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公開番号2025047770
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023156469
出願日2023-09-21
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250326BHJP()
要約【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1主面および前記第1主面の反対側の第2主面を備える半導体部と、前記第1主面に設けられ、第1電極を含む表面構造部と、前記第2主面に設けられた第2電極と、前記表面構造部の上面を被覆する第1保護樹脂膜と、前記第1保護樹脂膜に接続し、前記表面構造部の側面を被覆する第2保護樹脂膜と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１主面および前記第１主面の反対側の第２主面を備える半導体部と、
前記第１主面に設けられ、第１電極を含む表面構造部と、
前記第２主面に設けられた第２電極と、
前記表面構造部の上面を被覆する第１保護樹脂膜と、
前記第１保護樹脂膜に接続し、前記表面構造部の側面を被覆する第２保護樹脂膜と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第２保護樹脂膜は前記第１電極の側面を被覆する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記表面構造部は、前記第１電極と前記第１保護樹脂膜との間、および前記第１電極と前記第２保護樹脂膜との間に設けられ、酸化物または窒化物からなる保護膜をさらに含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２保護樹脂膜は、前記半導体部の側面をさらに被覆する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２保護樹脂膜は、前記半導体部の前記側面の底部まで被覆する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２保護樹脂膜は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂またはシリコン樹脂を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体部の前記第１主面の端部には前記表面構造部が設けられておらず、前記第２保護樹脂膜は前記端部を被覆する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１ダイパッド主面と前記第１ダイパッド主面の反対側の第２ダイパッド主面とを備え、前記第１ダイパッド主面に前記第２電極が接合材を介して接合されたダイパッドと、
前記半導体部、前記表面構造部、前記第１保護樹脂膜および前記第２保護樹脂膜を埋設し、前記ダイパッドの前記第２ダイパッド主面を露出させる封止部とをさらに備える、請求項１～７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
第１主面および第２主面を備える半導体部と、前記第１主面に設けられ、第１電極を含む表面構造部と、前記第２主面に設けられた第２電極と、前記表面構造部の上面を被覆する第１保護樹脂膜とを備え、ダイシングシートに固定された半導体装置個片を用意し、
前記第１保護樹脂膜に接続し、前記表面構造部の側面を被覆する第２保護樹脂膜を形成し、
前記半導体装置個片を前記ダイシングシートから剥離し、
前記半導体装置個片を接合材を介してダイパッドにマウントし、
前記接合材および前記第２保護樹脂膜をアニールし、
前記半導体部、前記表面構造部、前記第１保護樹脂膜および前記第２保護樹脂膜を埋設する封止部を形成する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２保護樹脂膜の形成は、インクジェットまたはエアロゾルスプレーを用いて樹脂材料を前記表面構造部の側面に吹き付けることによって行う、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などの半導体装置において、配線層や電極などの金属部分を保護するため、金属部分をポリイミド樹脂などの保護樹脂膜によって被覆することが行われている。
【０００３】
半導体装置のダイシング工程においてチッピングやダストの発生を防止するため、通常、ダイシングライン上の保護樹脂膜は予め除去される。しかしながら、露光の位置ずれが生じることなどにより、金属部分の側面を被覆する保護樹脂膜まで除去される場合がある。このような場合、半導体装置に浸入した水分、イオンなどの異物が金属部分に達し易くなり、半導体装置の信頼性が低下する原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００３－２４９４６５号公報
特開２０００－２６９１６６号公報
特開平４－３０５９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、信頼性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置は、第１主面および前記第１主面の反対側の第２主面を備える半導体部と、前記第１主面に設けられ、第１電極を含む表面構造部と、前記第２主面に設けられた第２電極と、前記表面構造部の上面を被覆する第１保護樹脂膜と、前記第１保護樹脂膜に接続し、前記表面構造部の側面を被覆する第２保護樹脂膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係る半導体装置の周縁部分の概略的な断面図である。
実施形態に係る半導体装置における周縁部分の詳細を示す断面図である。
実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を表すフローチャートである。
実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図である。
図４Ａに続く、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図である。
図４Ｂに続く、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図である。
図４Ｃに続く、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図である。
図４Ｄに続く、実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を説明するための断面図である。
変形例に係る半導体装置における周縁部分の詳細を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
また、説明の便宜上、半導体装置の積層方向（厚さ方向）のうち、ゲート配線層およびソース電極側を「上」ともいい、ドレイン電極側を「下」ともいう。ただし、この表現は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
【００１０】
また、以下の説明において、各導電形における不純物濃度の相対的な高低を表すために、ｎ
＋
、ｎ、ｎ
－
、および、ｐ
＋
、ｐ、ｐ
－
の表記を用いる場合がある。すなわち、ｎ
＋
はｎよりもｎ形不純物濃度が相対的に高く、ｎ
－
はｎよりもｎ形不純物濃度が相対的に低いことを示す。また、ｐ
＋
はｐよりもｐ形不純物濃度が相対的に高く、ｐ
－
はｐよりもｐ形不純物濃度が相対的に低いことを示す。これらの表記は、それぞれの領域にｐ形不純物とｎ形不純物の両方が含まれている場合には、それらの不純物が補償しあった後の正味の不純物濃度の相対的な高低を表す。なお、以下の説明において、ｎ形とｐ形は反転されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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