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公開番号2025062947
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-15
出願番号2023172345
出願日2023-10-03
発明の名称近赤外発光蛍光体および発光装置
出願人国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人
主分類C09K 11/66 20060101AFI20250408BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約【課題】 1300nm以上1650nm以下の発光成分を有する近赤外発光蛍光体、および、発光装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の近赤外発光蛍光体は、Na2ZnGeO4結晶、Na2ZnSiO4結晶、K2ZnSiO4結晶、および、K2MgSiO4結晶からなる群から選択される無機結晶にCrが添加された無機化合物からなり、1300nm以上1350nm以下の波長範囲にピークを有し、ピークの半値幅は、200nm以上300nm以下である、近赤外光を発する。
【選択図】 図7
特許請求の範囲【請求項1】
Na

ZnGeO

結晶、Na

ZnSiO

結晶、K

ZnSiO

結晶、および、K

MgSiO

結晶からなる群から選択される無機結晶にCrが添加された無機化合物からなり、
1300nm以上1350nm以下の波長範囲にピークを有し、
前記ピークの半値幅は、200nm以上300nm以下である、近赤外光を発する近赤外発光蛍光体。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記Na

ZnGeO

結晶および前記Na

ZnSiO

結晶は、単斜晶系の結晶であり、空間群Pcの対称性を有し、
前記K

ZnSiO

結晶および前記K

MgSiO

結晶は、斜方晶系の結晶であり、空間群Pca2

の対称性を有する、請求項1に記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項3】
前記無機化合物は、Na

ZnGe
1-x
Cr



、Na

ZnSi
1-x
Cr



、K

ZnSi
1-x
Cr



、および、K

MgSi
1-x
Cr



(ただし、xは、0.0005≦x≦0.1を満たす)からなる群から選択される一般式で表される、請求項1または2に記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項4】
前記無機化合物は、一般式Na

ZnGe
1-x
Cr



(ただし、xは、0.0005≦x≦0.1を満たす)で表される、請求項3に記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項5】
前記ピークは、1310nm以上1330nm以下の波長範囲を満たす、請求項4に記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項6】
前記ピークの半値幅は、240nm以上300nm以下である、請求項4または5に記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項7】
パラメータxは、0.005≦x≦0.08を満たす、請求項3~6のいずれかに記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項8】
発光波長1650nmの発光強度は、前記ピークの発光強度の1/e

(eはネイピア数である)を超える、請求項1~7のいずれかに記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項9】
前記Crは4価である、請求項1~8のいずれかに記載の近赤外発光蛍光体。
【請求項10】
発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、
前記蛍光体は、請求項1~9のいずれかに記載の近赤外発光蛍光体を含有する、発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、近赤外発光蛍光体、および、発光光源と蛍光体とを備えた発光装置に関する。
続きを表示(約 2,900 文字)【背景技術】
【0002】
近赤外光を発する発光装置として、InGaAsやAlGaAs等のGaAs系あるいはInP系化合物半導体などを用いた発光ダイオード(LED)が知られている。これらのLEDは、各種リモコンセンサー、セキュリティー、車載カメラ、パッケージや内容物、異物の検査等に広く用いられている。また、近赤外領域の光は生体透過性に優れることから、医療、農業、食品分野などにおける品質検査用途あるいは血液中のヘモグロビン、酸素濃度などのバイタル情報の測定などに好適である。
【0003】
また、近赤外光分光法では、有機化合物の官能基(C-H、O-H、N-H、S-H、C=O等)の基準振動ではなく、倍音、結合音による非常に弱い光吸収を利用して物質のセンシングを行う。例えば、有機官能基の結合は690~3000nmの波長域で様々な吸収ピークがある。長波長側から1回目の結合音、1回目の倍音、2回目の結合音、2回目の倍音の様に返しの吸収ピークが見られ、特に1350~1500nm帯に現れる水やCH等の結合2倍音に相当する光で特に重要なため、この帯域の強力光源は特に重要である。
【0004】
最近、近赤外光を発する発光装置が開発された(例えば、特許文献1を参照)。特許文献1は、M(1)2M(2)M(3)O

