TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025064614
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-17
出願番号2023174512
出願日2023-10-06
発明の名称半導体装置およびその製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類B81B 3/00 20060101AFI20250410BHJP(マイクロ構造技術)
要約【課題】振動板に加わる物理的な損傷を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、支持部10と、支持部10の主面15に固定端が接続され、厚さ方向に振動可能な梁型の振動板20と、振動板20の振動可能な方向に向いた搭載面200に搭載された圧電素子30を有する。搭載面200の面法線方向から見て、主面15の固定端が接続された領域の残余の領域が振動板20の周囲に露出する。搭載面200に平行な方向から見て、残余の領域と搭載面200との間に段差が形成され、残余の領域において振動板20の側面が露出している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
支持部と、
前記支持部の主面に固定端が接続され、厚さ方向に振動可能な梁型の振動板と、
前記振動板の振動可能な方向に向いた搭載面に搭載された圧電素子と、
を備え、
前記搭載面の面法線方向から見て、前記主面の前記固定端が接続された領域の残余の領域が前記振動板の周囲に露出し、
前記搭載面に平行な方向から見て、前記残余の領域と前記搭載面との間に段差が形成され、前記残余の領域において前記振動板の側面が露出している、
半導体装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記圧電素子が、
一対の電極と、
前記一対の電極に挟まれた圧電膜と、
を含む、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記振動板が片持ち梁構造であって、第1の端部が前記固定端であり、第2の端部が自由端である、請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記振動板が両持ち梁構造であって、前記振動板の第1の端部が前記支持部と接続する前記固定端の1つであり、前記振動板の第2の端部が前記支持部と接続する前記固定端の他の1つである、請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項5】
シリコン基板、絶縁層およびシリコン層の活性層をこの順に積層したSOI基板を用いて形成されており、
前記支持部が前記シリコン基板に形成され、
前記振動板が前記活性層に形成され、
前記支持部と前記振動板の間に前記絶縁層が配置されている、
請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記支持部と前記振動板が一体的に単層の半導体基板に形成されている、請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記搭載面に平行な方向から見て、前記支持部の前記残余の領域と前記振動板の前記搭載面との間の生じる段差の大きさが、前記振動板の板厚である、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
半導体基板の主面に定義された搭載面に圧電素子を形成し、
前記搭載面の周囲に、前記搭載面に平行な方向から見て前記搭載面よりも厚さ方向に低くした外縁領域を前記半導体基板に形成し、
前記搭載面の下方の前記半導体基板を選択的にエッチング除去して、前記搭載面の周囲の前記半導体基板の一部である支持部に固定端が接続し、前記厚さ方向に振動可能な梁型の振動板を形成し、
前記外縁領域を切断線として、前記半導体基板を複数の半導体装置に分割する、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記搭載面に第1電極、圧電膜、第2電極をこの順に積層して、前記圧電素子を形成する、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
第1の端部が前記固定端であり、第2の端部が自由端である片持ち梁構造の前記振動板を形成する、請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示(約 2,600 文字)【背景技術】
【0002】
半導体製造プロセスを用いて製造されるMEMS(Micro Electro Mechanical System)デバイスの1つとして、半導体基板に形成された梁型の振動板と振動板に配置された圧電素子を含むトランスデューサが知られている。振動板と圧電素子を含むトランスデューサは、電気信号により圧電素子を振動させて振動板を駆動するアクチュエータ、或いは、振動板の振動により圧電素子に電気信号を発生させるセンサなどとして使用されている(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2022/075114号
【0004】
[概要]
半導体基板に梁型の振動板を含むMEMSデバイスを形成した場合に、半導体基板を切断してMEMSデバイスがチップ化される。半導体基板の切断方式には、ブレードにより半導体基板を切断するダイシング方法、レーザを照射して半導体基板を切断するダイシング方法などが使用されている。このため、半導体基板を切断する工程において、振動板にブレード又はレーザが接触して、振動板に物理的な損傷が加わる恐れがある。
【0005】
本開示の目的は、振動板に加わる物理的な損傷を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0006】
上述した課題を解決するために、本開示の一態様は、支持部と、支持部の主面に固定端が接続され、厚さ方向に振動可能な梁型の振動板と、振動板の振動可能な方向に向いた搭載面に搭載された圧電素子を有する半導体装置である。搭載面の面法線方向から見て、主面の固定端が接続された領域の残余の領域が振動板の周囲に露出する。搭載面に平行な方向から見て、主面の残余の領域と搭載面との間に段差が形成され、残余の領域において振動板の側面が露出している。
【0007】
