑制することができる画像処理装置、及び画像処理方法を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
撮像システムの構成を示す制御ブロック図である。
赤外線カメラの構成を示す制御ブロック図である。
画像処理部の構成を示す制御ブロック図である。
太陽光の直接光が入射している場合の熱画像データを示す図である。
太陽光の反射光が入射している場合の熱画像データを示す図である。
画素出力値のプロファイルデータを示すグラフである。
本実施の形態１にかかる画像処理方法を示すフローチャートである。
画素出力値のプロファイルデータを示すグラフである。
本実施の形態２にかかる画像処理方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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