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公開番号2025068301
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-28
出願番号2023178097
出願日2023-10-16
発明の名称面発光レーザ装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/183 20060101AFI20250421BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】放熱性が改善された面発光レーザ装置を提供すること。
【解決手段】面発光レーザ装置10は、第1基板面40aを含むSi基板40と、光生成層23、光生成層23を挟むように配置された第1光反射層21および第2光反射層22を含む積層体20と、Si基板40と積層体20とを接合する接合層50と、を含む。積層体20は、第1積層面20aから第2積層面20bに向けて窪み、平面視で環状に形成された分離溝28に囲まれた発光部を含む。発光部31は、発光部表面31aと、分離溝28を構成する発光部側面31bとを含む。接合層50は、発光部表面31aおよび発光部側面31bと接する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１基板面を含むＳｉ基板と、
光生成層と、前記光生成層を挟むように配置される第１導電型の第１光反射層および第２導電型の第２光反射層と、を含む積層体と、
前記Ｓｉ基板と前記積層体とを接合する接合層と、
を含み、
前記積層体は、前記第１基板面と対向する第１積層面から、前記第１積層面と反対側を向く第２積層面に向けて凹み、前記第１積層面に垂直な方向から視た平面視において環状に形成された分離溝によって囲まれた発光部を含み、
前記発光部は、前記第１基板面と対向する発光部表面と、前記分離溝を構成する発光部側面と、を含み、
前記接合層は、前記発光部表面および前記発光部側面と接する、
面発光レーザ装置。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記発光部は、前記第１積層面と前記第２光反射層との間に配置された電流狭窄層を含む、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項３】
前記電流狭窄層は、前記発光部の内方領域に配置された電流通過部と、前記電流通過部を囲む絶縁部と、を含む、
請求項２に記載の面発光レーザ装置。
【請求項４】
前記積層体は、前記発光部表面および前記発光部側面を覆い、前記発光部表面の一部を露出する開口を有する絶縁膜を含み、
前記接合層は前記絶縁膜の表面と接する、
請求項３に記載の面発光レーザ装置。
【請求項５】
前記積層体は、前記発光部表面に設けられた反射膜を含み、
前記反射膜は、平面視で前記電流通過部と重なる位置に配置されている、
請求項４に記載の面発光レーザ装置。
【請求項６】
前記反射膜は、前記絶縁膜の前記開口内に配置され、且つ前記絶縁膜から離隔して配置されている、
請求項５に記載の面発光レーザ装置。
【請求項７】
前記反射膜の表面ラフネスは、前記接合層の表面ラフネスよりも低い、
請求項５に記載の面発光レーザ装置。
【請求項８】
前記第２積層面に配置された第２電極を含む、
請求項３に記載の面発光レーザ装置。
【請求項９】
前記第２電極は、平面視で前記電流通過部と重なる位置に形成された開口を含む、
請求項８に記載の面発光レーザ装置。
【請求項１０】
前記接合層は、前記絶縁膜の表面を覆い、且つ前記絶縁膜の前記開口により前記発光部と接する第１導電層を含む、
請求項５に記載の面発光レーザ装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、面発光レーザ装置に関するものである。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、面発光レーザ装置を開示している。この面発光レーザ装置は、化合物半導体材料により構成される基板と、基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む。ｎ型半導体層はｎ型光反射層を含み、ｐ型半導体層はｐ型光反射層を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２１８７９号公報
【０００４】
［概要］
ところで、面発光レーザ装置では、活性層にて生じる熱は、レーザ特性に影響することがある。面発光レーザ装置では、放熱性の改善が求められることがある。
【０００５】
本開示の一態様である面発光レーザ装置は、第１基板面を含むＳｉ基板と、光生成層と、前記光生成層を挟むように配置される第１導電型の第１反射層および第２導電型の第２反射層と、を含む積層体と、前記Ｓｉ基板と前記積層体とを接合する接合層と、を含み、前記積層体は、前記第１基板面と対向する第１積層面から、前記第１積層面と反対側を向く第２積層面に向けて凹み、前記第１積層面に垂直な方向から視た平面視において環状に形成された分離溝によって囲まれた発光部を含み、前記発光部は、前記第１基板面と対向する発光部表面と、前記分離溝を構成する発光部側面と、を含み、前記接合層は、前記発光部表面および前記発光部側面と接する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置の概略平面図である。
図２は、図１の２－２線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。
図３は、図２の面発光レーザ装置の一部を拡大して示す概略断面図である。
図４は、図２の４－４線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。
図５は、図１の面発光レーザ装置を搭載した発光装置を示す概略平面図である。
図６は、図５の発光装置の概略断面図である。
図７は、図６の発光装置の一部を拡大して示す概略断面図である。
図８は、図１の面発光レーザ装置の製造工程の一例を示す概略断面図である。
図９は、図８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１０は、図９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１８は、図１７に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１９は、図１のＳｉ基板を示す概略断面図である。
図２０は、図１９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２１は、図２０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２２は、図２１に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２３は、図２２に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２４は、図２３に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２５は、図２４に続く製造工程を示す概略断面図である。
図２６は、比較例の面発光レーザ装置の概略断面図である。
図２７は、変更例の面発光レーザ装置の概略断面図である。
図２８は、図２７の面発光レーザ装置の製造工程の一例を示す概略断面図である。
図２９は、図２８に続く製造工程を示す概略断面図である。
図３０は、図２９に続く製造工程を示す概略断面図である。
図３１は、変更例の面発光レーザ装置の概略平面図である。
図３２は、変更例の面発光レーザ装置の概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の面発光レーザ装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
（面発光レーザ装置の概略構成）
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置１０の概略平面図である。図２は、図１の２－２線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。図３は、図２の一部を拡大して示す概略断面図である。図４は、図２の４－４線に沿って切った面発光レーザ装置１０の断面図である。図４は、面発光レーザ装置１０の積層体２０をＳｉ基板４０の側から視た平面図であり、複数の発光部３１を含む積層体２０が示されている。
【００１０】
図１に示される面発光レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）と称される半導体レーザ装置である。面発光レーザ装置１０は、概略直方体状である。一例では、面発光レーザ装置１０は、矩形平板状である。
（【００１１】以降は省略されています）

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