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公開番号2025056988
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023166569
出願日2023-09-27
発明の名称研磨パッドおよび研磨装置
出願人富士紡ホールディングス株式会社
代理人弁理士法人フィールズ国際特許事務所
主分類B24B 37/24 20120101AFI20250401BHJP(研削;研磨)
要約【課題】被研磨物の研磨の際に、粗大な砥粒成分の発生を抑制して、被研磨物におけるスクラッチを低減させることができる研磨パッドおよび研磨装置を提供することができる。
【解決手段】
本発明の一の態様によれば、研磨層11を備える研磨パッド10であって、研磨層11が、樹脂111と、樹脂111中に分散した中空粒子112とを含み、中空粒子112が、中空粒子112の内表面112Aに1以上の凸部112Cを有する、研磨パッド10が提供される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
研磨層を備える研磨パッドであって、
前記研磨層が、樹脂と、前記樹脂中に分散した中空粒子とを含み、
前記中空粒子が、前記中空粒子の内表面に１以上の凸部を有する、研磨パッド。
続きを表示（約 350 文字）【請求項２】
前記中空粒子の空隙率が、２０％以上６０％以下である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨層が、前記研磨層の表面に前記中空粒子の開口によって形成された孔部を有し、前記孔部の平均開孔径に対する前記孔部内の前記凸部の高さの比が、０．０１以上である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記凸部が、１つの前記中空粒子に対し２以上存在し、前記凸部間の隙間が、５μｍ以下である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記中空粒子の前記内表面の算術平均粗さが、０．１μｍ以上である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の研磨パッドを備える、研磨装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨パッドおよび研磨装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ等の被研磨物の研磨には、非常に精密な平坦性が要求されるため、スラリーと研磨パッドを用いた化学的機械研磨法（ＣＭＰ）が用いられている。ＣＭＰは、回転する研磨パッドの研磨面に、スラリーを供給しながら、半導体ウエハ等の被研磨物を圧接して回転させながら被研磨物の表面を研磨する方法である。
【０００３】
現在、研磨パッドを構成する研磨層に、中空粒子を分散させることが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。このような中空粒子を含む研磨層においては、研磨層の表面に位置し、開口した中空粒子が存在するため、中空粒子内にスラリーを保持することができるので、研磨層の表面において多くのスラリーを保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１１－３２２８７７号公報
特開２０１０－２７４３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、スラリーに含まれるナノサイズの砥粒成分が、研磨層の表面に位置する中空粒子内で堆積および凝集して、粗大な砥粒成分が形成されてしまうことがある。そして、この粗大な砥粒成分が、研磨の進行によって研磨層の表面に露出すると、被研磨物にスクラッチを発生させることがある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、被研磨物の研磨の際に、粗大な砥粒成分の発生を抑制して、被研磨物におけるスクラッチを低減させることができる研磨パッドおよび研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[１]研磨層を備える研磨パッドであって、前記研磨層が、樹脂と、前記樹脂中に分散した中空粒子とを含み、前記中空粒子が、前記中空粒子の内表面に１以上の凸部を有する、研磨パッド。
【０００８】
[２]前記中空粒子の空隙率が、２０％以上６０％以下である、上記[１]または［２］に記載の研磨パッド。
【０００９】
[３]前記研磨層が、前記研磨層の表面に前記中空粒子の開口によって形成された孔部を有し、前記孔部の平均開孔径に対する前記孔部内の前記凸部の高さの比が、０．０１以上である、上記［１］または［２］に記載の研磨パッド。
【００１０】
[４]前記凸部が、１つの前記中空粒子に対し２以上存在し、前記凸部間の隙間が、５μｍ以下である、上記［１］ないし［３］のいずれか一項に記載の研磨パッド。
（【００１１】以降は省略されています）

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