本開示の他の一態様は、半導体基板の主面に定義された搭載面に圧電素子を形成し、搭載面の周囲に、搭載面に平行な方向から見て搭載面よりも厚さ方向に低くした外縁領域を半導体基板に形成することを含む半導体装置の製造方法である。搭載面の下方の半導体基板を選択的にエッチング除去して、搭載面の周囲の半導体基板の一部である支持部に固定端が接続し、厚さ方向に振動可能な梁型の振動板を形成する。更に、外縁領域を切断線として、半導体基板を複数の半導体装置に分割する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す模式的な断面図である。
図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す模式的な平面図である。
図3は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その1)。
図4は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その2)。
図5は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その3)。
図6は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その4)。
図7は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その5)。
図8は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その6)。
図9は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その7)。
図10は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その8)。
図11は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である(その9)。
図12は、第1の実施形態に係る半導体装置のチップ化前の平面図である。
図13は、第1の実施形態に係る半導体装置のチップ化後の平面図である。
図14は、比較例の半導体装置の構成を示す模式図である。
図15は、比較例の半導体装置のチップ化した状態を示す模式図である。
図16は、比較例の半導体装置の実装した状態を示す模式図である。
図17は、第1の実施形態に係る半導体装置の実装した状態を示す模式図である。
図18は、第1の実施形態の変形例に係る半導体装置の構成を示す模式的な断面図である。
図19は、第2の実施形態に係る半導体装置の構成を示す模式的な断面図である。
図20は、その他の実施形態に係る半導体装置の構成を示す模式的な断面図である。
図21は、その他の実施形態に係る半導体装置の他の構成を示す模式的な断面図である。
【0009】
[詳細な説明]
以下、図面を参照して実施形態を説明する。なお、以下で説明する実施形態は、包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の設置位置および接続形態は、一例であり、本開示に限定する主旨ではない。また、以下の実施形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。さらに、図面の寸法比率は説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる場合がある。また、以下の実施形態およびその変形例には、同様の構成要素が含まれている場合があり、同様の構成要素には共通の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【0010】
(第1の実施形態)
第1の実施形態に係る半導体装置1は、図1に示すように、支持部10と、梁型の振動板20と、圧電素子30を備える。図1に示した半導体装置1では、振動板20は片持ち梁構造である。すなわち、振動板20の第1の端部21が固定端であり、第1の端部21に対向する第2の端部22が自由端である。振動板20は、支持部10の主面15に固定端が接続され、厚さ方向に振動可能である。圧電素子30は、振動板20の振動可能な方向に向いた搭載面200に搭載されている。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

ローム株式会社
半導体装置
2日前
ローム株式会社
半導体装置
9日前
ローム株式会社
D級増幅回路
9日前
ローム株式会社
電源起動監視回路
10日前
ローム株式会社
クロック異常検出回路
9日前
ローム株式会社
表示装置及びソースドライバ
10日前
ローム株式会社
表示装置及びソースドライバ
9日前
ローム株式会社
基準電圧生成回路、半導体装置
9日前
ローム株式会社
半導体装置およびその製造方法
2日前
ローム株式会社
表示ドライバ回路及び表示システム
10日前
ローム株式会社
スペクトラム拡散クロック生成回路
9日前
ローム株式会社
同期シリアルインターフェイス回路
10日前
ローム株式会社
圧電アクチュエータ及び音波発生装置
5日前
ローム株式会社
情報処理装置及びCPU使用率の測定方法
10日前
ローム株式会社
出力アンプ回路、表示ドライバ及び表示装置
10日前
ローム株式会社
通信デバイス、通信システム、及び通信方法
9日前
ローム株式会社
出力画像調整装置、投影装置及び画像調整方法
9日前
ローム株式会社
PFM制御回路、昇圧型スイッチングレギュレータ
9日前
ローム株式会社
過電流保護回路、半導体装置、電子機器、及び車両
3日前
ローム株式会社
デジタルアナログ変換装置、表示ドライバ及び表示装置
9日前
ローム株式会社
半導体装置
9日前
ローム株式会社
半導体装置
9日前
ローム株式会社
半導体装置
8日前
ローム株式会社
回路システム、メイン集積回路、追加コンポーネント集積回路
3日前
ローム株式会社
スイッチング電源制御装置、スイッチング電源装置、及び電気機器
9日前
ローム株式会社
SiC半導体装置
8日前
ローム株式会社
マルチ・ダイ・モジュール、電源装置、半導体装置を作製する方法
9日前
ローム株式会社
映像信号送信装置、映像信号受信装置、及び、映像信号送受信システム
9日前
ローム株式会社
異常状態検知システム、異常状態検知方法、及び異常状態検知プログラム
10日前
ローム株式会社
半導体装置、半導体モジュール、LED駆動装置、DC/DCコンバータ、車両
3日前
ローム株式会社
制御回路、絶縁型DC/DCコンバータ、インバータシステム、及びモータシステム
9日前
ローム株式会社
半導体装置およびその製造方法
2日前
株式会社村田製作所
二重層MEMSデバイスおよび製造方法
5か月前
タカノ株式会社
シリコン構造体の製造方法
8か月前
ローム株式会社
MEMS装置およびMEMS装置の製造方法
6か月前
TOPPANホールディングス株式会社
マイクロ流路チップ及びその製造方法
8か月前
続きを見る