結晶(ただし、M(1)は、Liおよび/またはNaである金属元素、M(2)は、Zn、Mg、CaおよびSrからなる群から少なくとも1つ選択された金属元素、M(3)はSiおよび/またはGeである元素)にCrが添加されている近赤外発光蛍光体を用いた発光装置を開示する。
【0005】
このような近赤外発光蛍光体を用いた発光装置を、1300nm~1650nmが感度帯であるInGaAs検出器と組み合わせた光センシングが期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2020-1880044号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上記要望に基づき、1300nm以上1650nm以下の発光成分を有する近赤外発光蛍光体、および、発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の近赤外発光蛍光体は、Na

ZnGeO

結晶、Na

ZnSiO

結晶、K

ZnSiO

結晶、および、K

MgSiO

結晶からなる群から選択される無機結晶にCrが添加された無機化合物からなり、1300nm以上1350nm以下の波長範囲にピークを有し、前記ピークの半値幅は、200nm以上300nm以下であり、これにより上記課題を解決する。
前記Na

ZnGeO

結晶および前記Na

ZnSiO

結晶は、単斜晶系の結晶であり、空間群Pcの対称性を有し、前記K

ZnSiO

結晶および前記K

MgSiO

結晶は、斜方晶系の結晶であり、空間群Pca2

の対称性を有してもよい。
前記無機化合物は、Na

ZnGe
1-x
Cr



、Na

ZnSi
1-x
Cr



、K

ZnSi
1-x
Cr



、および、K

MgSi
1-x
Cr



(ただし、xは、0.0005≦x≦0.1を満たす)からなる群から選択される一般式で表されてもよい。
前記無機化合物は、一般式Na

ZnGe
1-x
Cr



(ただし、xは、0.0005≦x≦0.1を満たす)で表されてもよい。
前記ピークは、1310nm以上1330nm以下の波長範囲を満たしてもよい。
前記ピークの半値幅は、240nm以上300nm以下であってもよい。
パラメータxは、0.005≦x≦0.08を満たしてもよい。
発光波長1650nmの発光強度は、前記ピークの発光強度の1/e

(eはネイピア数である)を超えてもよい。
前記Crは4価であってもよい。
本発明の発光装置は、発光光源と蛍光体とを備え、前記蛍光体は、上記近赤外発光蛍光体を含有し、これにより上記課題を解決する。
【発明の効果】
【0009】
本発明の近赤外発光蛍光体は、Na

ZnGeO

結晶、Na

ZnSiO

結晶、K

ZnSiO

結晶、および、K

MgSiO

結晶からなる群から選択される無機結晶にCrが添加された無機化合物からなり、これにより、ピーク波長が、1300nm以上1350nm以下の波長範囲に長波長側へシフトするだけでなく、ピークの半値幅は、200nm以上300nm以下となる。このような近赤外発光蛍光体は、1300nm以上1650nm以下の発光成分を有するため、InGaAs検出器と組み合わせた光センシングを可能とする発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
Na

ZnGeO

結晶の結晶構造を示す図
Na

ZnGeO

結晶の結晶構造から計算したCuKα線を用いた粉末X線回折を示す図
本発明の近赤外発光蛍光体の有効性を説明する模式図
本発明の発光装置を示す模式図
本発明の別の発光装置を示す模式図
例1の生成物の粉末X線回折パターンを示す図
例1の生成物の発光スペクトルを示す図
例1の生成物の別の発光スペクトルを示す図
例1の生成物の励起スペクトルを示す図
例1、例7および例10~例13の生成物の発光スペクトルを示す図
例8、例9および例16の生成物の発光スペクトルを示す図
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

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