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公開番号2025051227
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023160240
出願日2023-09-25
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/02234 20210101AFI20250328BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】レーザ光の高出力化および広い指向角を両立すること。
【解決手段】半導体発光装置10は、素子表面21を含み、素子表面21からレーザ光を出射するように構成された面発光レーザ素子20と、面発光レーザ素子20が配置された底壁50と、平面視において面発光レーザ素子20を囲む周壁60と、を含み、底壁50および周壁60は面発光レーザ素子20を収容し素子表面21と同じ側が開口する収容空間41を構成する、素子収容体40と、収容空間41内において素子表面21を覆い、拡散材82を含む拡散層80と、収容空間41内において底壁50および周壁60の少なくとも一方を覆い、拡散層80よりも反射率が高い樹脂材料によって構成された反射体90と、を含む。反射体90は、素子表面21から出射して拡散材82によって拡散された光を反射するように構成されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
素子表面を含み、前記素子表面からレーザ光を出射するように構成された面発光レーザ素子と、
前記面発光レーザ素子が配置された底壁と、前記素子表面と垂直な方向から視て前記面発光レーザ素子を囲む周壁と、を含み、前記底壁および前記周壁は前記面発光レーザ素子を収容し前記素子表面と同じ側が開口する収容空間を構成する、素子収容体と、
前記収容空間内において前記素子表面を覆い、拡散材を含む拡散層と、
前記収容空間内において前記底壁および前記周壁の少なくとも一方を覆い、前記拡散層よりも反射率が高い樹脂材料によって構成された反射体と、
を含み、
前記反射体は、前記素子表面から出射して前記拡散材によって拡散された光を反射するように構成されている
半導体発光装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記反射体は、前記底壁および前記周壁の双方を覆っている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記周壁は、前記素子表面と同じ側を向き、前記素子表面よりも前記底壁から離れた位置となるように設けられた周壁表面を含み、
前記反射体は、前記周壁を覆っており、
前記反射体の表面は、前記面発光レーザ素子から前記周壁に向かうにつれて前記周壁表面に向かうように形成された湾曲凹状を含む
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記面発光レーザ素子は、
前記素子表面とは反対側を向く素子裏面と、
前記素子表面と前記素子裏面とを接続する素子側面と、
を含み、
前記反射体は、前記素子側面を覆っている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記面発光レーザ素子は、前記素子表面に形成された発光領域を含み、
前記拡散層は、前記素子表面と垂直な方向から視て、前記発光領域の全体を覆っている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記拡散層は、前記素子表面と接した状態で前記素子表面を覆っている
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記面発光レーザ素子は、前記周壁の一部に近づくように配置されており、
前記面発光レーザ素子に近い前記周壁の厚さは、前記面発光レーザ素子から遠い前記周壁の厚さよりも薄い部分を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記周壁は、
前記素子表面と垂直な方向において前記底壁寄りの第１周壁部と、
前記素子表面と垂直な方向において前記第１周壁部に対して前記底壁とは反対側に位置し、前記第１周壁部よりも薄い厚さを有する第２周壁部と、
前記第１周壁部と前記第２周壁部とによって形成された段差と、
を含み、
前記素子表面と垂直な方向において、前記段差は、前記素子表面と同じ位置または前記素子表面よりも前記底壁寄りに位置している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記反射体は、前記段差を覆っている
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記反射体は、前記第２周壁部を構成する内側面を覆っている
請求項８に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、様々な電子機器に搭載される光源装置として、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【０００４】
［概要］
ところで、従来の半導体発光装置では、ＬＥＤ素子が用いられるため、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤ素子に代えて、例えば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの面発光レーザ素子によって高出力化に対応することが考えられる。しかし、面発光レーザ素子はＬＥＤ素子よりも指向角が狭い。このように、半導体発光装置では、レーザ光の高出力化および広い指向角の両立について、改善の余地がある。
【０００５】
本開示の一態様の半導体発光装置は、素子表面を含み、前記素子表面からレーザ光を出射するように構成された面発光レーザ素子と、前記面発光レーザ素子が配置された底壁と、前記素子表面と垂直な方向から視て前記面発光レーザ素子を囲む周壁と、を含み、前記底壁および前記周壁は前記面発光レーザ素子を収容し前記素子表面と同じ側が開口する収容空間を構成する、素子収容体と、前記収容空間内において前記素子表面を覆い、拡散材を含む拡散層と、前記収容空間内において前記底壁および前記周壁の少なくとも一方を覆い、前記拡散層よりも反射率が高い樹脂材料によって構成された反射体と、を含み、前記反射体は、前記素子表面から出射して前記拡散材によって拡散された光を反射するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図４は、図２に反射体を追加した半導体発光装置の内部の概略平面図である。
図５は、第２実施形態の半導体発光装置の概略平面図である。
図６は、図５のＦ６－Ｆ６線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図７は、図５のＦ７－Ｆ７線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図８は、第３実施形態の半導体発光装置の概略平面図である。
図９は、図８のＦ９－Ｆ９線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図１０は、第４実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、変更例の半導体発光装置の概略平面図である。
図１２は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１３は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１４は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１５は、変更例の半導体発光装置の概略平面図である。
図１６は、図１５のＦ１６－Ｆ１６線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
【００１０】
本明細書において使用される「Ａの長さ（厚さ、寸法）がＢの長さ（厚さ、寸法）と等しい」または「Ａの長さ（厚さ、寸法）とＢの長さ（厚さ、寸法）とが互いに等しい」とは、Ａの長さ（厚さ、寸法）とＢの長さ（厚さ、寸法）との差が例えばＡの長さ（厚さ、寸法）の１０％以内の関係も含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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