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公開番号2025051142
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160092
出願日2023-09-25
発明の名称基板処理方法
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250328BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を適切に処理できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板処理方法に関する。基板処理方法は、基板を処理するためのものである。基板Wは、第1層Eと第2層Fと第3層Gを含む。第3層Gは、第1層Eと第2層Fの間に位置する。第1層Eは、第3層Gの組成とは異なる組成を有する。第2層Fは、第3層Gの組成とは異なる組成を有する。基板処理方法は、サイクル工程を備える。サイクル工程は、エッチング工程とリンス工程を含む。エッチング工程では、エッチング液Mが基板Wに供給される。エッチング工程では、第3層Gはエッチングされる。第3層Gのエッチングによって、生成物Pが生成される。リンス工程は、エッチング工程の後に実行される。リンス工程では、リンス液Qが基板Wに供給される。リンス工程では、生成物Pが基板Wから除去される。サイクル工程は、2回以上、繰り返される。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板は、
第１層と、
第２層と、
前記第１層と前記第２層の間に位置する第３層と、
を含み、
前記第１層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、
前記第２層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、
前記基板処理方法は、
サイクル工程と、
を備え、
前記サイクル工程は、
前記基板にエッチング液を供給し、前記第３層をエッチングするエッチング工程と、
エッチング工程の後に、前記基板にリンス液を供給し、前記第３層のエッチングによって生成された生成物を基板から除去するリンス工程と、
を含み、
前記サイクル工程は、２回以上、繰り返される
基板処理方法。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第３層がエッチングされるとき、第３層は生成物に変化する
基板処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第３層は、シリコンオキサイド、チタンナイトライド、および、シリコンゲルマニウムの少なくともいずれかで構成される
基板処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理方法において、
生成物は、Ｈ
２
ＳｉＦ
６
、ＴｉＯ
++
・Ｈ
２
Ｏ
２
、Ｈ
２
Ｓｉ（Ｇｅ）Ｆ
６
、ＳｉＯ
３
２－
、および、ＧｅＯ
３
２－
の少なくともいずれかを含む
基板処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第３層は、シリコンナイトライドを含まない
基板処理方法。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第１層と前記第２層の間の離隔距離は、２０ｎｍ以下である
基板処理方法。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理方法において、
１回の前記サイクル工程における１回の前記エッチング工程における前記第３層のエッチング量は、閾値以下であり、
前記閾値は、前記第３層の合計エッチング量の目標値よりも小さい
基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法において、
前記閾値は、２０ｎｍである
基板処理方法。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記エッチング工程では、乾いた状態の前記基板にエッチング液が供給される
基板処理方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記サイクル工程は、
前記基板を乾燥する乾燥工程と、
を含み、
前記乾燥工程は、前記リンス工程の後に実行される
基板処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、および、太陽電池用基板のいずれかである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板を処理する基板処理方法を開示する。具体的には、基板処理方法は、基板をエッチングするためのものである。
【０００３】
基板は、被保護層と被エッチング層を含む。被保護層は、シリコンオキサイドで構成される。被エッチング層は、シリコンナイトライドで構成される。
【０００４】
基板処理方法は、サイクル工程を備える。サイクル工程は、２回以上、繰り返される。
【０００５】
サイクル工程は、シリル化工程とエッチング工程を含む。シリル化工程では、基板にシリル化剤が供給される。シリル化剤は、例えば、Hexamethyldisilazane（HMDS）である。シリル化工程では、基板はシリル化される。エッチング工程では、基板にエッチング液が供給される。エッチング液は、例えば、フッ酸である。エッチング工程では、被エッチング層はエッチングされる。具体的には、エッチング工程では、シリコンナイトライドはエッチングされる。エッチング工程では、被保護層はエッチングされない。具体的には、エッチング工程では、シリコンオキサイドはエッチングされない。
【０００６】
サイクル工程は、さらに、リンス工程を含む。リンス工程では、基板にリンス液が供給される。リンス液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。リンス工程では、エッチング液は、基板から除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１２－１６４９４９公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の基板処理方法であっても、基板を適切に処理することが困難な場合がある。例えば、被エッチング層が２つの被保護層の間に位置することがある。この場合、被エッチング層のエッチングレートは、低い。特に、２つの被保護層の間の離隔距離が小さいとき、被エッチング層のエッチングレートは著しく低い。このため、被エッチング層を効率良くエッチングすることは、難しい。被エッチング層をエッチングする時間が長い。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板は、第１層と、第２層と、前記第１層と前記第２層の間に位置する第３層と、を含み、前記第１層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、前記第２層は、前記第３層の組成とは異なる組成を有し、前記基板処理方法は、サイクル工程と、を備え、前記サイクル工程は、前記基板にエッチング液を供給し、前記第３層をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、前記基板にリンス液を供給し、前記第３層のエッチングによって生成された生成物を基板から除去するリンス工程と、を含み、前記サイクル工程は、２回以上、繰り返される基板処理方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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